本発明は、化学的および／または電気化学的な処理、特に導電性の層の無電解めっきするための装置（８）内においてプレート状の基板（１０）を搬送するための装置であって、該装置（８）が、回転する少なくとも１つの搬送エレメント（１４）を有していて、該搬送エレメント（１４）が、少なくとも部分的に鉱物ガラスから成っていて、搬送エレメント（１４）の搬送部分（２０）が、プレート状の基板（１０）のための回転対称的な少なくとも１つの載置エレメント（３４；４４）により形成されていて、載置エレメント（３４；４４）が、搬送エレメント（１４）上に被せ嵌められているか、または収縮嵌めされていることを特徴とする、化学的および／または電気化学的な処理のための装置に関する。
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本発明は、腐食保護をもたらす黒い被覆を製造するためのクロム及びコバルトを有さない処理溶液に関する。本発明の処理溶液は、オキソカチオンもしくは複合ハロゲンイオン、又はオキソカチオン及び複合ハロゲンイオンの混合物、酸化剤、並びに有機硫黄化合物を含有する。 （もっと読む）

本発明は、プリント回路板、ＩＣ基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての１μｍ以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解（浸漬）めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 （もっと読む）

本発明は、腐食保護皮膜層を製造する方法であって、処理すべき表面を、クロム（ＩＩＩ）イオン、少なくとも１種のホスファート化合物及びオルガノゾルを含有する水性処理溶液と接触させる。本方法により、金属表面、特に亜鉛含有表面及び化成皮膜の設けられた亜鉛含有表面の防食が改善される。その際、前記表面の装飾的性質及び機能的性質が得られるか又は改善される。そのうえ、クロム（ＶＩ）含有化合物を使用するか又はクロムイオン含有不動態化層及び封孔処理が連続して適用される多段階の方法を使用する際の公知の問題が回避される。 （もっと読む）

本発明は、多層プリント回路板の製造方法及びそれにより形成された物品、特にＩＣ基板に関する。本発明による方法は、個々のプロセスステップにおいて、無機ケイ酸塩及びオルガノシラン結合混合物を利用して、銅の層と誘電性材料との間の付着を提供する。前記方法は、多層プリント回路板及びＩＣ基板の高められた接着強度、改善された機械抵抗及び熱応力耐性並びに耐湿性をもたらす。 （もっと読む）

本発明は、異常ニッケルめっきを抑制する、プリント配線板の銅の造形上へのニッケルの無電解めっき方法を開示する。該方法は、ｉ） 銅の造形をパラジウムイオンで活性化する段階； ｉｉ） 過剰なパラジウムイオンまたはそれらから形成される沈殿物を、少なくとも２つの異なる種類の酸を含む前処理組成物を用いて除去する段階、その際、１つの種類は有機アミノカルボン酸である、およびｉｉｉ） ニッケルの無電解めっきをする段階を含む。
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本発明はシリコン太陽電池に関する。太陽電池は、エミッタ層を備えたシリコン層と、化学的または電気化学的なエッチングによって多孔化された、エミッタ層内の少なくとも１つの領域とを有し、多孔化された領域の少なくとも一部は金属ケイ化物として形成されており、この金属ケイ化物の上に少なくとも１つの金属層が被着されている。
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リン化合物及び場合によりハンダ付け性を高めた化合物を含有する新しい溶液、並びに金属又は金属合金表面のハンダ付け性及び耐食性を増加するための方法におけるその使用を記載している。
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本発明は、無電解金属または金属合金めっき電解質中の安定化添加剤の濃度を測定するボルタメトリ方法に関する。本発明の方法は、ａ）作動電極の表面を調整するステップと、ｂ）作動電極の表面と中間体とを相互作用させるステップと、ｃ）ファラデー電流を測定するステップと、ｄ）ファラデー電流の値を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、処理されるべき表面を、少なくとも１種のクロム（ＩＩＩ）イオン源の他に、弱酸性若しくは酸性の溶液中で亜鉛に対して酸化剤として作用する少なくとも１種の有機化合物を含有する水性処理液と接触させる、腐食保護被覆層を製造する方法に関する。この場合、この表面の装飾的特性及び機能的特性が保たれるか又は改善される。更に、クロム（ＶＩ）含有化合物の使用の際の公知の問題は回避される。 （もっと読む）