【課題】リードの電気的接続部に生じる応力を抑える。
【解決手段】光送受信モジュールは、配線１２及びグランド電極１４を有する回路基板１０と、光ファイバ２４及び光ファイバ２４と同軸の回転柱面の少なくとも一部を側面に含む筺体２０を有し、筺体２０から引き出された電気的接続のためのリード２８を有し、側面を回路基板１０に向けて回路基板１０に搭載された光モジュール１８と、光モジュール１８と回路基板１０とを固定するための固定具３２と、回路基板１０を収容するケース４０と、を有し、リード２８は、配線１２に電気的に接続され、筺体２０の少なくとも一部及び固定具３２の少なくとも一部は、それぞれ、導電体からなり、固定具３２は、筺体２０を回路基板１０の方向に押圧することで筺体２０の軸周りの回転及び軸方向の移動を規制し、筺体２０とグランド電極１４を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】位相変調される第１の光信号と位相変調される第２の光信号との位相差が所期の位相差に調整されるまでの所要時間、が長くならないようにする。
【解決手段】バイアス設定回路（１０）は、変化量検出回路（２４）により検出される合成光信号のパワーの変化量が小さくなるように、変化量検出回路（２４）により検出される変化量に応じた量のバイアス電圧の増加、又は、変化量検出回路（２４）により検出される変化量に応じた量のバイアス電圧の減少、の選択的な実行を繰り返し行う。但し、バイアス設定回路（１０）は、検出器（１６）により検出される合成光信号のパワーが所定パワー以上である間、変化量検出回路（２４）により検出される変化量に応じた量のバイアス電圧の増加又は変化量検出回路（２４）により検出される変化量に応じた量のバイアス電圧の減少、の選択的な実行を繰り返し行う代わりに、バイアス電圧の増加の実行を繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送が可能な、アンクールドタイプの電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザの提供。
【解決手段】変調器部に位置する活性層の半導体材料及びメサ構造を最適化し、かつ、所定の温度におけるレーザ部の発振波長に対して、レーザ部の利得ピーク波長の適合値及び変調器部のフォトルミネッセンス波長の適合値の範囲を求め、それら適合値の範囲のいずれかの値になるよう設計してレーザ部及び変調器部を作製する。 （もっと読む）

【課題】差動伝送線路が屈曲領域を有する場合にも、２つの差動信号に生じる遅延時間差が抑制されるとともに、高密度な実装を可能とする、差動伝送線路、並びに、それを用いた光送受信モジュール及び情報処理装置の提供。
【解決手段】本発明に係る差動伝送線路は、１対の伝送線導体と、１対の伝送線導体と対向する領域を含んで外方に広がる接地導体層とを備える、差動伝送線路であって、１対の伝送線導体は、第１の幅で互いに平行して第１の方向に延伸するとともに第１の一層上に形成される、第１の直線領域と、１対の伝送線導体の一方は第１の層上に形成され、他の一方は第２の層に形成され、１対の伝送線導体が立体的に交差するとともに、第１の直線領域の前方に配置される第１の交差領域と、を含み、第１の交差領域における１対の伝送導体の幅それぞれは、ともに前記第１の幅より小さい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭｇドープＡｌＧａＮで構成されたｐ型クラッド層１６からなる凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置の特性を向上させる。
【解決手段】ＭｇドープＡｌＧａＮで構成されたｐ型クラッド層１６をドライエッチングしてリッジ部１６Ａを形成した後、熱リン酸を用いてｐ型クラッド層１６の表面をウェットエッチングすることにより、リッジ部１６Ａの両側のｐ型クラッド層１６の深さ（膜厚）の制御性を確保しつつ、リッジ部１６Ａの側面のダメージ層を除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置において、リッジ部とそれに接続される電極とのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】リッジ部１６Ａの上方に厚い膜厚の酸化シリコン膜１８を堆積し、リッジ部１６Ａが形成された領域とその周囲との実効的な段差を大きくする。これにより、リッジ部１６Ａの両側に塗布されたフォトレジスト膜２２の膜厚を厚くすることができるので、フォトレジスト膜２２を露光する際の露光光量を調節することによって、リッジ部１６Ａの両側にフォトレジスト膜２２の未露光部分を残す際、その上面の高さ（未露光部分の膜厚）を高い寸法精度で制御することができる。 （もっと読む）

【課題】直交位相変調された光信号を受信する光受信器にて行われる、受信データを正しく再生するためのパターン同期において、ビットシフトとパターンチェンジの重複する組み合わせを使わず信号導通を高速に確立する。
【解決手段】変調方式とパターン同期検索順序で生じる重複する組み合わせの確認を行わない制御方法であって、２つのデータ列を多重化するＭＵＸ回路が多重化したデータのデータ確認を信号チェック回路が行い、ビットシフト・パターンチェンジ制御回路は、データ確認結果により、ビットシフト回路及びパターンチェンジ回路を制御して、正しい再生データの正しい組み合わせを検出し、信号導通を確立する。ここにおいて、ビットシフト回路及びパターンチェンジ回路については、重複する組み合わせの確認が行われないようにする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な干渉計、復調器および送受信器を提供する。
【解決手段】遅延干渉計は、基板２０１の上に配置されたハーフビームスプリッタ２０３と５角柱プリズム２０６，２０７と、を含む。ハーフビームスプリッタ２０３は、基板２０１にほぼ平行に入射する被測定光を２つの分岐光２０４，２０５に分岐する。５角柱プリズム２０６，２０７は、分岐光２０４，２０５の光軸が反射により基板２０１にほぼ垂直な方向に平行移動するよう、分岐光２０４，２０５をそれぞれ反射する。ハーフビームスプリッタ２０３は、５角柱プリズム２０６，２０７により反射された分岐光２０４，２０５（反射光２０８，２０９）を合波して、干渉光２１０，２１１を生成する。 （もっと読む）

【課題】受光素子を過電流から保護するために電流がバイパスされるような場合であっても、受光素子が受光した光の強度を計測することのできる光受信モジュールを提供すること。
【解決手段】光受信モジュールは、受光した光の強さに応じて電流を流す受光素子と、前記受光素子を流れる電流を少なくとも流す自己バイアス抵抗と、前記受光素子を流れる電流量が所定の値を超える場合に前記自己バイアス抵抗を流れる電流の一部を前記受光素子を介さずに流すバイパス回路と、前記受光素子を流れる電流量を示す信号を出力する受光電流検出部と、前記バイパス回路を流れる電流量を示す信号を出力するバイパス電流検出部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出力を向上させつつ基本横モードのレーザ光を出力する。
【解決手段】半導体レーザモジュール１は、レーザ光を励起する光増幅部３と、光増幅部3と結合し光増幅部３で励起されたレーザ光を導波する第１の導波路１０と、第１の導波路１０から基本横モードのレーザ光を選択的に分岐して導波する第２の導波路２０とを含む光方向性結合器５と、を含み、第１の導波路１０の少なくとも一部における導波路幅を高次横モードカットオフ幅以上とした。 （もっと読む）