説明

株式会社フジミインコーポレーテッドにより出願された特許

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【課題】砥粒の高い保持力、高い研削力及び研削後の高い表面精度の全てを満たすことができるレジンボンド砥石及びそれを用いた研削方法の提供。
【解決手段】本発明によれば、樹脂結合層が熱硬化樹脂からなり、前記樹脂結合層中に砥粒および金属粉が分散配置されているレジンボンド砥石が提供される。この砥石に含まれる金属粉は、金属粒子の粒度分布において45μm以上の非球状金属粉粒子の重量比率が50%を超えて含み、且つ、前記金属粒子の1粒子当たりの表面積Xと、前記金属粒子の平均粒子径より算出した真球としての1粒子当たりの表面積Yとの比X/Yが10以上である。 (もっと読む)


【課題】研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができるのに加えて、研磨後の研磨対象物に付着して研磨対象物上に残留する砥粒を洗浄により効率よく除去することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物中に含まれる砥粒は、研磨時の砥粒のゼータ電位をX1[mV]、研磨時の研磨対象物のゼータ電位をY1[mV]としたときにX1×Y1≦0の関係が成り立ち、かつ、洗浄時の砥粒のゼータ電位をX2[mV]、洗浄時の研磨対象物のゼータ電位をY2[mV]としたときにX2×Y2>0の関係が成り立つように選択されている。砥粒は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素又はダイヤモンドからなることが好ましい。また、研磨対象物は、ニッケル含有合金、酸化ケイ素又は酸化アルミニウムからなることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】研磨後の半導体基板表面のヘイズを低減することが可能であるのに加えて、同表面へのパーティクルの付着も抑えることが可能な研磨用組成物、及びそのような研磨用組成物を用いて半導体基板を研磨する方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、分子量が1,000以上100,000未満でかつHLB値が17以上のノニオン活性剤、塩基性化合物及び水を含有する。ノニオン活性剤は、オキシアルキレンの単独重合体又は複数の種類のオキシアルキレンの共重合体であることが好ましい。研磨用組成物は、二酸化ケイ素及び水溶性高分子の少なくともいずれか一方をさらに含有してもよい。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドの目詰まりに起因する研磨速度の著しい低下を抑制可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨パッドの目詰まり低減方法を提供する。
【解決手段】この研磨用組成物は、研磨パッドによる基板の研磨に使用され、コロイダルシリカを含有している。前記コロイダルシリカの粒子径は、BET法に基づいて算出された平均一次粒子径と、レーザー光回折法に基づいて測定された平均二次粒子径とで示される。平均一次粒子径をDSAで表し、平均二次粒子径をDN4で表したとき、DSA及びDN4の間には、DSA≦DN4の関係が成立する。さらにDN4は30nm以下である。 (もっと読む)


【課題】研磨後の研磨対象物の平坦性を改善することが可能であるのに加えて研磨により研磨対象物に生じる表面欠陥を低減することが可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、酸化剤、防食剤及び化学式1:


で表される化合物からなる界面活性剤を含有する。化学式1のR〜Rのうちの1〜3つはアルキル基、アルキニル基、アルケニル基、アリール基又はアリールアルキレン基であり、1つは水素原子又は炭素数1〜9個のアルキル基であり、残りは水素原子であり、O−Rはオキシエチレン、オキシプロピレン、又はオキシエチレンとオキシプロピレンのランダムもしくはブロック結合体であり、nは1以上の整数であり、XはOSO基、OPO2−基又はOH基である。 (もっと読む)


【課題】コバルトと比較して低価格で安定し、かつ産出量が多く安定した供給が可能なコバルトの代替となる金属を含有しながら、コバルトを含有したサーメット粉末から形成される溶射皮膜と比べて同等又はより優れた性能を有する溶射皮膜を形成することが可能な溶射用粉末を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末は、サーメットの造粒−焼結粒子からなり、タングステンカーバイド又はクロムカーバイドと、シリコンを含有した鉄基合金とを含有する。溶射用粉末中の前記合金の含有量は5〜40質量%であることが好ましい。その場合、前記合金はシリコンを0.1〜10質量%の量で含有する。 (もっと読む)


【課題】硬度及び耐摩耗性に優れた溶射皮膜を形成するのに適した溶射用粉末を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末は、造粒−焼結サーメット粒子からなる。造粒−焼結サーメット粒子の平均粒子径は5〜25μmである。造粒−焼結粒子は50MPa以上の圧縮強度を有する。150グラムの溶射用粉末をスポット溶射したときに得られる溶射皮膜の最大厚さを同溶射皮膜の輪郭線上に両端を有する線分の長さのうち最大のもので除することにより得られる値として定義する造粒−焼結サーメット粒子の直進性の値は0.25以上である。造粒−焼結サーメット粒子の平均アスペクト比は、好ましくは1.25以下である。溶射用粉末は、好ましくは高速フレーム溶射又はコールドスプレー溶射により溶射皮膜を形成する用途で使用される。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造装置やフラットパネルディスプレイデバイス製造装置などのプラズマエロージョンを防止する目的において有用な溶射皮膜の形成に適した溶射用粉末を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末は酸化イットリウム粒子からなる。酸化イットリウム粒子のBET比表面積は1〜25m/gである。溶射用粉末の50%粒子径に対する溶射用粉末の90%粒子径の比率であるD90/D50の値は4以下である。溶射用粉末の安息角は55度以下である。溶射用粉末の分散度は4%以上である。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造装置やフラットパネルディスプレイデバイス製造装置などのプラズマエロージョンを防止する目的において有用な溶射皮膜の形成に適した溶射用スラリーを提供する。
【解決手段】本発明の溶射用スラリーは、酸化イットリウム粒子及び分散媒を含有する。酸化イットリウム粒子の純度は95質量%以上であり、酸化イットリウム粒子の平均粒子径は6μm以下であり、溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量は1.5〜30体積%である。酸化イットリウム粒子のBET比表面積は、好ましくは1〜25m/gである。また、液圧測定法による溶射用スラリーの相対堆積割合は、好ましくは30%以下である。 (もっと読む)


【課題】高平滑でかつ低欠陥の研磨面を得るために研磨対象物を研磨する用途で砥粒として好適に使用することの可能なアルミナ粒子を製造するのに適したアルミナ粒子の製造方法、及びそのようなアルミナ粒子の原料として有用なベーマイト粒子を製造するのに適したベーマイト粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のベーマイト粒子の製造方法では、水酸化アルミニウム粉末を核生成剤とともに水熱反応に供することにより、一次粒子の形状が六面体をなす平均一次粒子径が0.6μm以下のベーマイト粒子が製造される。本発明のアルミナ粒子の製造方法は、上記の方法で得られるベーマイト粒子を乾燥する工程と、乾燥後のベーマイト粒子をか焼してアルミナ粒子を得る工程と、得られたアルミナ粒子を解砕する工程とを備える。 (もっと読む)


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