【課題】２種類のレギュレータを使用しなくても、電圧の切り換え時にオーバシュートおよびアンダーシュートを発生しないようにすることができるコントローラを提供する。
【解決手段】レギュレータ３０−１〜３０−ｎは、ＣＰＵ２５に電源電圧を供給する。ＳＶＩＤインタフェース１４は、外部から複数の電圧レギュレータ３０−１〜３０−ｎのうち動作させる台数の変更指令を受ける。位相クロック生成部２１は、現在の台数から指示された変更後の台数へ段階的に動作させる電圧レギュレータの台数を変更する。 （もっと読む）

【課題】複数の要求装置の優先順位を動的に可変にでき、処理効率を高めると共に、該複数の要求装置の総数が変化した場合に柔軟に対応可能にする。
【解決手段】調停要求信号ＲＥＱは各調停ブロックに入力される。各調停ブロックは、調停結果と優先信号を調停結果決定回路に出力する。第１の調停ブロック３００は、さらに、優先順位パターンＰ０が入力され、第１の調停結果Ｐ１と第１のマスク信号Ｍ１を第２の調停ブロック４００に出力する。第２の調停ブロック４００は、さらに、第１の調停結果Ｐ１が入力され、第２の調停結果Ｐ２と第２のマスク信号Ｍ２を第３の調停ブロック５００に出力する。第３の調停ブロック５００は、さらに、第２の調停結果Ｐ２が入力される。調停結果決定回路７００は、各調停ブロックからの信号に基づいて調停結果Ｒを選択する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるバンプの接合強度を向上する。
【解決手段】ＷＰＰ５のバンプ接合において、バンプ６が接合する柱状の電極１ｉに、水平方向に突出する突出部１ｊが形成されたことにより、バンプ６の接合強度を向上でき、さらにＷＰＰ５の組み立てにおいて、バンプ６の表面を覆うように絶縁膜１ｍ上に樹脂７を配置し、この樹脂７を硬化させた後、樹脂７を研削してバンプ６の一部を露出させることにより、例えばポリイミドからなる絶縁膜１ｍを樹脂７によって覆うため、耐吸湿性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥に起因したリーク電流を低くする。
【解決手段】ウェル１０６は、半導体基板１００の表層に形成されており、第２導電型を有している。ドレイン拡散層１３０は、半導体基板１００の表層に形成されており、ウェル１０６と接している。ドレイン拡散層１３０は、第１導電型を有する。ソース拡散層１４０はウェル１０６内に形成されており、第１導電型を有している。ゲート絶縁膜１１０は、半導体基板１００半導体基板上に形成されており、平面視でドレイン拡散層１３０とソース拡散層１４０の間に位置している。ゲート電極１２０は、ゲート絶縁膜１１０上に形成されている。そして平面視で、半導体基板１００は、結晶欠陥の密度が相対的に高い結晶欠陥集中領域１０１を有している。結晶欠陥集中領域１０１は、ウェル１０６と接していない。 （もっと読む）

【課題】動作合成により共有化するレジスタのビット幅を小さくすることが可能な動作合成方法、動作合成プログラム及び動作合成装置を提供する。
【解決手段】動作合成方法は、動作記述情報に基づいてスケジューリングしたＣＤＦＧを生成し、スケジューリングされたＣＤＦＧに基づいてライフタイムを変数毎に生成し（Ｓ３０１）、ライフタイム情報が時間軸上で重ならないｍ個の変数を選択し（Ｓ３０２）、第１のビット幅の第１の変数と、その他の変数内の第１のビット幅のビットとに、第１のレジスタを割り当て（Ｓ３０７）、その他の変数内の第１のビット幅のビット以外のビットに、第２のレジスタを割り当て（Ｓ３０８）、第１及び第２のレジスタを有する合成回路の回路情報を出力する。 （もっと読む）

【課題】少ない既知信号及び処理量で良好な復号性能を達成できる軟判定値を求めることができる受信装置が求められていた。
【解決手段】本発明の受信装置は、位相偏移変調方式で一次変調されたＯＦＤＭシンボルを受信する受信部と、受信したＯＦＤＭシンボルにＦＦＴ処理を行うことでサブキャリア信号を取得するＦＦＴ処理部と、サブキャリア信号をデマッピングしてビット列を生成するデマッピング部と、サブキャリア信号のノルムを算出するノルム算出部と、算出したノルムの統計を取ることで重み付け係数を生成する重み付け係数生成部と、デマッピング後のビット列に対して重み付け係数を用いて重み付けを行うことで軟判定値を求める重み付け部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＯＩ基板ＳＢ上に形成されたマットＭＴ内に複数のＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、ＢＯＸ膜を貫き支持基板に達するコンタクトプラグＣＴ２を形成することで、マットＭＴの周囲を、ＳＯＩ基板ＳＢの主面に沿う第１方向または第１方向に直交する第２方向に延在する複数のコンタクトプラグＣＴ２により囲む。これにより、コンタクトプラグＣＴ２をガードリングとして用い、マットＭＴの外部に流れる高周波信号に起因してマットＭＴ内にノイズが発生することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵの負荷を増大させることなくレジスタの設定を再設定することが可能なデータ処理装置を提供する。
【解決手段】データ処理装置は、プロセッサと、プロセッサと協働して動作するための少なくとも１つの周辺装置と、周辺装置と協働して動作するために必要な周辺装置の動作の状態を規定する設定データを格納しているメモリとを含む。周辺装置は、プロセッサにより設定される設定データを格納するための少なくとも１つのレジスタを含む。データ処理装置は、プロセッサにより設定された後、プロセッサとは独立して、レジスタに設定された設定データの値を再設定するためのレジスタ再設定装置とをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】常時動作領域と電源遮断可能領域とが混在する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けられ、複数の基本セル（１０）の配置が可能なセル配置領域と、空間的に前記セル配置領域と重なって設けられた基本電源配線（１１）と、前記基本電源配線（１１）から前記セル配置領域への電源供給を停止するスイッチセル（６）と、前記スイッチセル（６）に隣接して前記セル配置領域に配置され、前記スイッチセル（６）が前記セル配置領域への電源供給を停止した場合においても、前記スイッチセル（６）から電源供給を受ける常時動作セル（５）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】メモリに入力される外部データが、内部のメモリの処理速度に対して高い場合でも、データの書込みミスなく処理でき、消費電力を抑える半導体装置を提供する。
【解決手段】メモリアレイ制御回路１２Ａ〜１２Ｎは、第１の動作として、記憶部に格納されたデータであって、メモリ１００の処理速度のうち第１の処理速度で処理可能なデータを読出し、複数のメモリアレイ１０Ａ〜１０Ｎへ書込みし、メモリアレイ制御回路１２Ａ〜１２Ｎは、第２の動作として、残余データのうちメモリ１００の処理速度のうち第２の処理速度で処理可能なデータを読出し、複数のメモリアレイ１０Ａ〜１０Ｎへ書込みを行う。 （もっと読む）