説明

日新イオン機器株式会社により出願された特許

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【課題】ビーム偏向器内部での空間電荷効果によるイオンビームの広がりを抑制し、イオンビームを効率良くターゲットに輸送する。
【解決手段】このイオン注入装置は、イオンビームの中心軌道の進行方向をX方向とすると、広がりを有するイオンビームの全体形状をX方向に実質的に平行となるように磁界によってイオンビームを偏向させるビーム偏向器を備えている。ビーム偏向器は一対の磁極と、磁極上に設けられた絶縁部材と、絶縁部材上に配置されイオンビームが通過する空間を挟んで相対向するとともに、イオンビームの進行方向に沿って非対称なアインツェルレンズを構成する少なくとも1つの電極組と、電極組に電圧を印加するための少なくとも1つの電源とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ発生装置を備えていても、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置によるイオンビーム電流の測定に誤差が生じるのを抑制する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、プラズマ発生装置24と、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置30とを備えている。イオンビーム電流測定装置30は、ビーム電流検出器32、第1抑制電極34および第2抑制電極36を備えている。更に、負の第1抑制電圧V1 を第1抑制電極34に印加する第1抑制電源40と、正の第2抑制電圧V2 を出力する第2抑制電源42と、プラズマ発生装置24がオンのときは、第2抑制電極36を第2抑制電源42に接続し、プラズマ発生装置24がオフのときは、第2抑制電極36を第2抑制電源42から切り離して第1抑制電源40に接続する切り換え器44とを備えている。 (もっと読む)


【課題】静電チャックからのウエハの離脱及び静電チャックに載置されるウエハのツイスト角の調整を簡単な構成により実現するとともに、静電チャックを回転させることなくウエハのツイスト角を調整可能にする。
【解決手段】静電チャックプレート21の外側に延出するウエハWの周端部Waに接触して、ウエハWを載置又は離脱するためのリフト部材41と、ウエハWが静電チャックプレート21に載置された状態でウエハWに非接触である退避位置Pと、ウエハWを保持してウエハWが静電チャックプレート21から離間した離間位置Qとの間で、リフト部材41を鉛直方向に沿って昇降させる昇降機構43と、リフト部材41がウエハWを保持した離間位置Qにある状態でリフト部材41を回転させることにより、ウエハWのツイスト角βを調整する回転機構42とを備える。 (もっと読む)


【課題】 インライン方式に相当する使用においてイオンビーム供給装置のメンテナンス
を行う際、他の処理室に悪影響を与えることなくメンテナンスを行うことができるイオン
ビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室に、
リボン状のイオンビームをそれぞれ供給して、基板の搬送と協働して、各基板の全面にイ
オンビームをそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置を備えていて、複数の処理室
とビームラインの間には、複数の真空弁を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射方法は、基板10をイオンビーム4の主面4sと交差する方向に移動させながら基板にイオンビームを照射して基板上に第1のビーム照射領域を形成する第1のビーム照射工程と、基板10をその面内で180度回転させる基板回転工程と、基板10をイオンビーム4の主面4sと交差する方向に移動させながら基板にイオンビームを照射して基板上に第2のビーム照射領域を形成する第2のビーム照射工程とを実施して、基板10上において第1および第2のビーム照射領域の一部分を互いに重ね合わせて、基板の全面にイオンビーム4を照射する。かつ重ね合わせ部分のイオンビーム照射量分布をビーム電流密度分布調整機構30を用いて平坦化する。 (もっと読む)


【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射方法は、電磁石装置50を用いて、イオンビーム4を第1の位置4aに切り換えておいて、基板10をイオンビーム4の主面5と交差する方向に移動させながらイオンビームを照射して基板上に第1のビーム照射領域を形成する第1のビーム照射工程と、イオンビーム4を第2の位置4bに切り換えておいて、同様にして基板10上に第2のビーム照射領域を形成する第2のビーム照射工程とを実施して、基板10上において両ビーム照射領域の一部分を互いに重ね合わせて、基板の全面にイオンビーム4を照射する。かつ重ね合わせ部分のイオンビーム照射量分布をビーム電流密度分布調整機構30を用いて平坦化する。 (もっと読む)


【課題】イオンビームを偏向、収束又は発散させる磁石の磁極間に効率良く電子を閉じ込め、空間電荷効果によるイオンビームの広がりを抑制する。
【解決手段】イオン源2及びターゲットWの間においてイオンビームIBを挟み込むように配置され、イオンビームIBをターゲットWに照射するために偏向等させる磁石6と、磁石6で発生される磁場の強さに関連して電子閉じ込め領域を形成するミラー磁場形成部材11と、磁石6を構成し、複数のミラー磁場形成部材11が磁石6で発生される磁場に沿った方向で対向するように設けられた一組の磁極61a、61bと、を備える。磁極間で発生される磁場と直交する方向における電子閉じ込め領域の幅が最大となった時の寸法をWとし、各磁極61a、61bに設けられた互いに隣接するミラー磁場形成部材11の間隔をWとした時、W≧Wの関係を満たすように、ミラー磁場形成部材11を配置する。 (もっと読む)


【課題】 多様なイオンビーム照射特性を実現することができ、しかも装置の大型化、スループットの低下および基板へのパーティクル付着を抑えることができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室10と、その一端側に接続された入口側真空予備室6と、他端側に接続された出口側真空予備室と、1枚以上の基板2を、大気中から入口側真空予備室6、複数の処理室10および出口側真空予備室を経て大気中へと搬送する基板搬送装置とを備えている。更に、各処理室10にリボン状のイオンビーム54をそれぞれ供給して、基板2の搬送と協働して、各基板2の全面にイオンビーム54をそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置50を備えていて、各基板2の全面に対して複数のイオンビーム供給装置50による複数のイオンビーム照射をそれぞれ行うよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】被スパッタ面の面積を可及的に大きくすると同時に、被スパッタ部材の取り付け構造を簡単化するだけでなく反射電極構造体をコンパクトにしつつ、陰極から射出される電子の反射効率を向上させる。
【解決手段】プラズマ生成容器2内に設けられ、陰極3に対向配置されて電子を陰極3側に反射する反射電極構造体4であって、プラズマによりスパッタリングされて所定のイオンを放出するものであり、被スパッタ面41Aとその裏面とを貫通する貫通孔411を有する被スパッタ部材41と、被スパッタ部材41の貫通孔411に挿入されて被スパッタ部材41を支持するとともに、貫通孔411を介して被スパッタ面41A側に露出した反射電極面42Xを有する電極本体42とを備える。 (もっと読む)


【課題】 タンタル製のフィラメントを有しており、しかも当該フィラメントの加熱時の自重による変形が少ないプラズマ源およびそれを備えるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源を構成するプラズマ源2は、プラズマ生成容器4と、その内部に配置された複数のフィラメント10とを有している。そして各フィラメント10をタンタル製とし、かつ各フィラメント10を沿直下向きに(即ち重力G方向に向けて)配置している。 (もっと読む)


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