【課題】絞り装置の交換や洗浄を必要とせず、絞り装置のカーボン等のコンタミネーションを除去することができるようにする。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置の内部に設けられた絞り装置に付着するカーボン等のコンタミネーションを除去するために、絞り装置にフッ素化合物系ガスを注ぐ。それにより、絞り装置に付着したコンタミネーションを除去する。 （もっと読む）

【課題】マスク製造工程の際に、マスクパターンを配置する空間においてコンタミネーションを防止することができる、マスクパターン等のパターンを計測するための計測方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 基板１、クロム膜２上に形成されたレジストパターン３を荷電粒子ビームによって計測する際に、ＨＦ，ＣｌＦ３，ＮＦ３，ＳｉＦ４，ＷＦ６，ＸｅＦ２等のフッ素ガスを試料室内部に注入して、パターン３の表面に導電性のフッ素化合物膜４を成膜し、荷電粒子ビームによって、フッ素化合物膜４が成膜されたパターン３を計測する。 （もっと読む）

【課題】 基板内部に生じる局所的帯電の定量的で詳細な大きさを把握でき、チャージングを低減することができる荷電粒子ビーム検査方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 荷電粒子ビーム検査方法及び装置において、荷電粒子ビーム光学鏡筒の下面と試料との間に、導電性を有し、かつ、荷電粒子光学系の光路に沿って開口を有し、かつ、試料の表面上のＥＢ照射点から見て、鏡筒の下部の一部を覆う板を設ける。複数枚のスキャン画像の各々、あるいは複数枚のスキャン画像を積算した積算画像と、設計データとの比較照合を行い、倍率を求め、当該倍率の変動または変動の傾向から、荷電粒子ビームが照射されている局所領域における倍率との相関量を求め、その値に応じてランディングエネルギーを変化させる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム装置を半導体製造過程で使用することができるようにすると共に、大がかりな設備や装置を使用することなく試料の帯電を防止することができるようにする。
【解決手段】鏡筒１０に配置された荷電粒子光学系を介して荷電粒子ビームを試料２１に集束し照射する走査電子顕微鏡１００の対物レンズ１４と試料２１との間に、導電性を有すると共に荷電粒子ビームが通過する開口部１１３を備えた帯電防止部材１１０を配置し、この帯電防止部材１１０は、試料面上の荷電粒子ビーム照射点から見て荷電粒子光学系の一部を覆う大きさに構成され、かつ、内部にガスが導入される流路１１４，１１５と、前記流路に連結され前記試料面上の荷電粒子ビーム照射点に向けてガスを放出する放出口１１６を備える。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査部１２とを備え、データに基づいて製造された半導体デバイスから欠陥情報を得て、得られた欠陥情報から、データを構成する同じ幾何学情報に関連する繰り返し発生する欠陥を認識する繰り返し欠陥認識部２５を備えた。 （もっと読む）