【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＳＰ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１及び第２主面２１ａ，２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備え、表面入射型である。シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成され、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。シリコン基板２１の第２主面２１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】高スループットで高品質のレーザ加工をすることができて装置の小型化が可能であるレーザ加工装置等を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１は、レーザ光源１０、位相変調型の空間光変調器２０、駆動部２１、制御部２２、結像光学系３０を備える。結像光学系３０はテレセントリック光学系を含む。駆動部２１に含まれる記憶部２１Ａは、複数の基本加工パターンそれぞれに対応する複数の基本ホログラムを記憶するとともに、フレネルレンズパターンに相当する集光用ホログラムを記憶する。制御部２２は、記憶部２１Ａにより記憶された複数の基本ホログラムのうちから選択した２以上の基本ホログラムを並列配置し、その並列配置した各基本ホログラムに集光用ホログラムを重畳して全体ホログラムを構成し、その構成した全体ホログラムを空間光変調器２０に呈示させる。 （もっと読む）

【課題】第２ミラー層の電気抵抗の低減と反射率の向上とを両立する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型の下部ＤＢＲ層と、電流の供給によって光を発する共振部と、ｐ型の上部ＤＢＲ層とが半導体基板上に順に積層された半導体発光素子であって、上部ＤＢＲ層には、第１屈折率を有する第１半導体層１４１と、第１屈折率よりも大きい第２屈折率を有する第２半導体層１４２とが、中間層１４３を介在して積層方向に交互に配置され、中間層１４３および第１半導体層１４１はＡｌを含み、中間層１４３のＡｌ組成比は、第２半導体層１４２側の面から第１半導体層１４１側の面に向かって増加し、第１半導体層１４１のＡｌ組成比は、一方の中間層１４３Ｂ側の面および中間層１４３Ａ側の面から厚み方向の中心に向かって増加する。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図ると共に、液体中の物体にダメージを与えることなく連続的なサンプリングと測定を可能とする測定用容器を提供する。
【解決手段】ピストン３は、容器本体部２の内部を移動することによって、流入口４からの液体の給液と、排出口６からの液体の排液を行うことができる。このように、ピストン３の移動によって給液と排液を繰返すことができるため、液体を連続的にサンプリングすると共に測定することが可能となる。また、ピストン動作によって吸引して液体を給液する方式では、他の方式とは異なり、細胞などの液体中の物体にダメージを与えることなく給液することが可能となる。更に、ピストン３が往復動する容器本体部２自体が、試料室を構成している。すなわち、送液機構と試料室を統合することで、構造の単純化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】良好なランプの点灯を可能とすると同時に、十分に広い有効発光範囲を確保できる発光装置を提供する。
【解決手段】エキシマランプ１は、前面２ｂに光通過電極３０が形成され、背面２ｃに背面電極３が配置されるランプ筐体２を備えている。また、エキシマランプ１は、そのランプ筐体２から外側へ向かって突出し、延在する管状部２０を備えている。管状部２０は、ランプ筐体２から外側へ延在しているため、ランプ筐体２の放電電極（光通過電極３０、背面電極３）から十分な距離を確保することが可能である。トリガ電極４０は、このような管状部２０の外表面と点接触している。すなわち、ランプ筐体２に設けられている放電電極３，３０の形状や大きさに関わらず、トリガ電極４０の接触点Ｐ２を放電電極３，３０から十分に離間させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】切断予定ラインに沿った加工対象物の高精度な切断を可能とする。
【解決手段】レーザ加工装置は、表面３及び裏面２１を備える板状の加工対象物１の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、加工対象物１の切断予定ライン５に沿って、切断の起点となる改質領域を加工対象物１の内部に形成する。レーザ加工装置は、裏面２１からレーザ光を入射し、切断予定ライン５に沿って、加工対象物１の厚さ方向に並ぶ溶融処理領域１３_１，１３_２を形成する。その後に、裏面２１から前記レーザ光を入射し且つ溶融処理領域１３_１もしくは溶融処理領域１３_２の何れかを通過させることで、切断予定ライン５に沿って、溶融処理領域１３_１，１３_２間に位置する溶融処理領域１３_３を形成すると共に、溶融処理領域１３_３を形成する際、少なくとも溶融処理領域１３_１，１３_２間に渡る割れ２４を発生させる。 （もっと読む）

【課題】外部回路や載置部材などのコストや準備期間を容易に削減することが可能な固体撮像素子及び固体撮像素子の実装構造を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子ＩＳ１は、光感応領域３を有する半導体基板１と、半導体基板１の主面１ａ上に配列された複数の第一電極パッド１０と、半導体基板１の主面１ａ上に、複数の第一電極パッド１０が配列された方向に沿う方向に配列された複数の第二電極パッド１２と、複数の第一電極パッド１０と複数の第二電極パッド１２とを１対１に接続する複数の配線１４と、を備えている。複数の配線１４は、複数の第一及び第二電極パッド１０，１２の配列方向に直交する中心線ｌに対して線対称となる位置関係にある第一電極パッド１０と第二電極パッド１２とを接続している。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムを焼損することなく樹脂フィルム同士を溶着することが可能なレーザ包装方法を提供する。
【解決手段】レーザ包装方法は、上面側に吸引孔を有するヒートシンク１０上に樹脂フィルムＦａ、被包装物Ｗ及び樹脂フィルムＦｂを順次に重ねて配置する配置工程と、ヒートシンク１０の吸引孔により樹脂フィルムＦａを吸引することによって、樹脂フィルムＦａをヒートシンク１０の上面に吸着させる吸着工程と、樹脂フィルムＦａ，Ｆｂ間を減圧することによって、樹脂フィルムＦａ，Ｆｂと被包装物Ｗとを密着させると共に樹脂フィルムＦａ，Ｆｂ同士を密着させる密着工程と、ヒートシンク１０の吸引孔及び被包装物Ｗを避けるように、樹脂フィルムＦａ，Ｆｂに対して樹脂フィルムＦｂ側からレーザ光を照射することによって、樹脂フィルムＦａ，Ｆｂ同士を溶着する溶着工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物を切断する際のスループットを向上可能であると共に材料のロスを低減可能な加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】切断予定面５Ａに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定面５Ａに沿って改質領域７を形成する。レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと該一の照射点ＬＰに最も近い他の照射点ＬＰとのピッチを、改質領域７から生じた割れがｃ面割に沿って延びるピッチＰＴとする。そのｃ面割れが、インゴット１の切断予定面５Ａに沿っての切断を容易化するため、スループットを向上させることができる。また、切断予定面５Ａに沿ったｃ面割れが生じているので、切断予定面５Ａに沿って正確にインゴット１を切断することができる。このため、切断面を平坦化するための研磨の量が少なくてすむので、材料のロスを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】特性の高いフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】アバランシェフォトダイオードに一端が電気的に接続され、その光入射面上に配置された抵抗４と、抵抗４の他端に接続された信号導線の読み出し部３ａとを備え、エピタキシャル半導体層上に形成された第１の絶縁膜１６ａと、第１の絶縁膜１６ａ上に形成された第２の絶縁膜１６ｂとを備え、抵抗４は、第１の絶縁膜１６ａと第２の絶縁膜１６ｂとの間に介在し、信号導線３は、第２の絶縁膜１６ｂ上に設けられている。 （もっと読む）