説明

株式会社フジミインコーポレーテッドにより出願された特許

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【課題】半導体デバイスにおけるタングステンプラグ又はタングステン配線を形成するプロセス、特に同プロセスにおけるバフ工程において好適に使用することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物には、砥粒、鉄イオン源、及び鉄イオンをキレートする酸(好ましくはクエン酸又は1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸)が配合されている一方、過酸化水素は含まれていない。研磨用組成物に配合される鉄イオン源の量は、鉄イオン濃度に換算して10ppm以上2000ppm未満である。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの配線を形成するための研磨で好適に使用することができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、以下の化学式(1)で表される化合物である保護膜形成剤を含有する。化学式(1)において、Rはヒドロキシル基またはアミノ基であり、R〜Rはそれぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、ハロゲン基、炭素原子数が1〜4のアルキル基、または以下の化学式(2)もしくは化学式(3)で表される官能基のいずれかである。
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【課題】優れた研磨速度と沈降安定性を両立したコロイダルシリカを含んだ研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物はコロイダルシリカを含有する。コロイダルシリカの平均アスペクト比をA(無次元)、コロイダルシリカの平均粒子径をD(単位:nm)、コロイダルシリカの粒子径の標準偏差をE(単位:nm)、コロイダルシリカ中に占める粒子径が1〜300nmである粒子の体積割合をF(単位:%)としたときに、式:A×D×E×Fで求められる値は350,000以上である。また、コロイダルシリカ中に占める粒子径が1〜300nmである粒子の体積割合は90%以上である。 (もっと読む)


【課題】窒化ケイ素を高速度で研磨することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、スルホン酸やカルボン酸のような有機酸を固定化したコロイダルシリカを含有し、pHが6以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの配線を形成するための研磨で好適に使用することができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、水溶性ポリマー、研磨促進剤および酸化剤を含有する。水溶性ポリマーは、150mgKOH/1g・solid以上のアミン価を有するポリアミドポリアミンポリマーである。 (もっと読む)


【課題】コールドスプレーにより厚膜の皮膜を効率的に形成することが可能なコールドスプレー用金属粉末を提供する。
【解決手段】本発明のコールドスプレー用金属粉末は、第1の平均径を有する第1の金属粒子を20〜70質量%の量で含有し、残部が第1の平均径よりも大きな第2の平均径を有する第2の金属粒子からなることにより、粒子径がバイモーダルに分布している。第2の金属粒子の平均径は、200μm以下でかつ第1の金属粒子の平均径の1.5倍以上である。第2の金属粒子のビッカース硬さは、第1の金属粒子のビッカース硬さと同じかそれ以上でかつ1400以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】低温プロセス溶射により厚膜の溶射皮膜を効率的に形成することが可能な溶射用粉末を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末は、500〜5000N/mmの押し込み硬さを有する金属を含んだ造粒−焼結サーメット粒子からなる。造粒−焼結サーメット粒子の平均径は30μm以下である。造粒−焼結サーメット粒子中の一次粒子の平均径は6μm以下である。造粒−焼結サーメット粒子の圧縮強度は100〜600MPaである。造粒−焼結サーメット粒子中に含まれる金属は、コバルト、ニッケル、鉄、アルミニウム、銅及び銀の少なくとも一種を含むことが好ましい。溶射用粉末は、作動ガスとして窒素ガスを用いたコールドスプレー用途のような低温プロセス溶射用途で使用される。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの配線を形成するための研磨で好適に使用することができる研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、研磨促進剤と、ジシアンジアミドなどのグアニジン構造を有する重合性化合物に由来する構成単位を含んだ水溶性ポリマーと、酸化剤とを含有する。水溶性ポリマーは、ジシアンジアミドに由来する構成単位と、ホルムアルデヒド、ジアミン又はポリアミンに由来する構成単位とを含むものであってもよい。 (もっと読む)


【課題】銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハの研磨時に起こりうるウェーハの銅汚染を抑えることが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨方法では、0.02〜0.6質量%の過酸化水素を含有した研磨用組成物を用いて、銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハを研磨する。研磨用組成物は、錯化剤、無機電解質及び砥粒の少なくともいずれかをさらに含有することが好ましい。研磨用組成物のpHは10以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】砥粒の高い保持力、高い研削力及び研削後の高い表面精度の全てを満たすことができるレジンボンド砥石及びそれを用いた研削方法の提供。
【解決手段】本発明によれば、樹脂結合層が熱硬化樹脂からなり、前記樹脂結合層中に砥粒および金属粉が分散配置されているレジンボンド砥石が提供される。この砥石に含まれる金属粉は、金属粒子の粒度分布において45μm以上の非球状金属粉粒子の重量比率が50%を超えて含み、且つ、前記金属粒子の1粒子当たりの表面積Xと、前記金属粒子の平均粒子径より算出した真球としての1粒子当たりの表面積Yとの比X/Yが10以上である。 (もっと読む)


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