説明

廣▲が▼光電股▲ふん▼有限公司により出願された特許

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【課題】複数の不規則でかつ高低差のある多重量子井戸構造を有するエピタキシャル構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された第1半導体導電層と、多重量子井戸(MQW)で第1半導体導電層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2半導体導電層とを含み、少なくとも1種の異質な材料により形成された複数の微粒子を第1半導体導電層と活性層との間に散布することにより、複数の不規則でかつ高低差のある多重量子井戸を形成する。 (もっと読む)


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