【課題】複数のイオンビーム供給装置の各々から処理室内に供給されるリボン状イオンビームの長辺方向と略直交する方向にガラス基板を搬送させ、ガラス基板の全面に渡って、各リボン状イオンビームによる照射領域を重ね合わせて、ガラス基板上に略均一なイオン注入量分布を形成するイオン注入装置において、イオン注入条件に応じて、各イオンビームにおけるビーム電流密度分布の調整目標を設定し、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】イオン注入装置に設定されるイオン注入条件に基づいて、調整目標設定データを検索する。調整目標設定データ内にイオン注入条件と合致するデータがある場合には、各リボン状イオンビームのうち少なくとも１本のリボン状イオンビームのビーム電流密度の調整目標を、調整目標設定データから読み出したビーム電流の値を用いて設定する。 （もっと読む）

【課題】ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、１本目からｍ−１本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第１の許容範囲内に入るように調整する。その後、各リボン状イオンビームに対する調整結果を合算した分布とｍ本のイオンビームに対して設定された目標分布を合算した分布との差に応じて、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する為の新たな目標分布を設定し、この新たな目標分布に対して第２の許容範囲内に入るように、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する。 （もっと読む）

【課題】いわゆるバケット型イオン源においてプラズマ生成効率を向上させる。
【解決手段】直方体形状をなし、一の側壁２１ａにイオン引き出し口２１Ｈが形成されたプラズマ生成容器２１と、イオン引き出し口２１Ｈが形成された側壁２１ａ以外の他の側壁２１ｂ〜２１ｆの外面に沿って設けられ、プラズマ生成容器２１内部にカスプ磁場を形成する複数の磁石２２と、プラズマ生成容器２１の隣接する側壁間に形成される角部２１Ｋから内部に挿入して設けられた１以上のフィラメント２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】このイオン注入方法は、予め決められた順番で、複数本のリボン状イオンビームの各々が所定の電流密度分布となるように調整されるビーム電流密度分布調整工程と、ビーム電流密度分布調整工程の間であって、２本目以降の各イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整がなされる前に、先になされたビーム電流密度分布の調整結果を用いて、これからビーム電流密度分布の調整がなされるイオンビームに対する調整目標とされるビーム電流密度分布を修正する目標修正工程と、複数本のリボン状イオンビームの長辺方向と交差する方向にガラス基板を搬送させるガラス基板搬送工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハのツイスト角度を、イオン注入条件の一つとして与えられる角度に精度良く合わせることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】 光源６４からの光７４を導いてウェーハ２の外周部に光照射領域を４箇所形成するライトガイド６６、７０ａ〜７０ｄと、カメラ８４と、画像処理装置とを設けておく。そして、アライナー４０において、ウェーハ２をプラテン１４へ移載したときに上記光照射領域の内の一つ内にノッチ４が位置するようにアライメント角度αを調整し、ウェーハ搬送装置４２ａ、４６によってアライナー４０からプラテン１４へウェーハ２を搬送する。更に上記画像処理装置を用いて、プラテン１４上のウェーハ２のノッチ４の角度を検出して、その角度とアライメント角度αとの第１の差に、アライメント角度αとイオン注入条件の一つとして与えられるツイスト角度との第２の差を加味した角度ぶん、ウェーハ２を回転させる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上への半導体素子の製造に関する生産性を低下させずに、大型のガラス基板全面へのイオン注入を実現する。
【解決手段】
イオン注入処理がなされる処理室（２１）内で、ガラス基板（２５）の搬送方向と略直交する方向にて、ガラス基板（２５）よりも大きな寸法を有するリボン状のイオンビーム（３、１３）を発生させる複数のイオンビーム供給装置（１、１１）と、ガラス基板（２５）へのイオン注入量に応じて、複数のイオンビーム供給装置（１、１１）の運転状態を切り替える制御装置（３２）と、を備えたイオン注入装置（ＩＭ１）。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム照射装置の生産性に支障をきたすことなく、磁石内部での電子の閉じ込めを達成する。
【解決手段】イオンビーム照射装置で用いられる磁石１は、イオンビーム８を挟むように対向して配置された一対の磁極２と、一対の磁極２の各対向面に設けられ、磁極２間における電子の閉じ込め作用を発生させる複数の磁場集中部材３と、少なくとも複数の磁場集中部材３におけるイオンビーム８を挟んで相対向している面を覆う保護部材４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板上の分割帯を利用する装置であって、基板駆動に大掛かりな装置を必要とせず、しかもスループットを向上させることができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された処理室１０ａ、１０ｂと、１枚以上の基板２をその分割帯８２に平行なｘ方向に沿って搬送する基板搬送装置と、各処理室１０ａ、１０ｂに、ｙ方向に長いリボン状のイオンビーム５４ａ、５４ｂをそれぞれ供給してそれらを各基板２のｙ方向の端部から分割帯８２にかけての領域に照射するイオンビーム供給装置５０ａ、５０ｂとを備えている。更に、イオンビーム５４ａの、分割帯８２に位置する端部を整形するビーム整形機構７０ａと、イオンビーム５４ｂの、分割帯８２に位置する端部を整形するビーム整形機構７０ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、しかもイオンビーム寸法を基板寸法よりも小さくしてイオンビーム供給装置の大型化、処理室の大型化等を抑えることができるようにする。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された処理室１０ａ、１０ｂと、１枚以上の基板２を搬送する基板搬送装置と、各処理室１０ａ、１０ｂにＺ方向に長いリボン状のイオンビーム５４ａ、５４ｂをそれぞれ供給して、基板搬送と協働して、基板２上に二つのビーム照射領域を、互いにＺ方向の一部分を重ね合わせて形成するイオンビーム供給装置５０ａ、５０ｂとを備えている。更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】ビーム偏向器内部での空間電荷効果によるイオンビームの広がりを抑制し、イオンビームを効率良くターゲットに輸送する。
【解決手段】このイオン注入装置は、イオンビームの中心軌道の進行方向をＸ方向とすると、広がりを有するイオンビームの全体形状をＸ方向に実質的に平行となるように磁界によってイオンビームを偏向させるビーム偏向器を備えている。ビーム偏向器は一対の磁極と、磁極上に設けられた絶縁部材と、絶縁部材上に配置されイオンビームが通過する空間を挟んで相対向するとともに、イオンビームの進行方向に沿って非対称なアインツェルレンズを構成する少なくとも１つの電極組と、電極組に電圧を印加するための少なくとも１つの電源とを備えている。 （もっと読む）