【課題】 コロイド結晶ゲルを用いたチューナブルなレーザ発振素子、それを用いたレーザ発振装置、および、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明によるコロイド結晶ゲルからなるレーザ発振素子は、コロイド結晶ゲルが、イオン液体および有機色素を含有する高分子ゲルと、高分子ゲル中に自己組織的に周期配列した粒子であって、粒子の配列は、非接触充填状態である、粒子とを含み、コロイド結晶ゲルのストップバンドは、少なくとも有機色素の蛍光スペクトルの極大蛍光波長より長波長領域、かつ、蛍光スペクトルの範囲内で可変である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、細胞の接着・増殖・分化等の機能を三次元パターンに従って制御できるパターン化多孔質材料及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】生体吸収性高分子が３次元網目状に凝集され、互いに連通する複数の孔部１１ｃが設けられた板状の多孔質材料１１の一面１１ａに、凹部２１が設けられているパターン化多孔質材料１を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】基板上の任意の位置に任意の向きの有機半導体単結晶を形成する。
【解決手段】親液性であって、結晶成長の方向を規制する形状（長方形など）を有する領域内に置かれた有機半導体に対して溶媒蒸気アニールを行うことにより、当該領域内に所定の方向に整列した有機半導体単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】酸素欠損を低減したβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽１０内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第１のセル１３ａからＧａ蒸気を供給し、基板ホルダ１１に保持されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上にβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長レートが高まる。 （もっと読む）

【課題】超伝導コイルに発生する電圧（電圧の変化）を用いない新たな方法で、クエンチなどによる超伝導コイルの損傷を防止することができる超伝導コイルの保護方法を提供すること。
【解決手段】超伝導層を有するテープ状の超伝導線材が巻かれてなる超伝導コイルの保護方法である。所定の位置における超伝導線材の厚み方向の測定磁場Ｂと、遮蔽電流を無視して算出した超伝導線材の厚み方向の磁場Ｂｃａｌと、の差である遮蔽磁場の大きさに基づいて、励磁電源の出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】 従来、オフ電流が大きいため、オフ動作が不安定になることが避けられなかったMIM型ReRAM素子において、電極の片方を金属からp型Si半導体に変更してMIS型にすることにより、10μA以下のオフ電流で安定して動作するReRAM素子を提供する。
【解決手段】 ReRAM素子のオフ動作が、ホットエレクトロン化によるオフ機構による場合は、電子の活性化エネルギーが必要なため、オフ電流が大きくなる問題があった。オフ機構の原理を見直し、活性化エネルギーの必要がない電圧によるpn接合部の空乏化によるオフ機構に変更することにより、極めて低消費電力のReRAM素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物であって、主相が組成式ＬｉＳｉ_２−ｘＡｌ_ｘＯ_ｘＮ_３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
従来、比較的厚さが薄く、幅が狭い帯鋼又は鋼板を製造するためには、通常の熱延鋼板又は冷延鋼板を所定の厚さまで圧延し、スリットして更に圧延するか、予めスリットしてから所定の厚さまで圧延する。スリット工程の省略、スタート材から製品までの歩留まり向上、薄帯鋼板から製品までの歩留まり向上、小規模な設備による製造の可能性、少量で多品種の製品から大量で特定の品種の製造までに利用可能な帯鋼又は鋼板の製造方法を提案する。
【解決手段】
市販されている炭素鋼又はフェライト系ステンレス鋼若しくはオーステナイト系ステンレス鋼からなる鋼線材若しくは鋼線又は棒鋼をスタート材とし、冷間温度域において最終厚さまで平ロールで圧延する方法、又は、先ず孔型ロールで冷間温度域で圧延した後、冷間温度域で平ロールで最終厚さまで圧延するか若しくは先ず孔型ロールで温間温度域で圧延した後、冷間温度域で平ロールで最終厚さまで圧延するか、のいずれかとし、スタート材から中間材及び最終材の所定の段階までに、大ひずみを導入する。 （もっと読む）

【課題】高価なＲｅ含有量を大幅に削減しても、従来の合金と同等以上の高温下における耐熱強度と耐酸化性を兼ね備えたＮｉ基超合金を提供する。
【解決手段】Ｃｏ、ＭｏおよびＨｆを含有せずに、必須元素としてＣｒ：７．０重量％以上１１．０重量％以下、Ｗ：６．０重量％以上１０．０重量％以下、Ａｌ：４．５重量％以上６．５重量％以下、Ｎｂ：０．２重量％以上５．０重量％以下、Ｎｂ＋Ｔａ：６．０重量％以上１１．０重量％以下、Ｒｅ：０．１重量％以上２．５％未満、Ｓｉ：０．０３重量％以上１．０重量％以下を含有し、残部がＮｉと不可避的不純物からなる組成を有することを特徴とする。また、ＯＰ（Oxidation Parameter）＝５．５ｘ[Ｃｒ(wt%)]＋１５．０ｘ（１＋２．０[Ｓｉ(wt%)]）ｘ[Ａｌ(wt%)]としたとき、ＯＰ値が１３０以上となるように合金設計することが耐酸化性に有効である。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
【解決手段】気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid : VLS）成長法により、ＳｉとＧｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_２膜で被覆されたＧｅナノ細線を作製する。また、気相-液相-固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 （もっと読む）