【課題】レーザ光の出力を向上させつつ基本横モードのレーザ光を出力する。
【解決手段】半導体レーザモジュール１は、レーザ光を励起する光増幅部３と、光増幅部3と結合し光増幅部３で励起されたレーザ光を導波する第１の導波路１０と、第１の導波路１０から基本横モードのレーザ光を選択的に分岐して導波する第２の導波路２０とを含む光方向性結合器５と、を含み、第１の導波路１０の少なくとも一部における導波路幅を高次横モードカットオフ幅以上とした。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させた半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザチップ１１の基板１の裏面に溝１０を設け、基板１の裏面に形成される裏面電極１２の一部を溝１０の内部に配置することにより、裏面電極１２と発光部７との距離が短くなると共に、裏面電極１２の表面積が大きくなる。これにより、発光部７から発生した熱の一部を裏面電極１２を通じて外部に逃がすことができるので、レーザチップ１１の放熱性が向上する。 （もっと読む）

【課題】温度補償回路や複雑な制御方法を用いなくても、低温域で良好な通信品質を得る光送信モジュールを提供すること。
【解決手段】光送信モジュールは、半導体レーザ素子（３１）と、前記半導体レーザ素子が出力する光の強度に応じて電流を流す受光素子（３２）と、前記受光素子に直列に設けられる温度可変抵抗（３４）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程の工程数の増大を抑制しつつ、受光面での反射光に起因するノイズが抑制される半導体受光素子、及び、その製造方法の提供。
【解決手段】半導体入射光の光軸に対して法線方向が斜交して配置される受光面と、該受光面との交差稜線に対して対称的に形成される傾斜面と、を有するとともに、該入射光を受光して電気信号に変換する受光素子部、を複数備える、半導体受光素子であって、１の前記受光素子部への入射光の光軸と、該入射光が該受光面で反射してなる反射光の光軸とからなる入射面が、該反射光の進行方向側で、少なくとも他の１の前記受光素子部への入射光の光軸と交差しないように、該他の１の受光素子部が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＢＨ構造の半導体光素子に含まれる導波路部の電気的な分離を行うために設けられる分離溝が適切に形成されないことに起因してリーク電流が発生してしまうのを抑止する。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０の上にメサストライプ状の活性層１２を形成する工程と、活性層１２の両隣に、活性層１２よりも高い位置までＲｕ−ＩｎＰ層１４を形成する工程と、Ｒｕ−ＩｎＰ層１４の表面に設けた分離溝形成領域２０にシリコン酸化膜１８を形成する工程と、シリコン酸化膜１８が形成された前記Ｒｕ−ＩｎＰ層１４の上に、Ｐ−ＩｎＰ層１６を結晶成長させて形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】活性層を量子効果が抑制される構造とすることにより、特性が向上される半導体発光素子の提供。
【解決手段】所定のエネルギー値のバンドギャップを有するとともに引張り歪が導入される１以上の井戸層と、前記所定のエネルギー値より大きいエネルギー値のバンドギャップを有するとともに前記井戸層と交互に配置される２以上の障壁層と、隣り合う前記井戸層と前記障壁層の間にそれぞれ配置されるとともに、前記井戸層側の端から前記障壁層側へ、前記所定のエネルギー値から連続的に増加するバンドギャップを有する２以上の中間層とを、基板の上方にそれぞれ備える。 （もっと読む）

【課題】小型化を達成することができる光モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】光モジュールは、空間に光路を有する光学系１６と、光学系１６の入口及び出口の一方である第１出入口２８に光学的に接続された電気光学素子１８と、柔軟性を有する光導波路２０と、外部との光学的な接続を図るための光インターフェース１０を備え、光学系１６、電気光学素子１８子及び光導波路２０を収納する筺体１２と、を有し、光導波路２０は、筺体１２内で光インターフェース１０に光学的に接続される第１接続部３０と、光学系１６の入口及び出口の他方である第２出入口３２に光学的に接続される第２接続部３４と、を有し、筺体１２内で屈曲して配置され、光インターフェース１０と第１接続部３０の間を通る第１光軸３６と、第２出入口３２と第２接続部３４の間を通る第２光軸３８とは、ずれている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 （もっと読む）

【課題】電気光学部品の外部リードと回路基板との電気的接続部に発生する応力を抑制する光トランシーバを提供することを目的とする。
【解決手段】光トランシーバは、電気的な接続のための外部リード１２を有する電気光学部品１０と、外部リード１２がはんだ付けされた回路基板２２と、電気光学部品１０と回路基板２２を接着する接着部２６と、電気光学部品１０と回路基板２２を接着部２６よりも強固に固定する固定部２８と、を有し、固定部２８は、接着部２６よりも外部リード１２のはんだ付けされる部分から離れて設けられ、接着部２６の少なくとも一部は、固定部２８よりも外部リード１２のはんだ付けされる部分に近い位置に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ガスケットの密着性を確保して、電磁遮蔽効果を確保することができる光トランシーバを提供することを目的とする。
【解決手段】光トランシーバは、電気光学部品１１と、電気光学部品１１を収納する導電性のケース１０と、ケース１０に取り付けられた導電性のカバー１６と、ケース１０とカバー１６の間に介在する導電性のガスケット３４と、を有し、ガスケット３４は、閉曲線に沿って延びる無端形状を有し、弾力性を有し、ケース１０及びカバー１６に挟まれることで圧縮されて生じる弾性力でケース１０とカバー１６に密着し、ケース１０は、ガスケット３４が収容される溝４２を有し、溝４２は、ガスケット３４の圧縮前の太さよりも大きい幅を有する第１溝部４３と、ガスケット３４の圧縮前の太さよりも小さい幅を有する第２溝部４５と、を有し、第２溝部４５でガスケット３４が幅方向に圧縮されて保持されている。 （もっと読む）