【課題】高度な知識、ノウハウを持たない場合であっても、適切に色空間における色変換の変換規則を設定する。
【解決手段】３次元ルックアップテーブル部は、入力された画像信号の色情報を変換規則に基づいて変換する。補正範囲算出部１１０は、予め設定される色空間における移動元座標と移動先座標の位置関係に基づいて、色空間における補正範囲を算出する。格子点移動量算出部１２０は、移動元座標と移動先座標の位置関係、及び補正範囲内の各点の座標と移動元座標との位置関係、に基づいて、当該各点の変換先座標を算出し、変換規則に反映させる。 （もっと読む）

【課題】走行制限が解除された際の急加速を防止した安全な運転を行うこと
【解決手段】車両１は、アンテナ２を介して走行制限信号を受信する。走行制限信号は、走行制限エリアでの移動体の制限速度を含む。走行制御ＥＣＵ５は、走行制限エリアでの車両速度を制限速度以下となるように制御する。走行制御ＥＣＵ５は、アンテナ２を介して走行制限エリアでの走行制限の解除を指示する走行制限解除信号を受信する。走行制御ＥＣＵ５は、当該受信の際に制限速度を超える加速操作を運転者が行っていた場合、車両１の停止制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ装置の表示能力を最大限に生かしつつ、記録される情報量を削減する。
【解決手段】記録再生装置１は、受信部１１と、コンテンツ情報を取得するコンテンツ情報取得部１２と、ディスプレイ装置２の性能情報を取得する性能情報取得部１３と、録画履歴情報取得部１４と、録画情報を記録する際の解像度、色深度、フレームレート、及びビットレートを決定する各パラメータを設定するパラメータ設定部１５と、符号化部１６と、記録部１７とを備える。パラメータ設定部１５は、コンテンツ情報と性能情報とを比較し、ディスプレイ装置２の表示能力を超えないようにパラメータを設定すると共に、コンテンツ情報と録画履歴情報とを比較し、今回録画しようとする録画情報と同一の番組が過去に録画されている場合には、パラメータを当該過去の録画時と同様に設定する。 （もっと読む）

【課題】ＵＳＢ３．０ホストまたはＵＳＢ３．０ハブの電力消費を削減する。
【解決手段】ＳＳ（ＳＳ：Ｓｕｐｅｒ Ｓｐｅｅｄ）に関連する処理を行うＳＳブロックと、ＵＳＢ２．０に関連する処理を行うＵＳＢ２．０ブロックとを有するＵＳＢ３．０ホストまたはＵＳＢ３．０ハブに対して、ＤＳ（ＤＳ：Ｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ Ｆａｃｉｎｇ）ポートに接続されたＵＳＢ機器であるＤＳ機器とのＳＳ接続が確立したときに、ＵＳＢ２．０ブロックに、該ＤＳ機器と接続されたＤＳポートに対するＵＳＢ２．０接続処理を停止させる。また、ＤＳ機器とのＵＳＢ２．０接続が確立したときに、ＳＳブロックに、該ＤＳ機器と接続されたＤＳポートに対するＳＳ接続処理を停止させる。 （もっと読む）

【課題】出力波形に付加される遅延の増大を抑制することが可能な出力回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる出力回路は、高電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、電源電圧ＶＤＤ〜接地電圧ＶＳＳ間の電圧範囲を振幅する一対の増幅信号の一方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＰ１１と、低電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、一対の増幅信号の他方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＮ１１と、電源電圧ＶＤＤより低く接地電圧ＶＳＳより高い中間電圧ＶＭＬが供給されている低電位側電源端子と、出力トランジスタＭＰ１１のゲートと、の間に設けられ、出力トランジスタＭＰ１１のゲート電圧と中間電圧ＶＭＬとの電圧差に基づいて出力トランジスタＭＰ１１のゲートをクランプするクランプ用トランジスタＭＰ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭメモリセルを有する半導体装置において、その特性の向上を図る。
【解決手段】ＳＲＡＭを構成するアクセストランジスタＡｃｃ１が配置される活性領域ＡｃＰ１の下部において、絶縁層ＢＯＸを介して配置されたｐ型の半導体領域１Ｗの底部および側部が、ｎ型の半導体領域２Ｗと接するように配置し、ｐ型の半導体領域１Ｗをｎ型の半導体領域２Ｗでｐｎ分離し、アクセストランジスタＡｃｃ１のゲート電極Ｇ２とｐ型の半導体領域１Ｗを接続する。そして、この接続は、アクセストランジスタＡｃｃ１のゲート電極Ｇ２の上部からｐ型の半導体領域１Ｗの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグＳＰ１ｗによりなされる。これにより、アクセストランジスタＡｃｃ１がオン状態の場合において、バックゲートであるｐ型の半導体領域１Ｗの電位が同時に高くなり、トランジスタのオン電流を大きくできる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を容易に開発することが可能な半導体装置の開発支援装置、開発支援方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】
設計評価装置３は、センサ２の測定信号を入力するアナログフロントエンド部１００とＭＣＵ部２００とを有する設計評価装置３であって、アナログフロントエンド部１００の回路構成に対応したＧＵＩを表示するＧＵＩ処理部３０１と、ユーザによるＧＵＩの操作に基づいて、アナログフロントエンド部１００の回路構成及び回路特性を設定する設定情報を生成し、ＭＣＵ部２００を介してアナログフロントエンド部１００へ生成された設定情報を設定するレジスタ設定部３０２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ回路の横に配置されたＭＥＭＳ振動子の温度を上記ＣＭＯＳ回路内で容易に検出する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置（１）は、ＭＥＭＳ振動子（１１）と、ＣＭＯＳ回路（１２）とを含む。上記ＣＭＯＳ回路は、温度検出のための温度センサ（１６）と、上記ＣＭＯＳ回路で消費する電流を検出可能な電流センサ（１９）と、上記電流センサでの検出結果に基づいて上記ＣＭＯＳ回路の温度上昇分を求め、それに基づいて、上記温度センサで得られた温度情報を補正する温度情報補正回路（１７）と、上記温度情報補正回路で補正された温度情報に基づいて、上記クロック信号の周波数を補正するための回路（１５）とを含む。ＣＭＯＳ回路の横にＭＥＭＳ振動子が配置されることで、ＭＥＭＳ振動子とＣＭＯＳ回路との間に温度差を生じている場合でも、上記温度情報補正回路での補正によって、ＭＥＭＳ振動子の温度情報を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】開発期間を短縮することが可能な半導体装置及びセンサシステムを提供する。
【解決手段】半導体装置１は、センサ２から入力される測定信号に対しアナログフロントエンド処理を行うとともに、アナログフロントエンド処理を行うための回路構成及び回路特性が変更可能なアナログフロントエンド部１００と、アナログフロントエンド処理が行われた測定信号をＡ／Ｄ変換するとともに、アナログフロントエンド部１００に対し回路構成及び回路特性を設定するＭＣＵ部２００と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体基板の裏面電極は、低コンタクト抵抗を実現するために、ニッケル等のシリサイド形成用メタル膜を堆積後、ＰＤＡとして摂氏１０００度程度の熱処理を必要とする。この熱処理を通常の熱処理やＲＴＡで実行する場合には、ウエハの表面側がアルミニウム等の融点を超えるため、アルミニウム膜等の形成前に実施しなければならないという制約がある。また、既存の紫外線レーザを用いたレーザアニールでは、コンタクト抵抗を十分に下げられないという問題がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、ＳｉＣ基板の表面側にアルミニウム系メタル膜が形成された状態で、裏面にシリサイド形成用メタル膜を成膜し、この裏面に対してレーザビームによってシリサイド化処理を実行する半導体装置の製造方法であって、このレーザビームを、前記シリサイド形成用メタル膜を実質的に透過しない波長域に属する可視光とするものである。 （もっと読む）