【課題】固定されたウエハの温度制御性能を損なうことなく、異なるサイズのウエハを充分に吸着固定できるようにする。
【解決手段】ウエハＷの形状に対応して形成され、そのウエハＷが収容される開口孔２１、及び開口孔２１の下側開口縁下方に延設され、開口孔２１にウエハＷが収容された状態でそのウエハＷの下面に接触して保持する保持爪２２を有するウエハホルダ２と、概略平面状の静電吸着面３０１を有し、静電吸着面にウエハホルダ２及びそれによって保持されたウエハＷが載置された状態で保持爪２２を収容する保持爪収容溝３Ｍが形成された静電チャック３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。
【解決手段】このイオン注入装置は、所望のエネルギーを有するリボン状のイオンビームを半導体基板に照射する為にリボン状のイオンビームを加速あるいは減速させる加減速器と、リボン状のイオンビームの長辺方向における電流密度分布を均一に制御する為の第１の均一化レンズおよび第２の均一化レンズと、半導体基板が配置される処理室と、処理室内に配置されリボン状のイオンビームの長辺方向における電流密度分布の測定を行うビーム電流計測器とを備えている。そして、処理室側からリボン状のイオンビームの経路を見た時、第２の均一化レンズ、加減速器、第１の均一化レンズの順に、イオンビームの経路に沿って配置している。 （もっと読む）

【課題】 加熱して温度を上げたときのフィラメントの腐食および自重による撓みを抑制する。
【解決手段】 このフィラメント４は、通電加熱されて熱電子を放出するフィラメント部６と、フィラメント部６が貫通していてそれからの熱によって加熱されて熱電子を放出する筒状の熱電子放出部８とを備えている。熱電子放出部８を構成する材料の方がフィラメント部６を構成する材料よりも熱電子放射電流密度が大きく、剛性率はフィラメント部６を構成する材料の方が大きい。 （もっと読む）

【課題】 複数枚の基板に一括してイオン注入を行うことができ、しかも各基板の面内における注入量分布の均一性を良くすることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム４が導入される注入室８と、基板１０をＸ方向に第１列と第２列との２列に保持するホルダ１２と、ホルダ１２を水平状態にして基板交換位置４８に位置させる機能およびホルダ１２を起立状態にしてイオンビーム４の照射領域でＸ方向に沿って往復直線駆動する機能を有するホルダ駆動装置１６とを備えている。更に、二つのロードロック機構２０ａ、２０ｂと、各ロードロック機構２０ａ、２０ｂと基板交換位置４８との間で基板１０を搬送するアーム３２ａ〜３２ｄを２本ずつ有する二つの基板搬送装置３０ａ、３０ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能であり、かつイオンビーム生成効率の高いイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源２は、プラズマ生成室２２と、その内部に配置された熱陰極１０と、その内部導体１４に原料ガス８を供給するガス供給パイプ２８と、プラズマ電極３８を有していてプラズマ２０からイオンビーム５０を引き出す引出し電極系３６とを備えている。熱陰極１０は、中空の外部導体１２と、その内側に同軸状に配置された中空の内部導体１４と、両導体１２、１４の先端部を電気的に接続する接続導体とを有しており、原料ガス８は内部導体１４の先端からプラズマ生成室２２内へ放出される。プラズマ電極３８は、陽極を兼ねていて、プラズマ生成室２２の一端部に、熱陰極１０の先端部に対向するように配置されており、かつ熱陰極１０の内部導体１４の先端の正面にイオン引出し孔を有している。 （もっと読む）

【課題】 同軸構造の熱陰極を備えているイオン源において、イオンビーム生成効率の向上および熱陰極の長寿命化を可能にする。
【解決手段】 このイオン源２は、中空の外部導体１２と、その内側に同軸状に配置された中空の内部導体１４と、両導体１２、１４の先端部を電気的に接続する環状の接続導体１６とを有する熱陰極１０を備えている。熱陰極１０は、細長いイオン引出し口６の長手方向に沿うようにプラズマ生成容器４内に挿入されている。このイオン源２は更に、熱陰極１０の内部導体１４内に原料ガス８を供給してそれを内部導体１４の先端からプラズマ生成容器４内へ放出させるガス供給機構を備えている。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ方向の寸法よりもＹ方向の寸法が大きいイオンビームに対して低エネルギーの電子を広範囲に供給することができ、それによって基板の帯電を均一性良く抑制することができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２のＸ方向側の側面に対向する位置に設けられた電極２０ａを備えている。電極２０ａ内には、Ｙ方向に長い環状の永久磁石２４と、その内側に配置されていてＹ方向に長く永久磁石２４とは反対極性の永久磁石２６とが設けられている。この装置は更に、両永久磁石２４、２６間に形成されるトンネル状磁界の領域に電子５０を供給する電子源３０ａを備えている。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームと中性粒子とを分離するイオンビーム偏向器とターゲットとの間において、イオンビームの空間電荷効果によるＹ方向の発散を補償して、イオンビームの輸送効率を高める。
【解決手段】 このイオン注入装置は、Ｘ方向に走査されたイオンビーム４を磁界によって曲げ戻して平行ビーム化してリボン状の形をしているイオンビーム４を導出するビーム平行化器１４を備えている。ビーム平行化器１４は、イオンビーム４を磁界によって偏向させてイオンビーム４と中性粒子とを分離するイオンビーム偏向器を兼ねている。このビーム平行化器１４の出口近傍に、イオンビーム４が通過する空間を挟んでＹ方向において相対向して配置された複数の電極を有していて、イオンビーム４をＹ方向において絞る電界レンズ３０を設けている。 （もっと読む）

【課題】開処理時において確実にマスフローコントローラが全閉状態となっており、チャンバー内へガスが突入するのを防ぐことができるガス制御装置、ガス制御装置の制御方法、及びそれらを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】ガス制御装置１０であって、可変流量バルブ４１を備え、チャンバー１に流入するガスの流量を設定流量となるように制御するマスフローコントローラ４と、前記マスフローコントローラ４の上流に設けられる１次側バルブ６と、前記マスフローコントローラの下流に設けられる２次側バルブ７と、を具備し、前記チャンバー１へのガスの流入を止めるガス閉処理時において、前記マスフローコントローラ４、前記１次側バルブ６、前記２次側バルブ７をこの順で全閉させる、又は、前記１次側バルブ６を全閉させてから第１所定時間以内に前記マスフローコントローラ４を全閉させ、その後に前記２次側バルブ７を全閉させる制御部８を備えた。 （もっと読む）

【課題】ビーム幅よりも幅の大きい基板を、ビーム連ね部に悪影響が生じないように処理する。
【解決手段】面内に行形成分割帯２２および列形成分割帯を挟んでｍ行ｎ列（ｍは３以上、ｎは２以上の整数）に配列された複数のセル２０が形成されている基板１０に対して、Ｙ方向のビ−ム幅がｍ行の半数以上の行のセル２０を含むイオンビーム４を用いて、基板１０をＸ方向に移動させながらイオンビーム４を照射してビーム照射領域を形成するビーム照射工程を２回実施して、かつビーム照射工程の合間に基板１０をその面内で１８０度回転させかつＹ方向に移動させてイオンビーム４を照射するセル２０の行を変更する基板位置変更工程を実施して、両ビーム照射領域を連ねて全てのセル２０にイオンビーム４を照射する。しかも二つのビーム照射領域の連ね部を行形成分割帯２２に位置させ、かつイオンビーム４のＹ方向の端部をマスクでＸ方向に平行に整形する。 （もっと読む）