活性層用シリコンウェーハに絶縁膜を介して水素ガスをイオン注入し、これを絶縁膜を介して支持ウェーハに貼り合わせる。この貼り合わせウェーハを５００℃に加熱することにより、その一部を剥離してＳＯＩウェーハを作製する。次に、このＳＯＩウェーハをアルゴンガス雰囲気で熱処理する。この後、ＳＯＩウェーハを酸化性雰囲気で酸化処理し、この酸化膜をＨＦ液により除去する。この結果、ＳＯＩウェーハの表面が再結晶化され、平坦化される。 （もっと読む）

活性層用ウェーハ１０に９×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３を超えるボロンを添加し、活性層を結晶欠陥が存在しない貼り合わせＳＯＩ基板とする。活性層用ウェーハのボロン濃度が高いので、シリコン酸化膜の形成速度は速い。その結果、スループットが高いスマートカットウェーハを得ることができる。しかも、活性層のイオン注入によるダメージが低減され、活性層の高品質化が図れる。 （もっと読む）

支持用ウェーハには、１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素および１３×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の格子間酸素原子濃度Ｏｉ（ｏｌｄ ＡＳＴＭ）が含まれるので、貼り合わせ後の熱処理時に活性層用ウェーハ中の一部の金属不純物とウェーハの金属不純物とが、ウェーハ中のＢＭＤおよびＯＳＦに捕獲される。その結果、活性層の金属汚染を低減できる。 （もっと読む）

活性層用ウェーハに酸化膜を介して水素ガスをイオン注入する。この酸化膜を貼り合わせ面として支持ウェーハに貼り合わせる。貼り合わせウェーハを４００〜１０００℃にて熱処理する。これにより、イオン注入層を境界として貼り合わせウェーハが剥離し、ＳＯＩウェーハが作製される。この剥離熱処理では、貼り合わせウェーハの表面内の温度差を４０℃以下に制御する。その結果、未剥離領域が生じることなく、イオン注入層を境界として全面にて完全に剥離することができる。 （もっと読む）

活性層用ウェーハのシリコン酸化膜の厚さを、埋め込みシリコン酸化膜より薄くした。よって、イオン注入時、シリコン酸化膜の面内膜厚のばらつきが大きくても、貼り合わせウェーハの活性層の膜厚均一性が高まる。しかも、シリコン酸化膜が薄くイオン注入深さが相対的に深くなるので、イオン注入による活性層と埋め込みシリコン酸化膜のダメージを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体分離シリコン島の底面に衝突した光を乱反射させて発電効率を高め、製造工程を簡略化する太陽電池および該電池用の誘電体分離ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面から誘電体分離酸化膜１４までの深さが３０μｍの誘電体分離シリコン島３０内に入射した光は、微小凹凸が現出された島３０の底面に衝突して乱反射する。この底面はエッチング面である。これにより、光は従来の鏡面時の正反射でなく乱反射する。結果、活性層と、Ｎ型層３０ａまたはＰ型層３０ｂとからなる発電領域部を通過する光子の数が増え、太陽電池の発電効率が高まる。また、活性層用のシリコンウェーハ１０はエッチドウェーハである。よって誘電体分離ウェーハ、ひいては太陽電池の製造工程を大幅に簡素化できる。 （もっと読む）