ルネサスエレクトロニクス株式会社により出願された特許

21 - 30 / 8,021



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 187


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 187


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 187


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 187


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 187


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 187


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 187

【課題】高い絶縁耐圧と電気的対称性を有するトランスを提供すること。
【解決手段】インダクタ102は、中心軸を回転軸として180°回転してインダクタ101と対向配置される。インダクタ101は、配線層L4に同心の開いた環の配線W11〜W14と、インダクタ101及び102の中心軸を通る線で2分割される領域の一方に形成され、ある配線と2つ外側の配線とを接続する交差部11〜13を有する。各交差部は、配線層L3に形成された連結配線CW1と層間配線VW1とを有する。交差部11は、配線W11及びW12が連続的に形成される。インダクタ102は、配線層L1に同心の開いた環の配線W15〜W18と、他方の領域に形成され、ある配線と2つ外側の配線とを接続する交差部14〜16を有する。各交差部は、配線層L2に形成された連結配線CW1と層間配線VW1とを有する。交差部11は、配線W15及びW16が連続的に形成される。 (もっと読む)


【課題】暗号に対するサイドチャネル攻撃から防御するために、素数性判定を行う半導体装置において、素数の漏えいを防止する。
【解決手段】素数性判定におけるべき剰余演算において、従来の指数のランダム化に加え、法をもランダム化する。乱数発生部により発生した乱数をランダム化数として、法生成部と指数生成部に入力する。法生成部と指数生成部は、ランダム化数を用いて素数候補Pをランダム化し、ランダム化された法R1と指数R2を生成する。ランダム化された法R1と指数R2を用いて素数性判定のためのべき剰余演算を実行し、その結果に基づいて、素数性候補Pの素数性を判定する。半導体装置の素数性判定中の消費電力が、判定対象の素数候補の値と無相関となり、サイドチャネル攻撃による素数の漏えいを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】VLIWプロセッサにおいて、小さな回路規模で複雑な条件判定処理を効率良く実行する。
【解決手段】第1の演算器130は、第1の制御信号ctr1に応じて、第1の比較演算器122の出力、該出力とレジスタ50が既に保持している値の論理積、論理和のうちの1つを第1の演算結果CR1として出力する。第2の演算器140は、第2の制御信号ctr2に応じて、第2の比較演算器124の出力と、該出力とレジスタ50が既に保持している値の論理積、論理和の3つのうちの1つを第2の演算結果CR2として出力する。第3の演算器150は、第3の制御信号ctr3に応じて、第1の演算結果CR1、第1の演算結果CR1と第2の演算結果CR2の論理積、論理和のうちの1つを実行結果としてレジスタ50に出力する。レジスタ50は、第3の演算器150からの実行結果を新たに保持し、出力する。 (もっと読む)


21 - 30 / 8,021