【課題】ＬＳＡ工程でのシリコン基板内に生じる物理的現象を正確に予測できる、シミュレーションによるＬＳＡを施す際に生じるＢＭＤからの発生転位予測方法を提供する。
【解決手段】第１〜第５ステップで、基板をメッシュ要素に細分化してメッシュ化し、ＬＳＡのレーザービームの入射エネルギーを負荷として基板の温度分布の時間変化を求め、更にこの温度分布から熱応力分布の時間変化を求める。第６〜第８ステップで、任意の位置Ａにおける深さ方向の分布を各時間で選び出し、選び出した温度分布からＢＭＤから発生する転位の臨界応力を求め、選び出した応力分布からせん断応力を求める。第９〜第１１ステップで、臨界応力とせん断応力とを各深さ位置ごとに比較し、比較結果から各深さ位置の転位長さを求め、この転位長さからスリップ発生の深さを求める。 （もっと読む）

【課題】 結晶軸方向で結晶品質の変化を抑制する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン融液１２から引上げられ、横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が発生する領域を有し、ボトム側インゴットの外径がトップ側インゴットの外径より大きいシリコン単結晶インゴット。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を微細に多孔質化することで、ウェーハ表面における入射光の反射率を十分に低減し、なおかつ、より変換効率の高い太陽電池を作製できる太陽電池用ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用ウェーハの製造方法は、半導体ウェーハの少なくとも片面に低級アルコールを接触させる第１工程（Ｓ１）と、該第１工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に金属イオンを含むフッ化水素酸を接触させる第２工程（Ｓ２）と、を有する処理により前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面を多孔質化し、前記第２工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に対して酸化処理を施す第３工程（Ｓ５）を有し、太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面に多孔質層を有し、該表面における光の反射ロスをより低減することが可能な太陽電池用ウェーハを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用ウェーハ１００は、半導体ウェーハ１０の少なくとも片面１０Ａに、孔径が１０ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、層厚みが５０ｎｍ超え４５０ｎｍ以下の多孔質層１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の金属汚染評価をＤＬＴＳ法によってより一層高感度に行うための手段を提供する。
【解決手段】半導体試料上の半導体接合に対して空乏層を形成するための逆方向電圧Ｖ_Rと該空乏層にキャリアを捕獲するための弱電圧Ｖ₁とを交互かつ周期的に印加することで発生するＤＬＴＳ信号を温度を変化させながら測定し第一のＤＬＴＳスペクトルを得て、又上記半導体接合に対して、上記Ｖ_Rを周期的に印加することで発生するＤＬＴＳ信号を温度を変化させながら測定し第二のＤＬＴＳスペクトルを得て、第二のＤＬＴＳスペクトル、または第二のＤＬＴＳスペクトルを直線ないし曲線近似して得られたスペクトルを補正用スペクトルとして、該補正用スペクトルと前記第一のＤＬＴＳスペクトルとの差分スペクトルを得る。前記差分スペクトルを評価用ＤＬＴＳスペクトルとして用いる。 （もっと読む）

【課題】引上げ中に生じた予想し得ない外乱がヒータ温度に与える影響を抑制することが可能な半導体単結晶の引上げ方法及び引上げ装置を提供する。
【解決手段】予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の単結晶の引上げデータから次に引上げる単結晶のヒータの温度プロファイルを第１評価機能に基づいて評価する。第１評価機能に基づいて次に引上げる単結晶のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら単結晶１１を引上げる。単結晶１１の引上げ中に所定の引上げ長毎に上記修正された温度プロファイルを更に自動修正しこの自動修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体ウェーハの表面を新たな方法でエッチングし、変換効率の高い太陽電池を作製できる太陽電池用ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用ウェーハの製造方法は、多結晶半導体ウェーハの少なくとも片面にアルカリ溶液を接触させて、前記少なくとも片面をエッチング深さが５０００ｎｍ以下となるようエッチングした後、酸溶液を接触させて太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高抵抗シリコンの電気的特性を、高い信頼性をもって評価するための手段を提供する。
【解決手段】ボロン濃度１．５０ｘ１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下のボロンドープｐ型シリコンの電気的特性の評価方法。評価対象のシリコン表面を酸洗浄すること、洗浄後のシリコンに対して、該シリコンの表面温度が１５０〜３００℃の範囲となるように熱処理を施すこと、前記熱処理後のシリコンの前記酸処理を施した表面に形成された酸化膜を除去するための機械加工を施すこと、および、前記機械加工後のシリコン表面において、導電型および抵抗率からなる群から選ばれる電気的特性の評価を行うこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体単結晶の直径変動を低減し、その直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制し、設定通りの半導体単結晶を引上げて、高品質な半導体単結晶を製造する。
【解決手段】半導体原料をヒータ１８により融解してるつぼ１３に半導体融液１４を貯留し、予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶１１の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の半導体単結晶１１の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価する。この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】溶融シリコンの異物汚染を抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造方法の提供。
【解決手段】チャンバー１内を真空引きする際、シャッター３０によって無底冷却ルツボ１０の上端開口を遮蔽し、不活性ガス導入管４の遮断弁５を閉にし、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を開にした状態で、排気管７の排気ポンプ８を作動させることなく、真空引き用配管２３の真空ポンプ２４を作動させ、その後にチャンバー１内を不活性ガスで満たす際、ガス導入管４の遮断弁５を開に切り換えた状態にし、その後にシリコン原料１４を溶解しながら連続鋳造する際、シャッター３０を退避させてルツボ１０の上端開口を開放し、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を閉に切り換えた状態で、排気ポンプ８を作動させ、その後にチャンバー１内でインゴット１９を冷却する際、通気管２０の遮断弁２１を開に切り換えた状態にする。 （もっと読む）