【課題】実装時における接続信頼性を向上させることができるとともに、高い歩留まりにて製造できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定の配線層を形成した半導体ウェーハ１上に、複数の配線層３、３０を形成する。そして、これらの配線層３、３０のうち、最上の配線層３０と同層内に電極パッド２を形成する。そして、最上の配線層３０を覆うように、半導体ウェーハ１上に、第１、第２の保護膜４、５を形成する。次いで、エッチングにより、第１、第２の保護膜４、５を選択的に除去して、前記電極パッド２の側壁よりも外側に配置された側壁を有する開口部６を形成して、電極パッド２の表面を露出させる。そして、開口部６に、電極パッド２と接触するように、バリアメタル膜７を形成する。次いで、開口部６において、バリアメタル膜７上に、バンプ８を形成する。 （もっと読む）

【課題】実装時における接続信頼性を向上させることができるとともに、高い歩留まりにて製造できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウェーハ１上に、電極パッド２を形成する。次いで、半導体ウェーハ１上に、第１、第２の保護膜４、５を形成する。そして、第１、第２の保護膜４、５を除去して、薄膜化し、電極パッド２上に開口部６を形成する。次いで、開口部６において、電極パッド２の表面上に残存する第１の保護膜４を選択的に除去し、電極パッド２の表面を露出させるとともに、電極パッド２の表面上に、第１の保護膜４の一部からなり、開口部６の段差よりも小さい段差を有する段差部１２を形成する。次いで、開口部６に、電極パッド２と接触するように、バリアメタル膜８を形成する。そして、電極パッド２上の開口部６内であって、段差部１２の表面上に形成されたバリアメタル膜８上に、バンプ９を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のバンプ表面に形成される凹部を浅くする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上方に第１の絶縁膜１１を形成する工程と、第１の絶縁膜１１上にパッド１２ｂを形成する工程と、第１の絶縁膜１１上及びパッド１２ｂ上に、第２の絶縁膜１３を形成する工程と、第２の絶縁膜１３に、パッド１２ｂ上に位置する第１の開口部１３ａを形成する工程と、第２の絶縁膜１３上及び第１の開口部１３ａ内に、第３の絶縁膜１４を形成する工程と、第３の絶縁膜１４に、第１の開口部１３ａ内に位置する第２の開口部１４ａを形成する工程と、第２の開口部１４ａ内及び第３の絶縁膜１４上にバンプを形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のバンプの表面に形成される凹部を浅くする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上方に第１の絶縁膜１１を形成する工程と、第１の絶縁膜１１上にパッド１２ｂを形成する工程と、第１の絶縁膜１１上及びパッド１２ｂ上に、第２の絶縁膜１３を形成する工程と、パッド１２ｂ上に位置する第２の絶縁膜１３を薄く加工することにより、パッド１２ｂ上に薄膜絶縁膜１３ａを形成する工程と、第２の絶縁膜１３上及び薄膜絶縁膜１３ａ上に、第３の絶縁膜１４を形成する工程と、薄膜絶縁膜１３ａ及び前記第３の絶縁膜１４に、パッド１２ｂ上に位置する接続孔１５ａを形成する工程と、接続孔１５ａ内及び第３の絶縁膜１４上にバンプ１６を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のバンプの表面に形成される凹部を浅くする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上方に第１の絶縁膜１１を形成する工程と、第１の絶縁膜１１上にパッド１２ｂを形成する工程と、第１の絶縁膜１１上及びパッド１２ｂ上に第２の絶縁膜１３を形成する工程と、第２の絶縁膜１３上に第３の絶縁膜１４を形成する工程と、第３の絶縁膜１４に、パッド１２ｂの上方に位置する第１の開口部１４ａを形成する工程と、第２の絶縁膜１３に、パッド１２ｂ上に位置し且つ第１の開口部１４ａより大きさの小さい第２の開口部１３ａを形成する工程と、第２の開口部１３ａ内及び第２の絶縁膜１３上に、第１の開口部１４ａ内に位置するバンプ１６を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の数を少なくすることが出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、第１導電型素子領域１ｂ、第２導電型素子領域１ａ、及び素子分離膜２上に、第１導電型の不純物が導入されたポリシリコン膜４を形成し、ポリシリコン膜４をパターニングすることにより、第１ゲート電極４ｂ、第２ゲート電極４ａ、及び抵抗素子４ｃを形成する。第１ゲート電極４ｂ及び抵抗素子４ｃを第１のマスクで覆い、第２導電型の不純物を注入することにより、第２の不純物領域を形成するとともに、第２ゲート電極４ａを低抵抗化する。また、第２導電型素子領域１ａ及び抵抗素子４ｃを第２のマスクで覆い、第１導電型の不純物を注入することにより、第１の不純物領域を形成するとともに、第１ゲート電極４ｂを低抵抗化する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン抵抗に導入された不純物の外方拡散を抑制することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ゲート電極４ａ及びポリシリコン抵抗４ｃそれぞれを形成する工程と、ゲート電極４ａ上及びポリシリコン抵抗４ｃ上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に、ポリシリコン抵抗４ｃの上方に位置するレジストパターン１２を形成する工程と、レジストパターン１２をマスクとして絶縁膜をエッチバックすることにより、ゲート電極４ａの側壁にサイドウォール５ａを形成するとともに、ポリシリコン抵抗４ｃ上に拡散防止膜５ｃを形成する工程とを具備する。 （もっと読む）