【課題】 高効率なレーザビームを出力可能な半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この半導体レーザ素子は、半導体からなる下部クラッド層Ｂと、半導体からなる上部クラッド層Ｃと、下部クラッド層Ｂと上部クラッド層Ａとにより挟まれ、積層された複数の半導体層からなり、下部クラッド層Ｂ及び上部クラッド層Ｃのいずれよりも平均屈折率が高いコア層Ａとを備えている。コア層Ａは、量子井戸層からなる活性層３Ｂと、フォトニック結晶層４とを含み、動作時におけるコア層Ａ内の厚み方向の電界強度分布が、２つのピークを有しており、ピーク間の谷の位置は、活性層３Ｂとフォトニック結晶層４との間の領域内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に発生したキャリアが流れ込む半導体領域を半導体基板の一方の主面側に配置した上で、放射線の入射位置を２次元で検出することが可能な放射線検出器を提供すること。
【解決手段】放射線検出器ＲＤ１は、第一導電型の半導体基板１と、半導体基板１と接合を構成する複数の第二導電型の半導体領域１０と、対応する半導体領域１０に接合された複数の電極２１，２３とを備える。電極２１，２３は、第一主面１ａに直交する方向から見て、対応する半導体領域１０を覆う。半導体領域１０は、２次元配列された複数の第一及び第二半導体領域１１，１３を含む。複数の第一半導体領域１１のうち２次元配列における第一方向に配列された第一半導体領域１１同士が互いに電気的に接続され、複数の第二半導体領域１３のうち第一方向に交差する第二方向に配列された第二半導体領域１３同士が互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】設計自由度を低下させることなく、感度の向上を図ることができる受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子１は、入射光を表面プラズモンに変換する周期構造領域１ａと、周期構造領域１ａの外縁に沿うように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域１ｂと、周期構造領域１ａの内側に位置するように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域１ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】半導体基板２を絶縁層４が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板２を貫通して絶縁層４に至る孔Ｈ１を光感応領域Ｓ１に対応する位置に形成する。次に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７に、不規則な凹凸２２を形成する。絶縁層４のｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層４が除去されると共に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸２２が面７の全面に形成される。次に、不規則な凹凸２２が形成された基板を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】水晶で形成された加工対象物を寸法精度よく切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】水晶で形成された加工対象物１にレーザ光Ｌを集光させることにより、切断予定ライン５に沿って、複数の改質スポットＳを含む改質領域７を加工対象物１に形成する。このとき、加工対象物１に対しレーザ光Ｌを照射しながら切断予定ライン５に沿って相対移動させ、加工対象物１の内部に位置する複数の改質スポットＳ１を切断予定ライン５に沿って形成した後、加工対象物１に対しレーザ光Ｌを照射しながら切断予定ライン５に沿って相対移動させ、加工対象物１の表面３に露出する複数の改質スポットＳ２を、表面３に露出する亀裂が形成されないように切断予定ライン５に沿って形成する。 （もっと読む）

【課題】水晶で形成された加工対象物を寸法精度よく切断すると共に、その外表面にダメージが生じるのを抑制することが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】水晶で形成された加工対象物１に対し表面３をレーザ光入射面としてレーザ光Ｌを集光させ、加工対象物１における粗面としての裏面２１側に改質領域７を切断予定ライン５に沿って形成する。これにより、表面３に露出する亀裂が生じるのを抑制し、切断後の加工対象物１の寸法精度を高める。加えて、水晶はレーザ光Ｌの加工閾値が高いためにレーザ光Ｌのエネルギが改質領域７の形成で大きく消費されると共に、裏面２１が粗面であるために裏面２１に到達したレーザ光Ｌが散乱することから、裏面２１にダメージが生じることも少ない。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、複数の光検出チャンネルＣＨがｎ型半導体層３２を有する基板Ｓを備える。フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ⁻型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。ｐ⁻型半導体層３３は、ｎ型半導体層３２との界面でｐｎ接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域ＡＭを光検出チャンネルに対応して複数有する。ｎ型半導体層３２の表面には不規則な凹凸１０が形成されており、当該表面は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＳＰ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１及び第２主面２１ａ，２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備え、表面入射型である。シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成され、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。シリコン基板２１の第２主面２１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】高スループットで高品質のレーザ加工をすることができて装置の小型化が可能であるレーザ加工装置等を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１は、レーザ光源１０、位相変調型の空間光変調器２０、駆動部２１、制御部２２、結像光学系３０を備える。結像光学系３０はテレセントリック光学系を含む。駆動部２１に含まれる記憶部２１Ａは、複数の基本加工パターンそれぞれに対応する複数の基本ホログラムを記憶するとともに、フレネルレンズパターンに相当する集光用ホログラムを記憶する。制御部２２は、記憶部２１Ａにより記憶された複数の基本ホログラムのうちから選択した２以上の基本ホログラムを並列配置し、その並列配置した各基本ホログラムに集光用ホログラムを重畳して全体ホログラムを構成し、その構成した全体ホログラムを空間光変調器２０に呈示させる。 （もっと読む）

【課題】水晶で形成された加工対象物を寸法精度よく切断する。
【解決手段】本実施形態では、水晶で形成された加工対象物１にレーザ光Ｌを集光させることにより、切断予定ライン５に沿って、複数の改質スポットＳを含む改質領域７を加工対象物１に形成する。このとき、加工対象物１に対しレーザ光Ｌを照射しながら切断予定ライン５に沿って相対移動させ、複数の改質スポットＳを切断予定ライン５に沿って２μｍ〜９μｍのピッチで形成する。これにより、形成する複数の改質スポットＳのピッチを最適化し、これら複数の改質スポットＳの間で亀裂を好適に繋げることができる。 （もっと読む）