説明

ティーエムシー株式会社により出願された特許

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【課題】金属坩堝を1000℃以上の高温で使用するための坩堝炉において、高温時の坩堝近傍の雰囲気を制御すると共に、ルツボ内の温度制御の精密化、ルツボの長寿命化が可能となる坩堝炉を提供する。
【解決手段】1000℃以上の高温において、金属坩堝4中で化合物の処理を行うための坩堝炉であって、坩堝4の周辺に耐熱性で着脱可能な薄い緻密質セラミックスからなる第一のスリーブ1を置き、該第一のスリーブ1の外側に断熱材からなる第二のスリーブ2並びに加熱装置3を置いたことを特徴とする坩堝炉である。 (もっと読む)


【課題】主としてリチウムイオン電池の負極として使用するための清浄で微細なシリコンを効率よく製造する、製造方法を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は、切削、又は研削により微粉化した結晶性シリコンを分散液中で解砕し分散させることによってより分散度を高めた後、該分散液を重力分級法により見かけ粒径0.1〜20μmの微細なシリコンをシリコン分散液として採取すると共に、粗な部分の少なくとも一部を分散液中に戻して更に解砕すると共に、分散させる様にした微細シリコンの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】金属発熱部分が無く、一体型で取扱性に優れた、しかも誘導加熱(IH加熱)が可能な、土鍋状の容器並びにその製造方法を提供することを課題とした。
【解決手段】
本発明は底部が平坦であり、導電性セラミックス、及び/又は表面をセラミックス化した金属を少なくとも底部に含有するシリカ・アルミナを主とするセラミックスから成る、誘導加熱により加熱することが出来る土鍋状容器であり、該土鍋状容器の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】超高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に更に多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微粉末の製造装置において(1)金属亜鉛を亜鉛の沸点以上に加熱蒸発して亜鉛ガスを供給する機構と(2)該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、(3)前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、(4)前記反応ガスの温度を300℃〜800℃に下げて生成したシリコン粒子を成長させると共にガス成分の一部と共に沈殿する機構と(5)前記沈殿物を保持すると共に、該沈殿物を950℃以上に加温し、蒸発物を揮散して、固体シリコンを得る機構(6)と、前記蒸発物を含み、未反応ガス等を含む排ガスを系外に排出する排ガス機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微粉末の製造装置である。 (もっと読む)


【課題】高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に、更に、多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微細粒子の製造装置において(1)金属亜鉛を亜鉛の沸点以上で加熱蒸発すると共に生成ガスを加熱して1000℃以上の亜鉛ガスを供給する機構と(2)該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、(3)前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、(4)前記反応ガスの温度を1000℃以下に下げてガス中に生成したシリコン粒を凝集し成長させる機構と(5)前記成長したシリコン粒を反応ガス中に含むガス物質を塩化亜鉛水溶液と接触させ水溶液中にシリコンを沈殿・回収する沈殿回収機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微細粒子の製造装置である。 (もっと読む)


【課題】四塩化ケイ素を亜鉛によって還元し、高純度シリコンを製造する亜鉛還元法シリコン製造において副生する反応排ガスを適正に処理・回収する処理装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は、亜鉛還元法によるシリコン製造に於ける生成排ガスの処理において、該生成排ガスを塩化亜鉛水溶液を循環した塔の上部から導入して吸収させるガス吸収溶解機構、該塩化亜鉛水溶液の循環機構、該生成排ガスを吸収した塩化亜鉛水溶液の濾過機構、該生成排ガスを吸収した塩化亜鉛水溶液の濃度調整機構、並びに前記処理を行った塩化亜鉛水溶液の保持機構を有する排ガスの処理装置である。 (もっと読む)


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