説明

国立大学法人 名古屋工業大学により出願された特許

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【課題】高温安定性で毒性のない無機質顔料および利用技術の分野において、カドミニウムなどの有害物を使用せず、これに代わる高温安定で環境にも安全な黄色顔料を提供する。
【解決手段】セリウム元素が黄色の発色に有効であり、高温安定で焼成時に分解しないセラミック組成と発色特性を両立させることで、セリウムとジルコニウムを含む酸化物の混合物が有効である。 (もっと読む)


【課題】コヒーレント波である受信波を推定するとともに、演算負荷を低減できる波源推定装置を提供する。
【解決手段】波源推定装置は、アレーアンテナ24aにより電波又は音波を受信して受信波の波源の位置を推定する。波源推定装置は、波源の初期推定を行い、初期推定に基づく受信波のモード行列の位相を回転して変換行列を求め、受信波の相関行列を変換行列によって平均化し、波源演算に必要な相関行列を算出する。そして、波源推定装置は、演算過程で算出した変換行列と、先に算出された平均化処理後の相関行列とを基に代数的手法によって波源の位置を算出する。 (もっと読む)


【課題】アレーアンテナを使用した位置推定の演算負荷を軽減でき、かつ電子キーに応答動作をとらせる発信機の通信エリア設定も簡略化することができる電子キーシステムの位置推定装置を提供する。
【解決手段】電子キーシステムは、電子キーがIDコード信号Sidを送信し、IDコード信号Sidを車両がアレーアンテナで受信すると、位置推定アルゴリズムによってIDコード信号Sidの電波到来方向を確認しつつ、IDコード信号Sidに含まれるIDコードを照合してID照合成立可否を確認する。位置推定装置は、どの発信機から送信されたリクエス信号Srqに応答して電子キーがIDコード信号Sidを返信してきたのかを確認することにより、位置推定アルゴリズムの演算に必要な初期位置を算出する初期位置算出手段と、初期位置算出手段が算出した初期位置を基に、位置推定アルゴリズムを使用して電子キーの位置を推定するキー位置推定手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板の絶縁破壊耐圧と熱伝導率との両立を図る。
【解決手段】非球状のセラミックス粒子と、それより粒径の小さいセラミックス粒子とを含む混合物を形成し、その混合物中の非球状セラミックス粒子に一定の方向性をもたせた後、焼成する。このようにすることで、非球状のセラミックス結晶粒子11aを含む結晶組織11bを有していて、その第1面の粒度分布の中心粒径が10μm乃至60μmで、第1面と直交する第2面の粒度分布の中心粒径が5μm乃至30μmである、絶縁破壊耐圧及び熱伝導率が共に良好な、セラミックス基板11を得る。 (もっと読む)


【課題】エンドエフェクタがマニピュレータのベースに対して、3自由度の並進運動および2自由度の回転動作を出力可能であり、小型で、広い範囲の回転動作が可能な力覚提示マニピュレータを提供する。
【解決手段】力覚提示マニピュレータは、マニピュレータのベース10と、エンドエフェクタ60と、エンドエフェクタ60を支持する3本のアーム20a、20b、20cと、エンドエフェクタ60と3本のアーム20a、20b、20cを連結する3本の連結リンク23a、23b、23cと、3本のアーム20a、20b、20cを駆動する駆動手段と、を備える冗長パラレルメカニズムを用いた構成となっている。 (もっと読む)


【課題】遮熱性及び断熱性に優れ、熱の流出入の抑制効果の向上を図ることができ、また、透明性が高く、ガラス等の基材に貼合した際にも良好な視認性を確保することができ、更に、ガラスの飛散防止効果を向上させることができること。
【解決手段】遮熱断熱フィルム10は、基板となる透明合成樹脂層11の片面側に、赤外線を遮蔽する赤外線遮蔽層12が形成され、また、赤外線遮蔽層12とは反対面側の透明合成樹脂層11に、略30nm〜略200nmの外径を有する立方体状のシリカ殻からなるナノ中空粒子1がアクリル樹脂に均一に分散されたナノ中空粒子分散樹脂層13が形成され、更に、このナノ中空粒子分散樹脂層13の透明合成樹脂層11側とは反対面側に透明粘着層14が形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】光透過率に優れた光透過性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の光透過性組成物は、光透過性のマトリックスにナノ中空シリカ粒子を分散させてなる、光透過性組成物であって、前記ナノ中空シリカ粒子はその1次粒子径が300nm以下であり、壁厚が30nm以下であり、空隙率が40%以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。
【解決手段】基板2の上に少なくともAlを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)3を設けた上で、III族窒化物、好ましくはGaNからなる第1の半導体層(チャネル層)4と、少なくともAlを含むIII族窒化物、好ましくはAlxGa1−xNであってx≧0.2である第2の半導体層(電子供給層)6が積層されてなる半導体層群からなるHEMT構造の半導体素子の上に、Al2O3−SiO2の混晶からなる絶縁膜7を形成し、その上にゲート電極9を形成した。 (もっと読む)


【課題】高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。
【解決手段】基板2の上に少なくともAlを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)3を設けた上で、III族窒化物、好ましくはGaNからなる第1の半導体層(チャネル層)4と、少なくともAlを含むIII族窒化物、好ましくはAlxGa1−xNであってx≧0.2である第2の半導体層(電子供給層)6が積層されてなる半導体層群からなるHEMT構造の半導体素子の上に、Al2O3−Si3N4の混晶からなる絶縁膜7を形成し、その上にゲート電極9を形成した。 (もっと読む)


【課題】耐熱効果をはじめ、難燃効果、耐候効果、耐摩耗効果、相溶効果などを示す包接化合物で有機修飾処理を施した層状粘土鉱物を、少量で且つ種類少なく充填して、従来にない高性能な樹脂組成物およびその成形体の製造を可能にする。
【解決手段】シクロデキストリンもしくはシクロデキストリン誘導体を含む包接化合物で有機修飾処理を施した層状粘土鉱物と、合成樹脂とを含有してなる合成樹脂組成物およびその成形体。 (もっと読む)


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