説明

国立大学法人東京工業大学により出願された特許

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【課題】相手車両との接触可能性の大きさを複数レベルに分別することが可能な、障害物判別装置10を提供する。
【解決手段】自車両周辺の画像を撮影する撮像手段12と、撮影された画像を用いて自車両周辺の相手車両を検出する車両検出手段14と、相手車両の移動ベクトルを抽出する移動ベクトル抽出手段16と、自車両の進行方向を算出する自車進行方向算出手段18と、相手車両の移動ベクトルと自車両の進行方向とに基づいて、相手車両と自車両との接触可能性を判別する危険度判別手段22と、相手車両の危険度を表示する報知手段24とを備える。 (もっと読む)


【課題】多孔質セラミックス焼成体の保水性能を向上させて、例えば、ヒートアイランド対策用に好適な吸水速度が速く、吸水率が高く、その上、放水速度が遅い多孔質セラミックス焼成体を提供する。
【解決手段】風化火山灰の焼成物と、焼成されたバーミキュライトとを含有し、17%以上の開気孔率を有する焼成体であることを特徴とする多孔質セラミックス焼成体にあり、この多孔質セラミックス焼成体は、大きい吸水性能及び保水性能を有し、一旦保水した水分を長時間に亘って徐々に放出する性能を有しており、比較的安価に、且つ、安定して大量に供給することができるものである。 (もっと読む)



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【課題】本発明は指の動かしやすい方向にのみ動かすことによって負担や疲労を減らした情報入力装置を提供することを目的とする。
【解決手段】指の動かしやすい方向を入力端とする情報入力装置は、親指の根元から左右あるいは上下に動かすことでその屈曲量を入力源とする第一の機構と、人指し指の先端を前後あるいは上下に動かすことでその移動量を入力源とする第二の機構で構成されたものである。親指および人差し指でそれぞれ2つの移動量を計測するため合計で4つの情報を入力することのできる情報入力装置である。 (もっと読む)


【課題】ある設定周波数に対して設計された導波管ベースであっても、スロット板を交換することによって周波数を切り替えることができ、広帯域の周波数をカバーすることができる導波管スロットアレーアンテナを提供する。
【解決手段】給電口、給電導波路、放射導波路、T分岐部、及び側壁を具備する導波管ベースと、放射導波路に対応する位置に、長手方向に沿ってスロット孔が設けられてスロット孔列が形成されたスロット板とを具備して成る導波管スロットアレーアンテナにおいて、導波管ベースは、周波数f0について最適化されたものを用い、スロット板は、周波数f0,該周波数f0よりも低い周波数f0−Δf、あるいは周波数f0よりも高い周波数f0+Δfに対して最適化されたもののいずれかを用いる。 (もっと読む)


【課題】新規な高分子電解質繊維の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高分子電解質繊維の製造方法は、高分子電解質、ゾル・ゲル反応前駆体、およびゾル・ゲル反応触媒を含む溶液を用い、エレクトロスプレーデポジション法により繊維を作製する。ここで、限定されるわけではないが、高分子電解質は、複数の荷電基をもつ高分子化合物であり、前記荷電基は、負荷電基、正荷電基、両性荷電基から選ばれるいずれか1種、またはいずれか2種以上の組み合わせからなることが好ましい。また、限定されるわけではないが、ゾル・ゲル反応前駆体は金属アルコキシドからなることが好ましい。また、限定されるわけではないが、ゾル・ゲル反応触媒は、酸または塩基からなることが好ましい。また、限定されるわけではないが、溶液は、繊維化促進剤を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ターゲットを選択的にイオン化でき、またフラグメンテーションも生じず、さらに異性体分子の分析もでき、リアルタイム分析可能なイオン化分析装置を提供する。
【解決手段】試料を選択的にイオン化して分析するイオン化分析装置は、イオン化部20と分析検出部30,40とを具備する。イオン化部20は、ターゲットが有するイオン化エネルギよりも僅かに大きい光子エネルギとなる波長の紫外・可視光を照射可能な紫外・可視光源を有し、これにより所定のターゲットをイオン化する。そして、イオン化部20によりイオン化されたイオンを、分析検出部30,40で質量分析して検出する。 (もっと読む)


【課題】透明で、かつ、梱包用材料等として十分な機械的強度を有し、10−11S/cm以上の導電率を有する非帯電性ポリマ樹脂が従来なかった。
【解決手段】透明非導電性ポリマ相2aと電解質塩が溶解したイオン伝導性ポリマ相3aが互いに相分離した共連続構造を形成し、それぞれのポリマ相が樹脂全体にわたって立体的なネットワーク構造を形成する透明非帯電性ポリマ樹脂1aを製造する。透明非帯電性ポリマ樹脂1aは、前記した共連続構造によって、透明非導電性ポリマ相2aの透明性と機械的特性に起因する性質およびイオン伝導性ポリマ相3aの導電性に起因する性質を合わせ持つ。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の発生を抑制しつつ、SOI構造のさらなる大面積化を可能とした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バルクの基板上に第1半導体層(SiGe)11、第2半導体層(Si)12をエピ成長させ、そこに第1半導体層11の底面以上の深さの溝を形成する。この溝を埋め込むようにして、支持体41を成膜した後、当該支持体41を素子領域の形にドライエッチし、連続して第2半導体層12/第1半導体層11をドライエッチする。そして、この状態で第1半導体層11をフッ硝酸で選択的にエッチングすると、支持体41に第2半導体層12がぶらさがった形で第2半導体層12下に空洞部が形成される。その後、例えば熱酸化により空洞部をSiO2膜で埋めることでSOI構造を形成する。本発明では、この支持体41に圧縮応力の膜を使用する。 (もっと読む)



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