【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パイロット信号を用いずに消光比を制御する。
【解決手段】Ａ／Ｄ変換器３７は、制御データを制御信号に変換し、ＬＤＤ１２は、ビット列である送信情報に応じた駆動電流を制御信号に基づいて生成し、ＬＤ１４は駆動電流の入力を受けて光信号を送信し、ＭＰＤ１６は、ＬＤ１４から送信された光信号を電圧信号に変換し、フィルタ３０はこの電圧信号から一部の周波数帯域を抽出する。振幅検出部３２は、フィルタ３０により抽出された電圧信号の振幅を検出し、比較部３８は、検出された振幅に基づく比較対象振幅と、基準振幅と、を比較し、出力コントローラ４０は、比較結果に基づいて制御データのデータ値を所定値ずつ増加又は減少させる。 （もっと読む）

【課題】伝送容量の増大化を図ることが可能な光通信器及びこれを備える光通信機を提供する。
【解決手段】光送受信モジュール２００は、複数の光ファイバが接続される多芯光コネクタ１５と、複数の光受信サブアセンブリ８１〜９０と、信号処理回路３１と、ドライバ５１と、光送信サブアセンブリ６１と、を備える。信号処理回路３１は、光受信サブアセンブリ８１〜９０から入力される並列の電気信号を時系列の電気信号に変換して、これらの電気信号をドライバ５１に出力する。ここでは、並列の電気信号を時系列の電気信号に変換するため、チャンネルの伝送容量が増加する。 （もっと読む）

【課題】温度制御モジュールの変形による光結合の精度の低下が抑制される同軸型光モジュールを提供すること。
【解決手段】ステム１２に温度制御モジュール１４が設置され、温度制御モジュール１４に基板部材１６が設置される。ステム１２は中心Ｐを中心にして熱膨張し、温度制御モジュール１４の上面基板１４ｂは、代表点Ｑを中心にして変形する。中心Ｐに対して、代表点Ｑのステム１２における位置Ｑ１は左側にずれているとともに、位置Ｑ１に対して、「上面基板１４ｂと基板部材１６との接合面の代表点Ｒ」のステム１２における位置Ｒ１は左側にずれている。 （もっと読む）

【課題】偏波方向が異なる２つの直線偏波のレーザ光に共用できる光アイソレータおよびそれを備えた光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１００は、半導体レーザ１０６と、それに対して相対的に定められた基準位置に設置された光アイソレータ１１１と、を備える。光アイソレータ１１１は、所定の基準姿勢からその光軸を中心として一方向に所定の回転角θ_ｂだけ回転した場合に、半導体レーザ１０６から出射されるレーザ光の光アイソレータ１１１への入射角が所望の入射角θ_ａとなり、基準姿勢から光軸を中心として反対方向にθ_ｂだけ回転した場合にも、半導体レーザ１０６から出射されるレーザ光の光アイソレータ１１１への入射角がθ_ａとなるよう、θ_ｂとθ_ａとに基づいて決定される角度θ_ｃだけ光軸に対して傾斜した入射面を有し、その入射面に設けられた偏波面に沿う直線偏波のレーザ光だけを順方向に通過させる。 （もっと読む）

【課題】偏波ダイバーシティ検出において、出力される干渉光に含まれる漏れ光を低減する。
【解決手段】偏波ダイバーシティ光学系装置は、局発光（Ｌ０）をｐ偏光成分である第１分離光（Ｌ１１）及びｓ偏光成分である第２分離光（Ｌ１２）に分離すると共に、信号光（Ｓ０）をｐ偏光成分である第３分離光（Ｓ１１）及びｓ偏光成分である第４分離光（Ｓ１２）に分離する偏光分離部（１１１）と、偏光分離部（１１１）で分離された第１分離光（Ｌ１１）を、第３分離光（Ｓ１１）及び第４分離光（Ｓ１２）のいずれか一方と合波し、第２分離光（Ｌ１２）を第３分離光（Ｓ１１）及び第４分離光（Ｓ１２）のいずれか他方と合波する光合波部（１１１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換モジュールの上ケース部と下ケース部とを組み合わせる際、両者間に設ける封止材の取扱いを容易にして、組み立て工数を削減する。
【解決手段】上ケース部１０の側板１２には、底板２１側から天板１１側へ凹み、導電性ガスケット３０の幅広面３３が側板１２とほぼ平行な状態で、この導電性ガスケット３０の一部が入り込めるガスケット溝１５が形成されている。下ケース部２０の側板２２には、ガスケット溝１５内の導電性ガスケット３０を押す傾斜した押付け面２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光波長多重通信を行う光送信器の消費電力を低減する。
【解決手段】光送信器１０は、駆動回路５０Ａ〜５０Ｄから電流の供給を受けて、それぞれ異なる発振波長のレーザー光を発光する複数の発光素子２２Ａ〜２２Ｄと、複数の発光素子２２Ａ〜２２Ｄのそれぞれにより発光されたレーザー光を、送信データに応じてそれぞれ変調する光変調部２４Ａ〜２４Ｄと、光変調部２４Ａ〜２４Ｄによりそれぞれ変調されたレーザー光を合波した合波光を出力する光合波器３０と、駆動回路５０Ａ〜５０Ｄから発光素子２２Ａ〜２２Ｄのうち少なくとも１つに供給される電流を、所定の周波数で発振させる発振器６０と、光合波器３０により出力された合波光を受光して得られる信号のうち、所定の周波数に応じた周波数帯域を透過させて得た信号に基づいて、駆動回路５０Ａ〜５０Ｄから発光素子２２Ａ〜２２Ｄに供給する電流を制御する制御回路４０を含む。 （もっと読む）

【課題】リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし、バリアメタル層上のＡｕ層のＡｕが上記段切れ部分からリッジ内部へ拡散するのを防止する。
【解決手段】ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。コンタクト層の上面から第２の第２クラッド層の底まで分離溝が２本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。リッジは第２の第２クラッド層で形成される下部と、コンタクト層で形成されるリッジ部コンタクト層とからなっている。リッジ部コンタクト層の分離溝に臨む両側の上面は斜面となり、この上にバリアメタル層が形成されている。リッジの下部の側面から分離溝を越える部分は絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）