説明

有限会社ユウブリッジにより出願された特許

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【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長(CVD)の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、CVDガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをCVDガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解CVDガスを供給して当該基板の上にCVD膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該CVDガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 (もっと読む)


【課題】連続した鉄板またはガラスに形成した薄膜太陽電池はシリコン基板を使わないので、安価に製造できる。しかし、太陽電池セルを分離するとき接合面の端面が切断面に現れて、信頼性の特性を劣化させる。
【解決手段】連続した鉄板の基板またはガラスの基板の上に形成した太陽電池の構造に関する発明である。基板を含めて半導体pn接合を切断するとき、接合面が外に現れない構造にする。そのために、接合の端面を絶縁膜と接触させる。 (もっと読む)


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