国立大学法人 名古屋工業大学により出願された特許

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【課題】低コストで、高エネルギー密度、さらには優れたサイクル特性を有するリチウムイオン二次電池等の二次電池用正極材を提供する。
【解決手段】化学式がA(XMO24)(A:周期律表第1族の第2〜4周期の元素、X:周期律表第13族第2〜5周期の元素、M:周期律表第5〜6族の第4〜6周期の元素、)からなるポリオキソメタレートを含む正極材。 (もっと読む)


【課題】破砕機内部での廃棄電気製品等の発火の可能性を事前に予測し、破砕機内部での発火を未然に防止し得る破砕処理装置を提供する。
【解決手段】破砕処理装置10は、(A)鉄部材を含む廃棄電気製品を破砕する破砕機21、(B)破砕機21に備えられ、破砕中の廃棄電気製品の温度を制御する温度制御装置22、(C)破砕された廃棄電気製品から鉄片を選別する選別装置31、(D)選別された鉄片を搬送する搬送装置41、(E)搬送装置41において搬送されている鉄片を検出し、鉄片の温度を測定する鉄片検出・温度測定装置51、及び、(F)測定された鉄片の温度に基づき、破砕機中で所定の温度以上となる鉄片の発生個数を予測する予測手段61を具備する。 (もっと読む)


【課題】不斉空間の制御に用いる多くの不斉有機分子触媒を用いても、いずれの生成物の立体選択性・反応性が低い場合があり、すべての問題解決には至っていない。
【解決手段】シンコナアルカロイドの窒素原子上にヘテロアリールスルホニル基を導入し、スルホンアミドのアミド水素とヘテロ原子とが分子内水素結合したヘテロアレーンスルホニル化キナアルカロイドアミン化合物触媒、およびこれを用いるβ-アミノカルボニル化合物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】医農薬の合成中間体として有用な新規光学活性含フッ素β−アミノ酸誘導体、その製造方法及びそれを用いたトリフルオロメチル基含有β−アミノ酸誘導体の製造方法の提供。
【解決手段】光学活性トリフルオロメチル(t-ブチルスルフィンイミン)とマロン酸類とを塩基触媒存在下、反応させて得た式(1)の光学活性含フッ素β−アミノ酸誘導体を、酸で処理することによるトリフルオロメチル基含有β−アミノ酸誘導体。


(式中、Rは水素原子、アルキル基などを示し、Rは水素原子、アルキル基などを示し、*は不斉炭素を示す) (もっと読む)


【課題】高品質な力覚提示性能を有し、小型であり、かつ広い作業領域を有する力覚提示マニピュレータを提供する。
【解決手段】力覚提示マニピュレータは、マニピュレータのベースと、エンドエフェクタと、駆動手段と、駆動手段の動力をエンドエフェクタの並進3自由度動作に変換するパラレルリンク機構と、を備える。エンドエフェクタは、パラレルリンク機構の機械的拘束により、空間位置に依らず姿勢を維持する。本発明によれば、力覚提示装置にパラレルリンク機構を用いることにより、高剛性、高出力、高バックドライバビリティ、低慣性を実現可能なため、高品質な力覚提示が可能である。また、本発明のパラレルリンク機構は、機構と駆動手段が一側方へ配置可能であるため、2つのパラレルリンク機構をジンバル機構で連結した、小型な回転自由度を有する多自由度力覚提示マニピュレータが実現可能である。 (もっと読む)


【課題】三次元仮想環境システムの使用者の香りに関する体感品質を良くし、三次元仮想環境システムの臨場感を高める。
【解決手段】ネットワークの各端末から他の端末に対して、各種の花やハサミというオブジェクトの種類と三次元座標、カーソルの三次元座標と三次元力覚入出力装置9を介してこれらのオブジェクトを掴んだり離したりする操作を示すオンオフ情報が送信される。各端末では他の端末からの前記情報が受信される。これらの情報に基づいて、各種の花とハサミの三次元座標や反力が更新され、各使用者の視点の三次元座標が香り空間の三次元座標内にあるか否かが判断される。 (もっと読む)


【課題】1〜10nmの平均細孔径なるメソ細孔構造を有するシリカ殻からなるナノ中空粒子の簡便でかつ高い生産効率の製造方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤水溶液と、ナノサイズに形状制御した炭酸カルシウムを混合することにより、界面活性剤ミセル構造を当該炭酸カルシウム表面に形成し、シリコンアルコキシドの反応により前記ミセル構造に対応したメソ細孔構造を有するシリカ殻からなるナノ中空粒子を製造する。 (もっと読む)


【課題】 低温領域での熱応答性に優れるとともに、硬化性と貯蔵安定性とを両立することが可能な潜在性硬化剤及びその製造方法、並びに熱硬化型樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明の潜在性硬化剤は、多孔質無機粒子と、該多孔質無機粒子に保持された有機金属化合物とを有する。 (もっと読む)


【課題】所望の位置にグラフェン膜を有するグラフェン構造及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】所定の基材3上において、炭素含有層4と、少なくともケイ素を含む炭素化合物層5とを順次に積層し、その上に絶縁膜層6を形成した後、絶縁膜層の一部をエッチングにより取り除いた基板に対してアニーリングを実施し、絶縁膜の除去部にのみグラフェン膜7を形成したグラフェン構造1を形成し、これを用いて表面にショットキー電極8、およびオーミック電極9,10を形成させて半導体装置2を作製する。 (もっと読む)


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