説明

国立大学法人 名古屋工業大学により出願された特許

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【課題】少なくともベンゼンからフェノールが生成する酸化反応における触媒機能を有し、ベンゾキノンの生成量をフェノールの生成量よりも少なくできる単核系金属錯体を有効成分とする新規酸化触媒を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表される単核系金属錯体を有効成分とする。なお、一般式(I)中のR,R,Rは、それぞれ独立に、水素原子及び炭素数1〜3の炭化水素基から選択されるいずれかであり、R4は炭素数0〜3で末端にスルホ基を持つ置換基であり得る。また、Mは、平面四配位型の配位構造を形成する金属原子であり、3つのXのうち1つのXはハロゲン原子もしくはカウンターイオンであり、残り2つのXが溶媒分子である。
【化1】
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【課題】第三級α‐トリフルオロメチルケトン誘導体及びその製造法
【解決手段】発明者らは簡便に,高効率に第三級α‐トリフルオロメチルケトン誘導体を製造する方法を開発した。 (もっと読む)


【課題】含フッ素フタロシアニン−サブフタロシアニン縮環ダイマー及びその製造法
【解決手段】フタロシアニンの置換基としてフルオロアルコキシ基を導入することにより得られるフタロシアニンとサブフタロシアニンの縮環した二量体。 (もっと読む)


【課題】第三級及び第四級α‐トリフルオロメチルケトン誘導体及びその製造法。
【解決手段】下記一般式(2)で示されるγ-トリフルオロメチルジシアノアルキリデン


(式中,R1,R2及びR3は置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル基,アラルキル基,アルキニル基,アリール基,又はアリールオキシ基を示す。なおR1およびR2,R1およびR3又はR2およびR3が一体となって,ヘテロ原子の介在もしくは非介在で環状構造の一部を形成してもよい。)を過マンガン酸カリウム処理することにより、下記一般式(1)で示される第三級及び第四級α-トリフルオロメチルケトン、および下記一般式(1)で表される第三級及び第四級α-トリフルオロメチルケトン誘導体。


(式中,R1,R2及びR3は式(2)記載の通りである。) (もっと読む)


【課題】含フッ素フタロシアニン縮環ダイマー及びその製造法を提供する。
【解決手段】フタロシアニン同士がベンゼン環を介して縮合したフタロシアニン縮環ダイマーの置換基としてフルオロアルコキシ基を導入することにより得られる含フッ素フタロシアニン縮環ダイマー。 (もっと読む)


【課題】簡便,かつ高収率に第四級α−トリフルオロメチルケトン誘導体を合成できる製造方法を開発することを課題とする。
【解決手段】α‐トリフルオロメチル‐β‐ケトエステルをリン配位子,Pd触媒存在下,脱炭酸を伴うアリル化反応を行うことにより第四級α−トリフルオロメチルケトン誘導体を合成する製造方法。 (もっと読む)


【課題】トリフルオロメチル置換ピロリン化合物の触媒的エナンチオ選択的製造法
【解決手段】発明者らは鍵反応として,シンコナアルカロイド誘導体を用いて,ニトロアルカンのβ−トリフルオロメチルエノンへの高エナンチオ選択的共役付加反応に成功した。また得られた化合物のニトロ基の還元/縮合/脱水の連続反応を行うことで,高エナンチオ選択的にトリフルオロメチル置換ピロリンを得ることに成功した。 (もっと読む)


【課題】シングルナノメータサイズの白金微粒子ならびにそれを用いた特異な性能の白金担持触媒の製造方法ならびに浄化触媒を提供する。
【解決手段】白金錯体水溶液に還元剤を加えて白金金属に還元し白金微粒子を製造する方法において、白金イオン溶液としてジニトロジアミノ硝酸溶液を使用し、かつ還元剤としてアルコールを使用し、反応率を所定以上とする白金微粒子ならびに白金微粒子担持触媒の製造方法を提供する。この製造方法により、水素の吸脱着と浄化性能に優れた白金微粒子あるいは白金微粒子担持触媒を得る。 (もっと読む)


【課題】自動車で使用される無線通信機器に対するノイズ電磁波干渉を抑制することを目的とする。
【解決手段】周波数選択板10は、誘電体板12と、誘電体板12の板面に設けられた導電体層14とを備える。周波数選択板10は、さらに、導電体層14に設けられ、それぞれが環形状を有する複数の第1ループ状スロット18と、導電体層14に設けられ、各第1ループ状スロット18の環形状の内側に配置され、それぞれが環形状を有する複数の第2ループ状スロット22とを備える。複数の第1ループ状スロット18は、縦方向に列をなし横方向に行をなすよう配列され、複数の第2ループ状スロット22は、第1ループ状スロット18の環形状の内側に縦方向に列をなし横方向に行をなすよう配列されている。 (もっと読む)


【課題】単独で二分子膜形成機能を有するアミノ酸配列含有両親媒性化合物を提供する。
【解決手段】二分子膜形成能を有する一般式(1)で示されるアミノ酸配列含有両親媒性化合物である。


式中、Aは3残基以上5残基以下のアミノ酸からなるアミノ酸配列を示し、R1、R2は炭化水素基を示す。 (もっと読む)


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