【課題】基板（３５）上にフィルムを蒸着する方法を提供する。
【解決手段】基板（３５）は、約０．１ミリトールから約１００ミリトールの圧力で反応容器（１）に入れられる。この方法は、ｉ）少なくとも１つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約２０℃から約１５０℃の温度、約０．１トールから約１００トールの蒸気圧で反応容器に供給し、ｉｉ）反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する、ことを含む反応サイクルを基板に施すことを含む。 （もっと読む）

【課題】温度測定装置の先端への不要な蒸着を妨げる。
【解決手段】ウエハ処理システムの処理チャンバ内にガスを送出することもできるように、処理チャンバ内に容れられた半導体基板の温度をモニタするための温度測定装置。温度測定装置はそれを囲むシース１６０１を通じて延び、前記シース１６０１からのガスの流束が温度測定装置の先端への不要な蒸着を妨げる。 （もっと読む）

均一な間隔を置いて配置されたスロットを有するスロット付き静電シールドを使用して処理表面に非対称プラズマ密度パターンを生み出す誘導結合プラズマ源を使用して処理物体を処理するためのより均一なプラズマプロセスが実現される。このスロット付き静電シールドは、非対称プラズマ密度パターンを補償する方法で変更されて、変更されたプラズマ密度パターンを処理表面に提供する。処理表面を横切る変更された半径方向変動特性を生み出すような方法で所与の静電シールドに取って代わるように静電シールド配置が構成されたより均一な半径方向プラズマプロセスが示される。誘導結合プラズマ源は対称軸を構成し、静電シールド配置は、この対称軸についてある半径の範囲にわたって広がる形状を含むように構成される。 （もっと読む）

本発明では、マイクロエレクトロニクス処理用無電解メッキにおける温度制御手順が開示されている。この手順は、堆積の均一性を改善し、メッキ浴液の寿命を延ばし、また費用効率が高い。浴液は、メッキ室の外の装置内で最低堆積温度未満の温度まで加熱される。浴液は、堆積の発生していないメッキ室へ導入される。メッキ室が満たされた後、浴液は所望の堆積温度まで加熱される。堆積が開始する。堆積後、浴液は元のタンクに戻される。 （もっと読む）

上述のように、本発明の実施形態は、処理対象物からイオン注入されたフォトレジストなどのプロセス材料クラストの除去を提供する。ハロゲンを含まないプラズマは、クラストがプラズマにかけられるように炭化水素ガスを酸素ガスと組合せて使用することにより発生させる。メタンを炭化水素ガスとして使用することができる。このプラズマは、下に在る未変性のフォトレジストおよびイオン注入に関連する残留物を除去するために使用してもよい。プラズマは同様に、純粋な水素ガスでよい水素を含有するガスを、酸素ガスと組合せて使用することにより発生させることができる。処理対象物を水素／酸素ベースのプラズマに曝露し、その後に炭化水素／酸素ベースのプラズマに曝露することを用いるいくつかの技法を使用する。
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ウエハ直径を有するウエハがロードロックと処理チャンバとの間を移動可能なウエハ処理システムおよび方法。移送チャンバは、ロードロックおよび処理チャンバと選択的に圧力連通するように配置される。ウエハが、移送チャンバを通って、ロードロックと処理チャンバとの間をウエハ移送路に沿って移動可能であるように、移送チャンバは、横方向への広がり構成を有する。その横方向への広がり構成により、ウエハ移送路に沿って移動する、直径を有するウエハは、ウエハ移送路に沿った任意の位置で、ロードロックおよび処理チャンバのうちの少なくとも１つと干渉する。ウエハは、中心部を含む。ウエハの中心部がウエハ移送路に沿って動くことにより、ウエハ移送路を画定することができる。定位置から反対方向に異なる角度だけ独立に移動できるスイングアームが示される。
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本処理チャンバーにおいて半導体ウエハーを加熱するための方法と装置が開示されている。この装置は、放射温度計等の放射線感知装置を使用して、処理の際のウエハーの温度を求める非接触式温度測定システムを具えている。この放射線感知装置は、特定の波長でウエハーから発せられる放射線の量を監視することによってウエハーの温度を決定する。本発明によれば、放射線感知装置が作動する波長においてウエハーを加熱するのに使用されるランプから発せられる光を濾過するための装置にスペクトル・フィルターが設けられている。このスペクトル・フィルターは稀土類元素、稀土類元素の酸化物、光吸収性染料、金属又は半導体材料等の光吸収剤を含んでいる。
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ワークピース加工は、プロセスチャンバ（３２）と協動してトランスファチャンバ（１２）を使用する。ワークピース（３０）は、予熱圧力で処理温度に加熱され、その後で、予熱圧力未満である処理圧力でプラズマに暴露される。プロセスチャンバ圧力は予熱圧力を超えないが、非常に急速な圧力増大を、処理圧力から予熱圧力に移行する際にプロセスチャンバ内で誘発することができる。トランスファチャンバ圧力は、処理圧力、予熱圧力で維持する、またはプロセスチャンバを予熱圧力にバックフィルするために選択圧力に上昇させることができる。バックフィル構成（５４）は、プロセスチャンバ内で急速圧力増大を選択的に誘発することができる。

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ウエハの加熱、ウエハの冷却、温度測定、および迷光についてのチャンバの性能を少なくとも調整するのに用いることができるカスタマイズ可能なチャンバスペクトル応答を説明する。一態様では、処理物体を加工するシステムを説明する。この処理物体は、処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる処理物体温度での所与の放出スペクトルを有する。このチャンバは、第１のやり方で加熱構成放射エネルギーに応答し、第２のやり方でこのチャンバに入射する処理物体放射エネルギーに応答する。このチャンバは、熱源放射エネルギーの大部分を反射することによって第１のやり方で応答し、処理物体放射エネルギーの大部分を吸収することによって第２のやり方で応答することもできる。特定のチャンバ性能パラメータに関する目的を達成するための設計上の考察に基づく選択反射率で、チャンバの様々な部分を処理することができる。

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チャンバ構造の部分としての窓装置は内部を有するチャンバを含む。このチャンバは、開口縁をする窓開口を形成する。一対の反対向きの主表面とこれら主表面間に延在する周縁側壁輪郭とを有する窓が窓開口の中に受け取られ、周囲側壁構造は、周囲側壁構造と開口縁が協働して、窓の反対向きの主表面に対して概ね垂直に加えられるバイアス力の少なくとも一部分を、バイアス力の加えられる方向とは異なる、またはバイアス力の加えられる方向に対して傾斜した方向へ転向させるように、開口縁に対して支持される。

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