説明

豊田合成株式会社により出願された特許

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【課題】折り畳まれたエアバッグを、捻ることなく、容易に、ケースに収納可能な頭部保護エアバッグ装置を提供すること。
【解決手段】頭部保護エアバッグ装置は、エアバッグ20が、折り畳まれた状態で、下方側を開口させた断面逆U字状の合成樹脂製のケース41に収納される。エアバッグは、複数の取付部を、ケースの内周側から外周側へ突出させて、車両のボディ側に取り付けることにより、ケースとともに、車両に搭載される。ケースには、エアバッグの上縁側の係止孔29bに挿入されてエアバッグの上縁側を係止する係止突起50を突設させて、内周側に撓み可能な片持ち梁状の係止片部49が、配設される。エアバッグは、係止孔29bに係止突起50を貫通させ、かつ、係止孔の周縁29aを、開口部47,48を経て係止片部49の外周面49c側に配置させた状態として、ケース41内に収納されて、車両に搭載される。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低減すること。
【解決手段】pクラッド層15は、厚さ0.5〜10nmのp−AlGaN層と、InGaN層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。p−AlGaN層の成長温度は800〜950℃とする。p−AlGaN層上にInGaN層を形成する際、p−AlGaN層の成長温度を保持したまま、TMAの供給を停止してTMIを供給し、Ga源ガスの供給量を増やし、厚さ1〜2分子層のInGaN層を形成する。pクラッド層15の結晶品質を良好に保ちつつ、厚さを薄くできるため、駆動電圧を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】組み付け時の意匠表面の傷つきを防止し品質を安定させるとともに、各種形状のドアパネルのロックに共用できるようにし安価とする。
【解決手段】操作ノブ2とリンク部材4とが一体化したノブユニット1を形成し、そのノブユニット1をドアパネルに固定するようにした。 (もっと読む)


【課題】膨張を完了させたエアバッグが、中間ピラー部に対して前後に位置ずれすることを的確に抑制可能な頭部保護エアバッグ装置を提供すること。
【解決手段】頭部保護エアバッグ装置Mは、前後にサイドウィンドW1,W2を配置させた中間ピラー部CPを有する車両Vに搭載される。サイドウィンドW1,W2の上縁側に折り畳まれて収納されるエアバッグ19が、膨張完了時の前縁側を、サイドウィンドW1,W2の上縁側より下方となる位置で、フロントピラー部FP側に連結される。エアバッグ19が、遮蔽膨張部21と、膨張完了時に遮蔽膨張部21から車外側に突出するように膨張して中間ピラー部CPの前後両側に配置される支持膨張部22F,22Bと、を備える。支持膨張部22F,22Bが、膨張完了時の遮蔽膨張部21の中間ピラー部CPに対する前後方向へのずれを抑制可能に、中間ピラー部CPに位置規制される。 (もっと読む)


【課題】エアバッグの内圧を適切に調圧することのできるサイドエアバッグ装置を提供する。
【解決手段】膨張用ガスにより膨張するエアバッグ40の膨張部46は、仕切壁50により上流側膨張部47及び下流側膨張部48に仕切られる。仕切壁50は、膨張部46による乗員の拘束に際し、側方から乗員に押圧される箇所に設けられた2枚のシート材56,57によって構成される。仕切壁50には、両シート材56,57の端部58,59を互いに前後方向に重ね合わせてなる帯状のラップ部61が設けられる。ラップ部61には、上流側膨張部47の膨張時であって乗員を拘束する前には、同上流側膨張部47内の膨張用ガスにより押圧されて互いに接触し、同上流側膨張部47が膨張して乗員を拘束するときには、その拘束に伴い加わる外力により撓んで互いに離間する一対の弁体部64,65を備えてなる調圧弁66が設けられる。 (もっと読む)


【課題】インフレータのフランジよりも前方側に配置されるステアリングホイールの構成部品との接触による制振性能の低下を抑制する。
【解決手段】エアバッグ装置20は、ステアリングホイール内に配設されるバックホルダ40と、バックホルダ40に取付けられるエアバッグ37と、エアバッグ37にガスGを供給して、同エアバッグ37を後方へ膨張させるインフレータ30と、インフレータ30の周壁部31に設けられたフランジ33において同インフレータ30をバックホルダ40に弾性支持する弾性支持部55とを備える。バックホルダ40には、ステアリングシャフトの径方向についてフランジ33よりも外方となる箇所から後方へ延びる環状の壁部43を設ける。弾性支持部55を壁部43の後端とフランジ33との間に設け、弾性支持部55の一部を、弾性材からなる環状の弾性連結部64により構成する。 (もっと読む)


【課題】気密性検査を容易に行うことが可能で小型な外装用ランプを低コストに提供する。
【解決手段】ランプ本体11は、発光素子16が実装される回路基板15と、回路基板16が取付固定されるケース13と、発光素子16の光照射側に配置されたレンズ本体18aを備え、回路基板16を覆うようにケース13に取付固定されるレンズカバー18と、ケース13と一体形成された底部14aと筒体14bとを備える有底筒状の雄側コネクタ14と、底部14aに挿通されて一端部が筒体14b内に突出すると共に他端部が回路基板16に接続されるコネクタピン14cと、筒体14b内とケース13内とを連通する気密性検査用孔14dとを有する。雌側コネクタ12は、ランプ本体11に取付固定されて雄側コネクタ14と接続され、気密性検査用孔14dを閉塞する先端部12aを有する。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させること
【解決手段】各層はIII 族窒化物半導体から成り、n型層側クラッド層103、Alx Ga1-x N(0<x<1)層を障壁層141とする多重量子構造を有した発光層104、p型層側クラッド層106を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。発光層104は、n型層側クラッド層103からp型層側クラッド層106の方向の厚さ方向に沿って、3区分の第1区分、第2区分、第3区分に分ける時、第1区分と第3区分における障壁層141の層数を等しくし、第1区分における障壁層141のAl組成比をx、第2区分における障壁層141のAl組成比をy、第3区分における障壁層141のAl組成比をzとする時、x+z=2y、且つ、z<xを満たすように、それぞれの障壁層141のAl組成比を設定した。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体発光素子の光出力を特定の方向において強く、光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】サファイア基板上に発光層を有するIII族窒化物半導体からなる積層構造が形成されたIII族窒化物半導体発光素子において、サファイア基板の積層構造側の表面に、発光層から出力された光に対して光強度の干渉パターンを生じる周期で2次元配列された凸部の周期構造を設けた。これにより、この2次元周期構造で反射された光、又は、透過した光は干渉パターンを有する。この干渉パターンにおける光強度の強い領域に光が集光されているので、この領域の光を外部に効果的に出力させることで、所望の指向性を得ることができると共に、取り出し効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】結晶成長の終了後にGaN結晶を安全に取り出すことができること。
【解決手段】Naフラックス法によるGaN基板の育成終了後、温度500℃、圧力10PaでNaを蒸発させた。そして、排気管14を通して気体のNaを排出し、冷却器15によってNaを液化してNa回収タンク17によりNaを回収した。その後、圧力を大気圧に戻し、加熱を停止して温度を常温まで下げ、反応容器10を開封して中から坩堝11を取り出した。このとき、坩堝11内にはNaはほとんど残留していないため、GaN基板を短時間で安全に取り出すことができる。また、回収したNaは高純度であり、フラックスとして再利用することができる。 (もっと読む)


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