日本オクラロ株式会社により出願された特許
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受光素子
【課題】本発明は、高速かつ高感度な面型フォトダイオードを提供するものである。
【解決手段】電極用金属膜と誘電体多層膜から構成される反射ミラーにおいて、誘電体多層膜と金属膜からの反射光の位相を合わせるように誘電体膜の最適化をすることでミラーの高反射率化を図る。この高反射ミラーを用いて、面型フォトダイオードの高速化と高感度化の両立を図る。
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半導体発光素子
【課題】InGaAlAs系からなる引張り歪井戸層を有する半導体発光素子、もしくは、InGaAsP系からなる引張り歪井戸層及びInGaAlAs系からなる障壁層を有する半導体発光素子であって、幅広い温度範囲においても高性能かつ高信頼な半導体発光素子の提供。
【解決手段】半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。
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光受信器
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アバランシェホトダイオード及びこれを用いた光受信モジュール
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光半導体装置、及びその製造方法
【課題】活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。
【解決手段】活性層を含むメサストライプ部18の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層10を、メサストライプ部18と同じ高さまでの第1の層と、第1の層の表面にメサストライプ部18上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第2の層とで構成する。第2の層を成長させない溝28の底面26は平坦で幅広に形成される。コンタクト用電極30は底面26内に配置可能となり、その狭幅化により面積が縮小され、当該電極30の寄生容量が低減される。また、第2の埋め込み層の膜厚を厚くすることにより、パッド電極34とn型基板2との間の寄生容量が低減される。
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光変調装置、光変調装置の制御方法および光送信器
【課題】低周波信号の周波数管理が容易になる光送信器を提供すること。
【解決手段】光送信器は、マッハツェンダ型変調器からなる複数の光変調部と前記複数の光変調部から出力される光を合波する合波部とを含む光変調器と、前記各光変調部に対するランダム信号であって電位がランダムに変化するランダム信号を生成するランダム信号生成部と、前記ランダム信号に基づいて、前記各光変調部に対するランダム性を有する信号を該光変調部に対するバイアス電圧に重畳した電圧を該光変調部に向け出力するバイアス制御部と、前記合波部で合波された光の出力強度と前記各光変調部に対する前記ランダム信号とに基づいて、該光変調部の光出力強度を最大に近づける前記バイアス電圧を決定する復調部と、を含み、前記各光変調部に対するランダム信号は互いに異なる。
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半導体装置
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光伝送モジュール
【課題】電磁波の共振の発生を抑制し、良好な信号伝送特性を得る。
【解決手段】光伝送モジュール1は、レーザ素子20を搭載し、レーザ素子20と接続する線路を形成したレーザ素子搭載基板22と、レーザ素子搭載基板22を支持するステム24と、レーザ素子20を駆動させる駆動回路を備えた駆動回路素子16と、駆動回路素子16を支持するブロック18と、レーザ素子搭載基板22と駆動回路素子16とを接続する導線34と、を含み、ステム24とブロック18との配置間隔を、レーザ素子搭載基板22と駆動回路素子16との配置間隔よりも広くした。
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マルチビーム半導体レーザ装置
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半導体素子及びその製造方法
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