【課題】耐電圧特性を十分に向上させることが可能な電子管を提供する。
【解決手段】イメージインテンシファイア１は、セラミック部材と金属電極とを含んで構成された真空容器を備え、側管２がセラミックリング１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ上の内面及び電極９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｅ，９Ｆ上の内面を含んで無機絶縁膜で成膜されている。このような構成によれば、真空容器を構成する側管２の内面の電極９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｅ，９Ｆの部分及び電極９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｅ，９Ｆとセラミックリング１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄとの境界面からの電子放出が低減され、出力特性が良好に維持される。その結果、イメージインテンシファイア１の耐電圧特性を十分に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の集光制御を充分な自由度で好適に実現することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の波長数、各波長の値、及びレーザ光の入射条件を取得し（ステップＳ１０１）、集光点数、及び各集光点での集光位置、波長、集光強度を設定し（Ｓ１０４）、各集光点について、レーザ光に付与する集光制御パターンを設定する（Ｓ１０７）。そして、集光制御パターンを考慮して空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する（Ｓ１０８）。また、変調パターンの設計において、１画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、集光制御パターンの逆の位相パターンを加えた伝搬関数を用いる。 （もっと読む）

【課題】時間分解能が画素間で異なるのを抑制すると共に、時間分解能をより一層向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１０は、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して直列に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１と、クエンチング抵抗Ｒ１と電気的に接続され且つ主面１Ｎａ側から主面１Ｎｂ側まで半導体基板１Ｎを貫通して形成された複数の貫通電極ＴＥと、を含む。搭載基板２０は、貫通電極ＴＥ毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９を含む。貫通電極ＴＥと電極Ｅ９とがバンプ電極ＢＥを介して電気的に接続され、半導体基板１Ｎの側面１Ｎｃとガラス基板３０の側面３０ｃとは面一とされている。 （もっと読む）

【課題】１画素当りの読出し速度が低速である光検出器を用いる場合であっても移動している対象物の蛍光像を、移動に伴うぶれ（motion blur）なく、結果、空間解像度を損なうことなく得ることができる観察装置を提供することを目的とする。
【解決手段】観察装置１は、光源部１０、第１変調器２０、第２変調器３０、レンズ４０、ビームスプリッタ４１、光検出器４６および演算部５０を備える。レンズ４０は、移動している対象物２で生じた蛍光を入力して対象物２のフーリエ変換像を形成する。光検出器４６は、レンズ４０を経て受光面上の各位置に到達した光のドップラーシフト量に応じた周波数で時間的に変化するデータのｖ方向についての総和を表すデータを、ｕ方向の各位置について各時刻に出力する。演算部５０は、光検出器４６の出力に基づいて対象物２の像を得る。 （もっと読む）

【課題】 スキャンチェーンの検査を好適に行うことが可能なスキャンチェーン検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０のスキャンチェーンに検査信号を供給する検査信号供給部１８と、スキャンチェーンの各レジスタでの検査信号の信号レベルの時間変化を測定するレジスタ測定部２０と、測定部２０による測定結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与するレジスタ番号解析部５１を有する検査解析装置５０とによってスキャンチェーン検査装置１Ａを構成する。供給部１８は、信号長ｎが異なるｍ種類の検査信号列を供給する。解析部５１は、信号長ｎの検査信号列を用いた測定結果からスキャンチェーンの複数のレジスタをｎ個のグループに分けるグループ分けをｍ種類の検査信号列のそれぞれについて行い、その結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与する。 （もっと読む）

【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】大面積化を図りつつ、時間分解能をより一層向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１０は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、各アバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して直列に接続されるクエンチング抵抗Ｒ１と、クエンチング抵抗Ｒ１が並列に接続される信号線ＴＬと、を含むフォトダイオードアレイＰＤＡを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。搭載基板２０は、チャンネル毎に対応した複数の電極Ｅ９が主面２０ａ側に配置されると共に、各チャンネルからの出力信号を処理する信号処理部ＳＰが主面２０ｂ側に配置されている。半導体基板１Ｎには、チャンネル毎に、信号線ＴＬと電気的に接続された貫通電極ＴＥが形成されている。貫通電極ＴＥと電極Ｅ９とがバンプ電極ＢＥを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図りつつ、消費電力と信号処理時間との増大を抑制することが可能な放射線検出装置を提供すること。
【解決手段】放射線検出装置ＲＤは、側面部２及び底面部３を有する収容容器１と、側面部２を囲むように収容容器１に配置された第一シンチレータ１０と、収容部１に配置され、第一シンチレータ１０よりも小さい第二シンチレータ２０と、第一シンチレータ１０からのシンチレーション光を検出する複数の第一半導体光検出素子３０，３１と、第二シンチレータ２０からのシンチレーション光を検出する第二半導体光検出素子４０と、対応する第一半導体光検出素子３０，３１からの出力信号に基づいてシンチレーション光の発光を計数して計数信号を出力する複数の第一計数部５１と、第二半導体光検出素子４０からの出力信号の波高値を計測して波高値計測信号を出力する波高値計測部７１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図りつつ、消費電力と信号処理時間との増大を抑制することが可能な放射線検出装置を提供すること。
【解決手段】放射線検出器ＲＤは、入射した放射線が有するエネルギーに応じた信号を生成する複数の放射線検出部１と、複数の放射線検出部１毎に設けられ、複数の放射線検出部１からの信号のうち、所定の閾値以上である信号を計数して計数信号を出力する複数の計数部２１と、複数の放射線検出部１からの信号を選択して出力する信号選択部３１と、複数の放射線検出部１からの信号のうち信号選択部３１により選択された信号を加算して加算信号を出力する加算部４１と、加算部４１からの加算信号の波高値を計測して波高値計測信号を出力する波高値計測部５１と、複数の計数部２１からの計数信号に基づいて、信号選択部３１を制御する制御部ＣＲと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光信号がフォトダイオードに入射してから受信信号が比較部から出力されるまでの遅延時間が極めて短いと共に、パルス幅歪の発生を抑制することが可能な光受信回路を提供すること。
【解決手段】増幅部ＡＭＰは、フォトダイオードＰＤから出力された電流信号を電圧信号に変換して増幅する。信号処理部ＳＰは、増幅部ＡＭＰから出力された電圧信号が入力され、当該電圧信号を減衰させ、オフセットを付与し、遅延させて出力する。比較部ＣＯＭＰは、増幅部ＡＭＰから出力された電圧信号が入力される第一入力端ＣＯＭＰ１と、信号処理部ＳＰから出力された電圧信号が入力される第二入力端ＣＯＭＰ２と、を有し、第一及び第二入力端ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２に入力された電圧信号を比較して、受信信号を出力する。 （もっと読む）