説明

日本オクラロ株式会社により出願された特許

31 - 40 / 311



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189

【課題】温度補償回路や複雑な制御方法を用いなくても、低温域で良好な通信品質を得る光送信モジュールを提供すること。
【解決手段】光送信モジュールは、半導体レーザ素子(31)と、前記半導体レーザ素子が出力する光の強度に応じて電流を流す受光素子(32)と、前記受光素子に直列に設けられる温度可変抵抗(34)と、を含む。 (もっと読む)



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189

【課題】本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 (もっと読む)



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189

31 - 40 / 311