【課題】ウェーハ等のワークの両面の表面形状プロファイルを個々に緻密に制御できる研削装置および該研削装置を備える研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研削装置は、研磨布を貼り付けた上定盤および下定盤の回転によりワークの表裏面を研磨する両面研磨装置における、研磨布をドレッシングするための研削装置であって、離間させた上下定盤間に挿通され、研磨布の研磨面に対して水平方向に走査かつ垂直方向に昇降可能な移動アームと、移動アームの先端部に研磨布面に対して水平方向に回動可能に取り付けられ、研磨布の表面をドレッシングする研磨布より小径の研削プレートと、移動アームの先端部に取り付けられ、移動アームの走査方向に前記研磨布の表面形状プロファイルを測定する測定部と、測定部の測定結果に基づきドレッシング量を制御する研削制御部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上の欠陥の誤検出を抑制する欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面全体に照射光を走査し、該照射光の散乱強度にて前記ウェーハの表面上の欠陥をＬＰＤとして検出するに当たり、散乱強度に関して初期値を設定し、該初期値の下でＬＰＤの数を検出し、該検出数が基準値以下であれば初期値を閾値とする一方、検出数が基準値を超える場合は、初期値を増加させてＬＰＤの検出を繰り返し、ＬＰＤの数が基準値以下となった際の当該初期値を閾値とし、次いで、該閾値の下でＬＰＤの数の検出を繰り返し行い、ウェーハ表面への照射光の散乱強度が閾値以上であり、かつウェーハの同一位置にて２回以上検出された、ＬＰＤの数および位置を以て、ウェーハにおける欠陥の数および位置を判定する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等のシリコン試料の所望領域において、ドーパント種（Ｂ、Ｐ）を特定および定量するための手段を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様は、シリコン試料の一部または全部を分解すること、上記分解後に得られるシリコンを含む溶液を加熱蒸発させること、ただし、液滴が１滴残留している状態で加熱蒸発を停止し、上記液滴を回収し、該液滴中に含まれるボロンおよびリンからなる群から選ばれるドーパント元素を誘導結合プラズマ質量分析装置により分析すること、を含むことを特徴とする、シリコン試料の分析方法に関する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ開始時点から引き上げ継続中まで、シリコン単結晶の引上げ工程の全域に渡って、シリコン融液の液面位置を正確に検出し、高品質な結晶特性をもつシリコン単結晶を製造することが可能なシリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】引上げの初期段階では、第一の演算部２４による、遮熱部材１７の実像と鏡像との間隔に基づいてシリコン融液１３の液面位置を設定し、シリコン単結晶が例えば直胴部に移行する段階で、今度は第二の演算部２５に切り替えて、高輝度帯（フュージョンリング）ＦＲの像に基づいてシリコン融液１３の液面位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ加工速度、ウェーハの表面粗さおよび加工歪の大きさを制御でき、これにより総平坦化加工の工程数の低減、総平坦化加工時間の短縮が可能で、コスト低減も図れる硬脆性ウェーハの平坦化加工方法を提供する。
【解決手段】スライス後の硬脆性ウェーハの表面および裏面のうち、少なくとも表面に砥粒のみをガス噴射してブラストによる粗平坦化加工を行い、その後、粗平坦化加工された硬脆性ウェーハの表面を仕上げ研磨する。これにより、ウェーハ加工速度、ウェーハの表面粗さおよび加工歪の大きさを制御することができる。よって、総平坦化加工の工程数の低減、総平坦化加工時間の短縮が可能となり、コスト低減も図ることができる。 （もっと読む）

【課題】研磨初期段階でウェーハ表面に生じるスクラッチを低減することで、研磨終了後のウェーハ表面のスクラッチも効果的に低減することが可能なウェーハの片面研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明のウェーハの片面研磨方法は、半径ｒのウェーハＷを研磨プラテン１２の表面に固定された研磨布１１に押しつけ、研磨液を供給しながら研磨ヘッド１０および研磨プラテン１２を回転させることにより、ウェーハＷの被研磨面に研磨加工を施す、ウェーハの片面研磨方法であって、ウェーハＷの回転中心Ｏ_１の初期位置が、研磨プラテン１２の回転中心Ｏ_２からの距離Ｐが０≦Ｐ＜ｒである研磨プラテンの中央領域１２ａ内である配置の下に、研磨加工を開始する工程と、ウェーハの回転中心Ｏ_１を初期位置から研磨プラテン１２の径方向外側へ移動させつつ、研磨加工を継続する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に、粉塵爆発が発生する危険性を低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気に維持されるチャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを鋳造する方法において、リンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を２００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃することを特徴とする。また、ボロンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を４００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃する。 （もっと読む）

【課題】必要な品質を確保し、且つ、原料の無駄を押さえることが可能な多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による多結晶シリコンの製造方法は、所定の製造条件下で第１の多結晶シリコンインゴットを鋳造する工程と、第１の多結晶シリコンインゴットから所定の厚さのテストウェーハを作製する工程と、テストウェーハの少数キャリア拡散長を測定し、当該少数キャリア拡散長及びテストウェーハの厚さに基づいて、第１の多結晶シリコンインゴットの外周部の鋳肌に存在する低品質領域のカット幅を決定する工程とを備えている。そして、第１の多結晶シリコンインゴットと実質的に同一条件下で鋳造される第２の多結晶シリコンインゴットについては、その外周部の鋳肌に存在する低品質領域をカット幅で切断して除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜が接合界面になく表面が荒れていない貼り合わせウェーハを提供する。
【解決手段】接着後に一方のウェーハを０．１μｍ以上２０μｍ以下に薄厚化する薄厚化工程と、
塩素・酸素混合雰囲気で熱処理することで、表面酸化膜の増厚を促進することにより接合界面付近からの酸素を吸い上げて接合界面酸化物を除去する内部酸素吸い上げ工程と、
を有してなる。 （もっと読む）