【課題】ダイシングストリートにＧａＡｓが露出している場合、結果ダイシング時に素子のチッピング、電極や磁性体の剥離、溶解したＧａＡｓによる電極接合部の汚染が発生し、さらにＧａＡｓ基板裏面もエッチングされるためＧａＡｓの溶解による電極接合部の汚染の課題がある。
【解決手段】本発明は、ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、上記ホール素子上に絶縁層と、上記絶縁層上にＴｉ系金属層と、上記Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層とを有し、ダイシングストリート上を少なくとも無機絶縁材料乃至有機絶縁材料もしくはその両方でカバーさせＧａＡｓを露出させず、またさらにＧａＡｓ基板裏面にも有機絶縁膜でカバーすることにより本課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】ディジタルＰＧＡを含むパイプライン型Ａ／Ｄコンバータであっても、ディジタルＰＧＡの利得に関係なく、線形性エラーが発生することを抑えて、パイプライン型Ａ／Ｄコンバータで生成された信号だけを増幅することができるパイプライン型Ａ／Ｄコンバータを提供する。
【解決手段】ディジタル出力信号ＤｏｕｔのＭＳＢ側を処理するＡ／Ｄコンバータ１０２−１´は、制御部１０５´から出力されたコンパレータ出力制御信号ＣＰ１，ＣＰ１´によって導通状態が制御される出力値固定用スイッチング素子１５１，１５２を有している。ディジタルＰＧＡ２０２によって所定の利得に応じてそれらのスイッチング素子の導通状態を制御することによって、Ａ／Ｄコンバータ１０２−１´，１０２−２´のコンパレータ出力値を固定させておき、通常動作状態のように処理途中の信号に加減算される基準電圧が切り替わらないようにしている。 （もっと読む）

【課題】フィルタのノッチ周波数を調整する機能を持ったフィルタ装置を提供する。
【解決手段】入力信号を抵抗１０９と可変容量１１０、アクティブインダクタ１１１を備えたフィルタコア部１０２にて分圧し、フィルタコア部１０２のフィルタ特性信号Ｖｆの振幅と基準振幅とを比較する振幅比較回路１０１、振幅比較回路１０１での比較結果に基づいてアクティブインダクタ１１１の位相を制御する位相制御部１０８、フィルタコア部１０２のフィルタ特性信号Ｖｆの周波数と基準周波数とを比較する周波数比較回路１０３、周波数比較回路１０３の比較結果に基づいて可変容量１１０の容量を制御する可変容量制御部１１７によってフィルタ装置を構成し、アクティブインダクタ１１１の位相、可変容量１１の容量が制御される間、アクティブインダクタ１１１の位相制御部１０８が、フィルタコア部１０２を発振させる。 （もっと読む）

【課題】フィルタのノッチ周波数を調整する機能を持ったフィルタ装置を提供する。
【解決手段】フィルタ動作するときには、バッファ２０１を介して入力される入力信号Ｖｉｎと、移相器２０４及び可変ゲインアンプ２０５を通った入力信号Ｖｉｎとを減算器２０２で減算した結果を出力信号Ｖｏｕｔとする。フィルタ調整時には、切り替えスイッチ２０３および２０６の接続先を切り替え、バッファ２０１、移相器２０４、可変ゲインアンプ２０５、バッファ２０１からなる正帰還ループを形成する。この正帰還ループ上の信号をフィードバック信号Ｖｆとし、フィルタコア部１０２を発振状態にした状態で、前記フィードバック信号Ｖｆの振幅及び周波数が基準振幅及び基準周波数となるように可変ゲインアンプ２０５のゲイン及び移相器２０４の位相のシフト量を制御する。調整終了後、切り替えスイッチ２０３および２０６を切り替え、ノッチフィルタとして動作させる。 （もっと読む）

【課題】スタートアップ時などに、演算増幅回路の出力電圧が、駆動能力の高い側とは反対方向に大きくずれた場合においても、出力段の定電流源に制限されることなく、所定電圧へのセットリングを加速することが可能な定電圧バッファ回路を提供すること。
【解決手段】基準電圧（Ｖｒｅｆ）をバッファし、一定電圧の出力電圧（Ｖｏｕｔ）を供給する定電圧バッファ回路であって、出力電圧と基準電圧とを取得する差動増幅器（１）と、差動増幅器（１）の出力信号に応じて制御されるＰ型駆動の出力手段（２）と、出力電圧が基準電圧よりも大きいことを検出する検出手段（Ｍ１１）と、検出手段（Ｍ１１）において、出力電圧が基準電圧に対して大きいことが検出された場合には、出力ノードから電流を引き出すように電流を制御する電流制御手段（３）とを有する定電圧バッファ回路。 （もっと読む）

【課題】入力信号の位相の同相／反転関係を検出する位相検出回路であって、検出可能な信号速度が制限されることを回避することが可能な位相検出回路を提供する。
【解決手段】ギルバートセルと、このギルバートセル内の下段側に位置する第１の差動対（１０１、１０２）に対して並列関係に設けられた第２の差動対（１２０、１２１）と、第１の差動対に電流を供給する第１の電流源（１００）とは別に設けられ、第２の差動対に電流を供給する第２の電流源（１３０）と、第１の電流源と第２の電流源とのいずれかのみが動作するように制御する制御回路（１４０）とを備え、第１の電圧信号は第１の差動対の正側電圧入力端子と第２の差動対の負側電圧入力端子に入力され、第１の電圧信号と相補の関係にある第２の電圧信号は第１の差動対の負側電圧入力端子と第２の差動対の正側電圧入力端子に入力されている位相検出回路。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上においてキャパシタが占める面積の増大を抑えつつ、キャパシタ全体の容量を増やすことを可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型のシリコン基板１と、シリコン基板１に設けられたＮ−領域１１と、Ｎ−領域１１上に設けられた第１の誘電体膜１５と、第１の誘電体膜１５上に設けられた第１の電極１７と、第１の電極１７の上面に設けられた第２の誘電体膜１９と、第１の電極１７の側面に設けられた第３の誘電体膜２１と、Ｐ型のシリコン基板１のうちのＮ−領域１１に隣接する隣接領域５上に設けられた第４の誘電体膜２３と、第２の誘電体膜１９と第３の誘電体膜２１及び第４の誘電体膜２３を覆うようにシリコン基板１の上方に設けられた第２の電極２４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力をより省力化することができる直接ＲＦ変調送信器を提供する。
【解決手段】１ビットのデジタルベースバンドデータＤと、反転データＤＮと、第１ＲＦ信号と、第１ＲＦ信号と位相が１８０度異なる第２ＲＦ信号とを入力し、第１電圧信号と、第２電圧信号を出力する受動ミキサ回路１００と、ＭＯＳトランジスタ１０７と、ＭＯＳトランジスタ１０７によって生成された定電流を受動ミキサ回路１００から出力された第１電圧信号、第２電圧信号に応じて第１出力信号と第２出力信号とに変換するＭＯＳトランジス１０５、１０６と、を有するユニットブロックを複数個設け、複数ビットのデジタルベースバンドデータからなるデジタルベースバンド信号によって第１ＲＦ信号及び第２ＲＦ信号を変調し、各ユニットブロックからの出力信号を加算するように直接ＲＦ変調送信器を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁性体コアを用いることなく、少ない構成部品で容易に組立できる小型の電流検出装置を提供すること。
【解決手段】所定の厚みを持った略短冊形の部分を少なくとも有する導体であって、その長手方向に被測定電流が流れる被測定電流導体２の２つの長辺の少なくとも一方に切欠き部４を設ける。磁気センサ３を実装したプリント配線基板１は、磁気センサ１が切欠き部４に配置されるように被測定電流導体２に固定される。 （もっと読む）

【課題】所望の送信出力電力に応じて、混合器と周波数分周器の双方の低消費電力化を行うことで、従来の送信器よりも平均的な消費電力が小さい送信器を提供する。
【解決手段】並列に配置されたＫ個（Ｋは２以上の自然数）の混合器セルからなり、このＫ個の混合器セルにベースバンド信号がそれぞれ入力される混合器（５、５’）と、Ｋ個の混合器セルにキャリア波信号を出力し、Ｎ個（ＮはＫ≧Ｎの自然数）の周波数分周器セルからなる周波数分周器（８）と、混合器（５、５’）と周波数分周器（８）の動作状態を設定する制御信号を出力して、これらを独立に動作状態を設定する制御回路（５０００）と、Ｎ個の周波数分周器セルのそれぞれの出力信号の位相関係を検出する位相検出器（１５）とを含み、混合器セルは位相検出器（１５）の検出結果に応じてベースバンド信号の位相を調整する。 （もっと読む）