説明

国立大学法人東京工業大学により出願された特許

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【課題】適切な画像ラベリング処理を自動的に行うことができる画像ラベリング装置、画像ラベリング方法及びプログラムを提供すること。
【解決手段】ラベリング装置1は、入力画像の各画素について、予め設定した複数のカテゴリラベルのいずれかを割り当てるものであって、画像全体の特徴を大域特徴として算出する大域特徴算出部22と、予めラベリングされた学習画像と入力画像との大域特徴の類似度に基づき学習画像の中から類似画像を抽出する類似画像抽出部23と、類似画像の各画素における各ラベルの存在確率、及び類似画像と入力画像との類似度に基づき入力画像の各画素のラベルを推定する大域単項ポテンシャル演算部24とを有する。 (もっと読む)



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【課題】Laの強い吸湿性を改善し、高い耐湿性及び安定性を有する半導体装置及びコンデンサを提供する。
【解決手段】高誘電率絶縁膜12が(La1−x(0<x≦0.3、MはSc、Y、Hf、Ti、Ta、Al、Nbの群から選ばれる1又は2以上の金属)で表記される組成からなることにより、吸湿性が改善し、安定性が向上する。 (もっと読む)


【課題】1,2−ビス(ジアリールホスフィニル)エテン骨格を有する化合物を穏和な条件下、簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】1,2−ビス(ジアリールホスフィニル)エテン骨格を有する化合物は、ジアリールホスフィンオキシド化合物とアセチレン化合物とを反応させることにより製造される。 (もっと読む)



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【課題】
色素で色がついているような物体の分光特性をスペクトル計測あるいはスペクトルを画像として撮影した場合のスペクトル空間での解析方法を提供する。
【解決手段】
スペクトル空間から色素量空間では表せない残差スペクトル空間を抽出し、残差スペクトル空間で解析する。また、色素量空間と残差スペクトルを合わせて解析してもよい。 (もっと読む)


【課題】 従来、サンプル中における電荷分布の変化自体を直接的に観察することはできなかった。
【解決手段】 電極間における電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置100であって、ペンタセンFET50に基本波を照射する照射部1と、ペンタセンFET50における電圧印加時の電界分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部15と、第1信号に基づき前記照射部よりペンタセンFET50に前記基本波を照射させ、第2信号に基づきペンタセンFET50に電圧を印加する制御信号出力部30と、を備え、制御信号出力部30は、前記第1信号の出力時点と前記第2信号の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成される。 (もっと読む)



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