【課題】タングステンを含むウエハを研磨する用途により適した研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、コロイダルシリカと過酸化水素とを含有する。研磨用組成物のｐＨは５〜８．５であり、研磨用組成物中の鉄イオン濃度は０．０２ｐｐｍ以下である。研磨用組成物は、リン酸又はリン酸塩をさらに含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造装置や液晶デバイス製造装置などのプラズマエロージョンを防止する目的において有用な溶射皮膜の形成に適した溶射用粉末、その溶射用粉末を用いた溶射皮膜の形成方法、及びその溶射用粉末から形成される溶射皮膜を備えた耐プラズマ性部材を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末は、原子番号６０〜７０のいずれかの希土類元素の酸化物からなる造粒−焼結粒子を含有する。造粒−焼結粒子を構成する一次粒子の平均粒子径は２〜１０μｍ、造粒−焼結粒子の圧壊強度は７〜５０ＭＰａである。溶射用粉末の真比重に対する嵩比重の比は０．１０〜０．３０が好ましい。造粒−焼結粒子中の細孔の直径についての頻度分布は１μｍ以上に極大を有することが好ましい。溶射用粉末は、好ましくはプラズマ溶射で溶射皮膜を形成する用途で用いられる。本発明の耐プラズマ性部材１１は、上記溶射用粉末を溶射して形成される溶射皮膜１３を備える。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜に対してシリコン酸化膜を選択的に研磨可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シリカ及びセリアから選ばれる砥粒と、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物から選ばれるアルカリと、ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、ポリ（オキシエチレンオキシプロピレン）変性シリコーンオイル、エポキシ／ポリエーテル変性シリコーンオイル及びアミノ／ポリエーテル変性シリコーンオイルから選ばれる有機変性シリコーンオイルとを含有する。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマエロージョン性に優れた溶射皮膜の形成に適した溶射用粉末及び溶射皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末は、原子番号３９，５９〜７０のいずれかの希土類元素の酸化物からなる粒子を含有してなる。溶射用粉末中の粒子の圧壊強度は８０ＭＰａ以上であり、溶射用粉末の真比重に対する嵩比重の比は０．１５以上である。溶射用粉末中の粒子は造粒−焼結粒子であることが好ましく、その造粒−焼結粒子を構成する一次粒子の平均粒子径は６μｍ以下であることが好ましい。溶射用粉末は、好ましくはプラズマ溶射により溶射皮膜を形成する用途で用いられる。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素膜を研磨する用途、特にシリコン基板又はポリシリコン膜上に設けられた二酸化ケイ素膜を研磨する用途に適した研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、会合度が１よりも大きいコロイダルシリカ及び酸を含有し、ｐＨが１〜４である。前記酸はカルボン酸及びスルホン酸から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。この研磨用組成物は、アニオン界面活性剤をさらに含有することが好ましい。前記アニオン界面活性剤は硫酸エステル塩又はスルホン酸塩であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ロール用途用のＷＣ系サーメット溶射皮膜の形成に適した溶射用粉末及びその溶射用粉末を用いて形成される溶射皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末はサーメット粒子を含有するものであり、そのサーメット粒子は、コバルト、クロム及びニッケルの少なくともいずれか一種を含む金属と炭化タングステンとを含有する。溶射用粉末中の全サーメット粒子の積算重量に対する粒子径２５μｍ以上のサーメット粒子の積算重量の比率は０．５〜１５％である。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度が１０ｐｐｂ以下である。あるいは、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下である。研磨用組成物は、ヒドロキシエチルセルロースのような水溶性高分子、アンモニアのようなアルカリ、及びコロイダルシリカのような砥粒を好ましくは含有する。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤ（light point defects）の数を低減することが可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子と、アルカリとを含有する。 （もっと読む）

【課題】半導体配線プロセスにおいて銅からなる導体層を研磨する用途でより好適に使用することができる研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸アンモニウムなどのアニオン界面活性剤、ベンゾトリアゾールなどの保護膜形成剤、及びポリオキシエチレンアルキルエーテルなどのノニオン界面活性剤を含有する。研磨用組成物のｐＨは２〜９である。 （もっと読む）

【課題】半導体配線プロセスにおいて銅からなる導体層を研磨する用途でより好適に使用することができる研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸アンモニウムなどのアニオン界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテルなどのノニオン界面活性剤を含有しており、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面の水接触角は６０度以下となるように調製されている。 （もっと読む）