【課題】一定の電子部品をも含むようにして構成する形式の回転駆動装置に適用する場合に、その回転駆動装置における一層の薄型化を図りつつ、内部の電子部品収容スペースを十分に確保することが可能な積層コイルを実現する。
【解決手段】複数の各コイル層１１０〜１４０は、自層の中心から放射方向に延長した複数の仮想半直線で区切られた複数の部分領域Ｓ１〜Ｓ６のうちの一部または全部の各該当する部分領域ごとに前記平面コイルを埋設して構成し、当該複数のコイル層を既定の順序で積層し他層との相対位置を固定して積層コイル１００を構成し、複数のコイル層のうち既定の複数のコイル層は、自層の複数の部分領域Ｓ１〜Ｓ６のうちの特定の部分領域Ｓ２，Ｓ３に平面コイルを埋設せず且つ他層に設けられた電子部品１４，１５との干渉を回避するためのキャビティ１３１，１４１を形成した干渉回避用コイル層１３０，１４０とする。 （もっと読む）

【課題】長い距離にわたって温度に依存することなく高いリニアリティを比較的小さな機構体積で確保すること。
【解決手段】３個のホール素子のうち中心位置にある第２のホール素子８１ｂと、この第２のホール素子に対して等間隔に配置された第１及び第３のホール素子８１ａ，８１ｃとを備え、比較判定回路８３は、第２のホール素子８１ｂからの出力信号の第２の差分信号の正負を判定して、この第２の差分信号が正（０を含む）ならば、第１のホール素子８１ａからの出力信号の第１の差分信号を出力し、第２の差分信号が負ならば、第３のホール素子８１ｃからの出力信号の第３の差分信号を出力する。除算器８４は、第２の差分信号を第１の差分信号で除算、もしくは第２の差分信号を第３の差分信号で除算する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーの接合強度を維持しつつ、ワイヤーの高さをさらに低くできるようにした半導体装置及びワイヤーボンディング方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、リードと、半導体チップ１が有するパッド電極２に一端１１ａが接合され、リードに他端１１ｂが接合されたワイヤー１１と、を備える。ワイヤー１１の一端１１ａと他端１１ｂとの間の最も高い位置であるワイヤートップ１１ｃは、ワイヤー１１の一端１１ａの直上の位置となっている。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽４に運び、このフッ酸槽４内でＨＦ溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽５に運び、この純水リンス槽５内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置６に運び、この乾燥装置６内でウェハーを乾燥させる。このように、ＨＦ溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽２に運び、このアルカリ槽２内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽３に運び、純水リンス槽３内でウェハーをリンスする。 （もっと読む）

【課題】外付け部品点数を増加させずに、レーザーダイオード制御用の高周波重畳回路における重畳周波数及びその高調波成分の不要輻射を低減させること。
【解決手段】重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路（４）と、重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器（３）と、このバイアス信号及び発振信号に基づき重畳出力信号を出力する出力回路（１）とを備える重畳回路において、出力回路は、出力回路の電源に接続される第１のキャパシタ（５）、第２のキャパシタ（６）、第３のキャパシタ（７ａ、７ｂ）、第１のローパスフィルタ（８）、及び第２のローパスフィルタ（９）の少なくともいずれかを備えることで、電源電流の変化を抑制し、不要輻射を低減させる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル上に配置される外部接続端子の配置位置を考慮あるいは意識することなく設計することができるタッチセンサの信号処理回路の提供。
【解決手段】この発明は、駆動ラインに電圧を供給する駆動回路３と、検出ライン上の電圧を検出する電圧検出回路４と、タッチパネル１のタッチ位置の検出のときの動作手順に従って予め定めてあるラインの選択と接続に係る設定データを基に、ＸラインＸ１〜Ｘ８およびＹラインＹ１〜Ｙ８のうちから、予め定められたラインを駆動ラインとして選択して駆動回路３と接続し、かつ、前記設定データを基に、ＸラインＸ１〜Ｘ８およびＹラインＹ１〜Ｙ８のうちから、予め定められたラインを検出ラインとして選択して電圧検出回路４と、前記設定データを格納するメモリ１０と、メモリ１０に格納する設定データを読み出して選択回路２に出力する制御回路８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低コンタクト抵抗を実現し得る半導体基板上の半導体層と電極配線層とのオーミック電極構造を提供する。
【解決手段】半導体基板１０６と、半導体基板１０６上に形成された第１のバリア層１０７と、第１のバリア層１０７上に形成された厚さ１ｎｍ以上４０ｎｍ以下のチャネル層１０８と、チャネル層１０８の上に形成された第２のバリア層１０２と、少なくとも第２のバリア層１０２及びチャネル層１０８を厚さ方向に貫通する第１の電極領域１０９と、少なくとも第２のバリア層１０２及びチャネル層１０８を厚さ方向に貫通する第２の電極領域１０９とを備える半導体装置であって、少なくとも第１の電極領域１０９は、チャネル層１０８と接触する側の面が凹凸形状で構成されている。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル上でのホバリングの検出時に、十分な感度を得ることができるようにしたタッチセンサの信号処理回路の提供。
【解決手段】この発明は、ＸラインＸ１〜Ｘ８の中から３つのラインを左側、中央、および右側のラインとして選択し、またはＹラインＹ１〜Ｙ８の中から３つのラインを左側、中央、および右側のラインとして選択する選択回路２と、選択回路２で選択された３つのラインのうち、左側および右側のラインのそれぞれに電圧を供給する駆動回路３と、選択回路２で選択された中央のライン上に生ずる電圧を入力し、この入力電圧を基に、中央のラインと選択回路２で選択された左側のラインとの間の静電容量と、中央のラインと選択回路２で選択された右側のラインとの間の静電容量との差に応じた電圧を出力する電圧検出回路４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バイパス容量の容量値を大きくすることなく、供給電流の変動を抑制する。
【解決手段】負荷の状態に応じて予め設定したピースワイズリニア信号に基づき、負荷が重負荷のとき所定の電流値、軽負荷のとき零となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき前記所定の電流値と零との間で線形に変化する電流Ｉｍ１２を入力電圧Ｖｉｎから生成する。また、前記ピースワイズリニア信号に基づき、負荷が前記重負荷のとき零、前記軽負荷であるとき前記所定の電流値となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき零と前記所定の電流値との間で線形に変化する電流Ｉｍ１３を出力電圧Ｖｏｕｔから生成する。前記電流Ｉｍ１２と前記電流Ｉｍ１３との和を供給電流Ｉｓｕｐ１とし、これを制御回路Ｃｔｒｌ１に供給する。 （もっと読む）

【課題】バイアスに依存した抵抗値の変化をさらに低減できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｎ型シリコン層３と、Ｎ型シリコン層３上に形成されたＰ型拡散抵抗７と、Ｐ型拡散抵抗７上に形成されたシリコン酸化膜１１と、シリコン酸化膜１１を貫いてＰ型拡散抵抗７の一方の端部７ａに接続され、一方の端部７ａに高電位を印加するための高電位用電極１５と、シリコン酸化膜１１を貫いてＰ型拡散抵抗７の他方の端部７ｂに接続され、他方の端部７ｂに低電位を印加するための低電位用電極１７と、を備える。高電位用電極１５及び低電位用電極１７はそれぞれシリコン酸化膜１１上に延設されると共に、シリコン酸化膜１１上において高電位用電極１５と低電位用電極１７との間にはスリット２１が設けられている。このスリット２１は、Ｐ型拡散抵抗７の一方の端部７ａと他方の端部７ｂとの間の中間位置２３よりも一方の端部７ａに近い側に位置する。 （もっと読む）