説明

日新イオン機器株式会社により出願された特許

11 - 20 / 161


【課題】部材の位置合わせに係る工程数を減少させ、位置合わせに要する時間を短縮し、半導体製造装置の生産性を向上させる。
【解決手段】基板保持部材1は、半導体基板11を保持する保持面を備えたベース2と少なくとも1つの開口部を有していて保持面と対向するようにベース2上に支持されたマスク9とを備えている。さらに、基板保持部材1は、保持面とマスク9との間に、半導体基板11が挿通される基板挿通部14を備えている。 (もっと読む)


【課題】第一と第二の面を備えた3次元構造を有するデバイスへのイオン注入時にイオンビームの空間電荷効果による発散を抑制し、基板全域に渡って略均一な特性を有する3次元構造のデバイスを製造する。
【解決手段】第二の面にマスクを配置して第一の面へのイオン注入を行った後、第二の面のマスクを取り外して、第一の面へのイオン注入を行う3次元構造のデバイスへのイオン注入方法において、マスクを取り外した後、第一の面へのイオン注入に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程S4と、当該角度が所定範囲内にあるかどうかを判別する判別工程S5と、判別工程S5で所定範囲内にないと判断されたとき、イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程S6を行う。 (もっと読む)


【課題】リボン状のイオンビームの長辺方向におけるビーム電流密度分布を電界レンズにより調整する場合に、従来の電界レンズで発生していたイオンビームの長辺方向における伸縮作用を低減させる。
【解決手段】このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム2の長さ方向におけるビーム電流密度分布の計測結果に応じて、イオンビーム2の長辺方向における少なくとも一部を略短辺方向に向けて偏向させる偏向電極5と偏向されたイオンビーム2を部分的に遮蔽する遮蔽部材6を備えている。また、偏向電極5はイオンビーム2の短辺方向からイオンビーム2を挟んで対向配置された1枚の平板電極11と電極群12で構成されている。そして、平板電極11は電気的に接地されているとともに、電極群12を構成する複数の電極13〜17は互いに電気的に独立していて、各電極には電位設定を行う為の複数の電源V1〜V5が個別に接続されている。 (もっと読む)


【課題】プラズマ生成容器への防着板の取り付け、取り外しに係る作業効率を改善する。
【解決手段】プラズマ処理装置やイオンビーム照射装置で用いられるプラズマ生成容器4内に防着板20を防着板支持部材15により取り付ける。この防着板支持部材15は、プラズマ生成容器4の内壁に少なくとも一部が当接する本体部と、本体部より延設された端部を有するとともに、プラズマ生成容器4に防着板支持部材15を組み付けたとき、端部はプラズマ生成容器4の内壁より離間している。 (もっと読む)


【課題】 イオン源の引出し電極系を構成する電極の広い領域に亘って高速で堆積物を除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 イオン源2のプラズマ生成部4にイオン化ガスを導入してイオンビームを引き出す代わりに、引出し電極系10を構成する第1電極11と第2電極12との間にクリーニングガス48を供給して、第1電極11と第2電極12との間のガス圧を、イオンビーム引き出し時のガス圧よりも高く保った状態で、第1電極11と第2電極12との間にグロー放電用電源60から電圧を印加して、両電極11、12間にクリーニングガス48のグロー放電80を発生させる。 (もっと読む)


【課題】基板寸法の大型化に伴って、リボン状のイオンビームの長さ方向における寸法を長くした場合であっても、従来の構成に比べて、消費電力が小さく、磁極間での磁場分布が均一で、しかも、寸法の小さい質量分離マグネットを備えたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置IMは、リボン状のイオンビーム1を生成するイオン源2と、イオンビーム1の主面を介して対向配置された一対の磁極9を有し、磁極9間で発生される磁場Bによって、イオンビーム1の進行方向をイオンビームの長さ方向に偏向させる質量分離マグネット3と、所望するイオン種を含むイオンビーム1を通過させる分析スリット4と、分析スリット4を通過したイオンビーム1が照射される基板6が配置された処理室5とを有している。そして、磁極9間で発生される磁場Bの方向が、質量分離マグネット3内を通過するイオンビーム1の主面を斜めに横切る方向である。 (もっと読む)


【課題】従来のイオン源に比べて、フィラメント(カソード)の断線が少なく、安定して、大型かつ大電流のイオンビームを生成する。
【解決手段】イオン源8は、スリット状開口部11を有し、内部に突出した先端部がプラズマ3に接触しない位置に配置された少なくとも1つのカソード2を備えたプラズマ生成容器U11〜U42を複数備えている。さらに、スリット状開口部11の長手方向に沿って各プラズマ生成用器内U11〜U42に磁場を発生させる磁場生成手段12と、スリット状開口部11を通して、断面形状が略長方形状のリボン状のイオンビーム19を引き出す引出電極6とを備えている。そして、略長方形状断面の短手方向から見たとき、各プラズマ生成容器U11〜U42から引き出されたリボン状のイオンビーム19の略長方形状断面の長手方向における一端部が互いに重なっている。 (もっと読む)


【課題】引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。
【解決手段】イオン源2から引き出されたイオンビームIBから特定の質量数及び価数のイオンを選別して導出する質量分離器3と、当該質量分離器3から導出されたイオンビームIBを加速又は減速する加速管4と、当該加速管4から導出されたイオンビームIBから特定のエネルギーのイオンを選別して導出するエネルギー分離器5とを有するイオン注入装置100の制御方法であって、加速モード運転において加速電圧Vを0kVとならないように制御する。 (もっと読む)


【課題】有機金属ガスを用いることなくガリウムイオンを含むイオンビームを発生させるとともに、被スパッタ面の面積を可及的に大きくすると同時に、被スパッタ部材の取り付け構造を簡単化するだけでなく、反射電極構造体をコンパクトにしつつ、陰極から射出される電子の反射効率を向上させる。
【解決手段】反射電極構造体4が、プラズマによりスパッタリングされて所定のイオンを放出するものであり、被スパッタ面41Aとその裏面とを貫通する貫通孔411を有する被スパッタ部材41と、被スパッタ部材41の貫通孔411に挿入されて被スパッタ部材41を支持するとともに、貫通孔411を介して被スパッタ面側に露出した反射電極面42Xを有する電極本体42とを備えており、被スパッタ部材41の材質が、酸化ガリウム、窒化ガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム又はフッ化ガリウムである。 (もっと読む)


【課題】
イオン、CイオンまたはCイオン(xは1以上の整数)を生成し、ウエハに対して、効率的にイオン注入する。
【解決手段】
本発明のイオン注入方法では、CnHx(nは4≦n≦6の整数、xは1≦x≦2n+2の整数)で表されるイオン生成用原料を使用し、CmHyイオン(mは4≦m≦6の整数、yは1≦y≦2m+2の整数)を生成する。その後、生成されたイオンをウエハに注入する。
(もっと読む)


11 - 20 / 161