【課題】簡単な構成でウェーハの取り代を適切に制御可能な研磨装置を提供すること。
【解決手段】バッキングパッド３２およびリテーナリング３３が一体化された研磨ヘッド３を備えた研磨装置１であって、ウェーハＷの研磨中にリテーナリング３３が研磨パッド２３上のスラリーＰから受けるリテーナ液圧Ｆｒを測定するリテーナ液圧測定手段３５と、このリテーナ液圧測定手段３５で測定されたリテーナ液圧Ｆｒに基づいて、研磨ヘッド３に付与するヘッド加圧力Ｆｈ、定盤２２の回転数、および、１バッチあたりの研磨時間のうちの少なくとも１つのパラメータを設定するパラメータ設定手段と、を備え、研磨制御手段は、パラメータ設定手段で設定されたパラメータに基づいて、回転駆動手段および研磨ヘッド加圧手段のうち少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】モールド内に投入した原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチの先端へのシリコンの付着を抑制し、サイドアークの発生を防止することができる多結晶シリコンの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導加熱とプラズマアーク加熱を併用する連続鋳造方法であって、プラズマトーチを、原料３の投入方向に対して垂直の方向に走査させるか、または、モールド２の断面における２本の対角線により形成される４つの角のうちの角度がθの２つの角に含まれるいずれか一の方向もしくは二以上の方向に走査させるとともに、原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向で、かつ、投入する原料がモールドの中心にあるプラズマトーチに衝突する（原料の落下点がモールドの中心から外れる）ように、投入角度および高さを調整して行う。 （もっと読む）

【課題】大口径単結晶の引上げに対応する大型の巻き取りドラムを備えつつも、従来の引上げ装置のプルヘッドのハウジングと同等の容積を有し、しかも従来の引上げ装置と同等の引上げ安定性を維持することができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】半導体原料融液から半導体単結晶を引上げるワイヤ１５を巻き取る巻取りドラム１７と、ワイヤ１５の引上げ経路を調整するシーブ１６とを備え、シーブ１６は、シーブ回転軸芯が巻取りドラム１７の巻取り軸芯より下方に位置するように、かつ上方から透視してシーブ回転軸芯が開口部１３を挟んで巻取り軸芯に相対向するように位置変更可能に設けられ、巻取りドラム１７は、ドラム周縁がワイヤ１５の引上げ中心線から所定の距離だけシーブ１６側に位置するように設けられ、シーブ１６がワイヤ１５を巻取りドラム１７側に横押しすることによりワイヤ１５の引上げ経路を調整するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する際に、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な除去を行うことができる半導体ウェーハの酸化膜除去方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング装置１０のステージ１３上に、酸化膜３２が形成された半導体ウェーハ３１の裏面を下にして水平に載置した後、半導体ウェーハ３１にエッチングガス１４を供給することにより、半導体ウェーハ３１の端面に形成された余分な酸化膜３２を気相エッチングにより除去する半導体ウェーハの酸化膜除去方法であって、ステージ１３上に載置された半導体ウェーハ３１の表面からチャンバ１１の天井までの高さをｈとするとき、半導体ウェーハ３１の端面における、ウェーハ表面からｈ／２高さまでの間のエッチングガス１４の平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、レーザによりシリコンウェーハの表層を溶融して、結晶欠陥を消滅させた領域を確保しつつ、且つ不純物を除去したシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットをウェーハ加工し、これにより得られたシリコンウェーハの表層を、パルス発振レーザを照射することにより溶融し、固化して、シリコンウェーハ表層内の結晶欠陥を消滅させる、シリコンウェーハの製造方法において、結晶欠陥の消滅深さがシリコンウェーハ表層に混入する不純物の拡散深さより深くなるようにパルス発振レーザを照射し、その後シリコンウェーハの表面から、不純物の拡散深さと結晶欠陥の消滅深さの間の深さまで、シリコンウェーハ表層を除去して不純物を取り除く。 （もっと読む）

【課題】チップの摩耗が進展した場合でも、ウェーハの品質を維持可能な研削ホイールを提供する。
【解決手段】研削ホイール３は、略板状のホイールベース９１と、ホイールベース９１の一面から環状に突出するように設けられ、ウェーハに押し当てられる砥石３２と、を備え、砥石３２は、環状の外周方向に沿って設けられた複数のチップ３２２を有し、隣り合うチップ３２２の間隔寸法は、チップ３２２の先端側よりも基端側の方が大きくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に生じうる特定欠陥をより確実に検出することが可能な検出方法、検出システムおよび検出プログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の特定欠陥の検出方法は、ウェーハの表面に光を照射して該ウェーハの表面上の欠陥の位置に対応して検出される輝点の面内位置情報である輝点マップを取得する工程（Ｓ１０１）と、前記輝点マップにおいて、特定欠陥の発生が予想される領域である判定対象領域と、該判定対象領域以外の所定領域である参照領域とを特定し、前記判定対象領域における輝点密度の、前記参照領域における輝点密度に対する比を算出する工程（Ｓ１０２）と、算出された前記比の値に基づいて、前記特定欠陥の発生の有無を判定する工程（Ｓ１０３）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鞍型形状のコイルを用いて印加する水平方向の磁場における、横磁場成分と縦磁場成分の割合を制御することで、引上げる単結晶の局所的な酸素濃度のばらつきを抑制し得る、シリコン単結晶の引上げ方法により引上げられたインゴットから切り出され、外周研削及び面取り加工が施されたシリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】前記シリコン単結晶インゴットの直径が４５０ｍｍ以上であり、かつ面取り加工後のシリコン単結晶ウェーハの直径のうち、外周から１０％の領域を除いて、前記ウェーハの酸素濃度のばらつき（面内酸素濃度差／面内酸素濃度平均値）が５％以下であるシリコン単結晶ウェーハである。４５０ｍｍ又は６７５ｍｍの大口径のウェーハに用いられる。
【選択図】図４
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【課題】厚ＢＯＸ−ＳＯＩウェーハの製造において、貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥（スリップ）を低減するとともに、ＳＯＩウェーハに生じる反りを低減する。
【解決手段】本発明の貼合せＳＯＩウェーハ１８の製造方法は、支持用ウェーハ１２表面に形成する酸化膜１２ａの厚さが、活性層用ウェーハ１１表面に形成する酸化膜１１ａの厚さより大きくなるように各酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、貼合せる前に、活性層用ウェーハ或いは支持用ウェーハのうち少なくともいずれか一方の貼合せ面にプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、２枚のウェーハを酸化膜を介して重ね合せて密着させる貼合せ工程と、貼合せたウェーハの活性層用ウェーハに減肉化処理を施して薄膜化することによりＳＯＩ層を形成するＳＯＩ層形成工程と、ＳＯＩ層形成工程後の貼合せウェーハを熱処理して貼合せ強度を増強させる接合強化熱処理工程とをこの順に含む。 （もっと読む）

【課題】融液からの輻射熱でシード軸、シードホルダに変形が生じても、種結晶を融液面に垂直に着液可能なシード軸とシードホルダとの連結構造を提供する。
【解決手段】シード軸にユニバーサルジョイント方式のシードホルダを連結したため、インゴット引き上げ時、炉内の輻射熱などでシード軸、シードホルダが熱膨張して変形しても、シードホルダが自重により垂直方向を向く。これにより、種結晶は融液面に垂直に着液できる。その結果、インゴット引き上げの初期段階において、急激な肩部の成長がなくなり、滑らかな肩部の単結晶インゴットを成長できる。 （もっと読む）