【課題】半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、（ａ）素子分離領域ＳＴＩにより囲まれた半導体領域３よりなる活性領域Ａｃに配置されたＭＩＳＦＥＴと、（ｂ）活性領域Ａｃの下部に配置された絶縁層ＢＯＸとを有する。さらに、（ｃ）活性領域Ａｃの下部において、絶縁層ＢＯＸを介して配置されたｐ型の半導体領域１Ｗと、（ｄ）ｐ型の半導体領域１Ｗの下部に配置されたｐ型と逆導電型であるｎ型の第２半導体領域２Ｗと、を有する。そして、ｐ型の半導体領域１Ｗは、絶縁層ＢＯＸの下部から延在する接続領域ＣＡを有し、ｐ型の半導体領域１Ｗと、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇとは、ゲート電極Ｇの上部から接続領域ＣＡの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグＳＰ１により接続されている。 （もっと読む）

【課題】固浸レンズの移動をスムーズに実施可能であると共に、固浸レンズと観察対象の密着性を高めることが可能なレンズホルダ機構、電子装置の解析装置及び固浸レンズの制御方法を提供する。
【解決手段】電子装置の解析装置１００は、電子装置が発する光を検出するための固浸レンズ１０１と、固浸レンズに取り付けられる磁石１１２と、磁力により磁石の位置を調節する電磁石１１４と、磁石の変位を検出するセンサ１１５と、センサからの情報に応じて電磁石の磁力及び位置を制御する制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】起動時の消費電流を小さく抑制できるチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】このチャージポンプ回路３０では、ポンプ回路１０の起動期間は分周クロック信号ＣＬＫＤをポンプ回路１０に与えてポンプ回路１０の電流供給能力を低く設定し、起動期間の終了後はクロック信号ＣＬＫをポンプ回路１０に与えてポンプ回路１０の電流供給能力を高く設定する。したがって、起動期間はポンプ回路１０の消費電流を小さく抑制し、起動期間の終了後はポンプ回路１０の電流供給能力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】電源投入後から外部リセット信号が最初にアクティブになるまでの期間にリセット信号をアクティブにすることが可能なリセット信号生成回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるリセット信号生成回路１０１は、外部リセット信号が最初にアクティブになったことを検出する外部リセット検出回路１０２と、外部リセット検出回路１０２の検出結果が、外部リセット信号が最初にアクティブになる前であることを示す場合、外部リセット信号に関わらずリセット信号をアクティブにする制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信号にノイズがのることを抑制する。
【解決手段】第１配線基板１００の第１面１０２上には、半導体チップが搭載される。第１配線基板１００の第１面１０２は、ボンディング電極１１０の外に、第１グランドプレーン１２０、信号用第１配線１３２、グランド用第１配線１３４、及び電源電位用第１配線１３６を有している。グランド用第１配線１３４は、信号用第１配線１３２に隣接するように延伸しており、グランド用ボンディング電極１１４を第１グランドプレーン１２０に接続している。グランド用ホール配線１４４は、信号用ホール配線１４２に隣接している。グランド用ホール配線１４４は、第１グランドプレーン１２０を、第２面１０４に設けられたグランド用第２配線に接続している。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの薄型化を推進できる技術を提供する。
【解決手段】ＬＣＤドライバを構成する半導体チップＣＨＰのチップ側面やチップ裏面から入射される光を遮光するために、半導体チップＣＨＰとは別部品である遮光テープを使用せず、半導体チップＣＨＰ自体のチップ側面とチップ裏面に遮光膜ＳＤＦを形成する。これにより、別部品としての遮光テープを使用しないため、遮光テープが薄型化したガラス基板ＧＳ２の表面から突出するという不具合を解消することができる。この結果、液晶表示装置の薄型化、ひいては、液晶表示装置を搭載した携帯電話機ＭＰの薄型化を推進することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路ブロックへの電力供給復帰時に、無駄な充放電を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１電源電圧を供給する第１電源線と、第１電源電圧よりも高い第２電源電圧を供給する第２電源線と、前段回路ブロックと、前段回路ブロックの出力信号に基づいて動作する後段回路ブロックと、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに対する第１電源電圧及び第２電源電圧の供給を制御する電力供給制御回路と、を備える。電力供給制御回路は、後段回路ブロックへの第１電源電圧の供給開始タイミングを前段回路ブロックへの第１電源電圧の供給開始タイミングよりも遅延させる。更に、電力供給制御回路は、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに第１電源電圧が供給された後に、第２電源電圧を前段回路ブロックと後段回路ブロックの両方に供給する。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンピュータのチップに内蔵した割り込み回路における割り込み処理の遷移を、インサーキットエミュレータを使用せずに時間計測する。
【解決手段】割り込み監視回路１１が、割り込み要求、ＣＰＵ（中央演算処理装置）からの割り込み許可信号、割り込み処理の本体の開始信号、割り込み処理の本体の終了信号、割り込み前のプログラムへの復帰信号の少なくとも１つをトリガとしてタイマ回路１２にトリガ信号Ｓ１を供給することにより、タイマのカウント値をキャプチャレジスタに取り込んだ直後に、取り込んだタイマのカウント値と割り込み種類情報を、内部バス３３に接続された内部メモリ３２に転送する。割り込み処理の実行後に、各々の割り込み種類ごとに、割り込み待ち時間、割り込み前処理の時間、割り込み処理本体の時間、割り込み後処理の時間、割り込み処理全体の時間の少なくとも１つを計算する。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ｎ，６ｐの側面にサイドウォール９を形成した後、サイドウォール９の両側の半導体基板１に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板１の主面上に第１絶縁膜１４、第２絶縁膜１５、および第３絶縁膜１６を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第１絶縁膜１４は、第２絶縁膜１５よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第２絶縁膜１５とエッチング選択比が異なる膜である。第２絶縁膜１５は、第１絶縁膜１４よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第３絶縁膜１６は、第１絶縁膜１４および第２絶縁膜１５よりも内部応力の変化が大きい膜である。 （もっと読む）

【課題】デジタル変調方式に基づく無線通信において、目的電波と比較して低レベルの妨害波を受信信号の中から検出できるようにすること。
【解決手段】妨害波検出回路は、受信したアナログ信号をデジタル復調して得られた時系列信号の各時点における信号点に対する収束点を推定する収束点推定部と、時系列信号と収束点との各時点における差分を誤差信号として算出する誤差算出部と、誤差信号を時間領域から周波数領域へ変換する変換部と、周波数領域に変換された誤差信号に基づいて、時系列信号に含まれる妨害波の成分を検出する検出部と、を備える。 （もっと読む）