説明

株式会社SUMCOにより出願された特許

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【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を1Ωcm以上、10Ωcm以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において1Ω以上、10Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、B−O複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル膜形成後にエピタキシャルウェーハの表裏面を研磨することなく、高い裏面の平坦度を得ることが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハ100の製造方法は、端部に面取り部11が形成され、両面12a,12bに該面取り部11との境界であるエッジ13a,13bを有する半導体ウェーハ10の、片面12b側のエッジ13b位置の内方所定位置Pからウェーハ外方に向かう該片面12bの外周部14をロールオフ加工して、該外周部14をロールオフ領域とする工程と、前記片面12bとは反対の他面12a上に第1エピタキシャル膜20を形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ボイド、ブリスタ等の貼り合わせ欠陥のない、貼り合わせウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の貼り合わせウェーハの製造方法は、活性層用ウェーハと支持用ウェーハとの貼り合わせを行う直前に、活性層用ウェーハの絶縁膜の表面と支持用ウェーハの表面とを研磨することを特徴とする。本発明の貼り合わせウェーハは、界面側の面の表面粗さが共に低い活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハを貼り合わせてなるものである。 (もっと読む)


【課題】断面形状が正方形のアフターヒーターを具備する電磁鋳造装置で断面形状が長方形のインゴットを製造する場合、インゴットの切断時に発生するクラックやササクレを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】(1)無底冷却モールド2と、誘導コイル1と、インゴット5を徐冷するアフターヒーター4を有し、アフターヒーターの出力制御を、対面する2面のヒーター(例えば、ヒーター14−1と14−3)を1対として2対以上のヒーターについて個別に実施できるように構成されている電磁鋳造装置。(2)前記の電磁鋳造装置を用い、アフターヒーターの出力を、2対以上のヒーターについて個別に制御する電磁鋳造方法。アフターヒーターの出力を、インゴットの面内温度のばらつきが10℃以下になるように制御することとすれば、クラックやササクレの防止に極めて有効である。 (もっと読む)


【課題】鋳造の対象をn型とp型の間で変更するに際し、装置内の清掃を短時間で行い、得られる多結晶シリコンの抵抗率のバラツキの低く抑えることができる多結晶シリコンの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】(1)無底冷却モールド1と、このモールドを取り囲む誘導コイル2を有し、電磁誘導加熱により溶融したシリコンを凝固させ、インゴット3として取り出す、n型多結晶シリコンの製造に適した多結晶シリコンインゴットの電磁鋳造装置であって、メインチャンバー7−1の上部に雰囲気ガスを引き込む開口11a、12aを有し、サブチャンバー7−2の下部に前記引き込んだ雰囲気ガスを導入する開口11b、12bを有する還流配管11、12を少なくとも2系統備える電磁鋳造装置。(2)この装置を使用し、多結晶シリコンの導電型に応じてあらかじめ定めた還流配管を使用する電磁鋳造方法。 (もっと読む)


【課題】硬脆性ウェーハの加工歪およびマイクロスクラッチを低減し、総平坦化加工時間を短縮でき、かつインゴットからのウェーハの取得枚数を増加可能な硬脆性ウェーハの平坦化加工方法および平坦化加工用パッドを提供する。
【解決手段】スライス後の硬脆性ウェーハの表面および裏面のうち、少なくとも表面に、高強度高弾性率繊維製の平坦化加工用パッドを押し付け、遊離砥粒を含む加工液を供給しながら硬脆性ウェーハを粗平坦化し、その後、ウェーハ表面を仕上げ研磨する。その結果、ウェーハの加工歪を減らしてマイクロスクラッチの発生数が低減でき、かつ総平坦化加工時間を短縮できるとともに、1本のインゴットからのウェーハの取得枚数も増加できる。 (もっと読む)


【課題】シリコン原料の溶融と種結晶の予備加熱を簡単な構成で効率良く行うことが可能なシリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げ装置10は、シリコン融液2を保持する石英ルツボ14と、石英ルツボ14の周囲に設けられたヒーター15と、石英ルツボ14の上方に設けられ、先端に種結晶1が取り付けられた第1の引き上げ軸18と、石英ルツボ14の上方に配置された略逆円錐台形状の筒状部分を有する熱遮蔽部材20と、中空部を有する円盤状の熱遮蔽板22とを備えている。熱遮蔽板22は、シリコン融液2の上方を覆う保温位置とシリコン融液2から見て保温位置よりも上方の待避位置との間を移動可能に構成されており、熱遮蔽板22の保温位置は垂直方向に対して前記熱遮蔽部材20と重なる位置である。熱遮蔽板22の位置制御は、第1の引き上げ軸18の昇降制御とは独立して行われる。 (もっと読む)


【課題】フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。
【解決手段】フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法である。また、その濃度測定方法を用いた半導体ウェーハの洗浄方法である。 (もっと読む)


【課題】短期間でインゴットの冷却を完了させることができ、切断中にクラックが発生することがない多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】無底ルツボ12内に形成されたシリコン融液21を降下させて凝固させることにより、無底ルツボ12から多結晶シリコンインゴット20を連続的に取り出す多結晶シリコンの製造方法において、保温ヒータ16を用いて1000℃以上の所定の保温温度に保温されている多結晶シリコンインゴット20を300℃以下の所定の開放温度まで降下させて冷却する際、少なくとも620℃までは傾きが漸増する第1の冷却パターンを用いて保温ヒータの温度を制御する。 (もっと読む)


【課題】初期溶解時に用いるダミーバーに起因して発生する異物の混入を防止して、歩留りを改善することができる多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導法による多結晶シリコンの製造方法において、モールド2内のシリコン原料を初期溶解する際に当該シリコン原料を支持するためのダミーバー4として、ダミーバー本体4aの上面にシリコン5が結合されたダミーバーを使用する。前記ダミーバーとして、鋳造終了後に、インゴットと結合したダミーバーの当該結合部よりも上のインゴットの部分で切断することにより、ダミーバー本体の上面にシリコンを存在させたダミーバー、さらには、これに酸による洗浄等の処理を施したダミーバーを使用する実施形態を採ることとすれば、従来のカーボンダミーバーを使用した場合における窒化ケイ素の異物の混入を抑制し、歩留りの向上等、種々の改善を図ることができる。 (もっと読む)


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