説明

国立大学法人東京工業大学により出願された特許

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【課題】高い屈折率を有しながら室温では液体であることにより、容易に光学部材を形成することのできる新規な(メタ)アクリレート化合物を提供する。
【解決手段】下記式(1)で示される(メタ)アクリレート化合物。
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【課題】高い屈折率、及び可視領域での高い透明性を同時に達成する、硫黄原子とトリアジン単位を含有する新規な重合体を提供する。
【解決手段】下記式(1)


で表される構造単位を有する重合体。 (もっと読む)


【課題】高価な白金や白金合金等の貴金属及びその合金を含まない、燃料電池用電極触媒等に好適な炭素材料を提供する。
【解決手段】50モル%以上のアクリロニトリル成分と1モル%以上のビニル系ホウ酸類モノマー成分とを有するアクリロニトリル−ビニル系ホウ酸類モノマー共重合体100質量部と、Fe2+、Co2+、Cu2+及びNi2+よりなる群から選ばれる金属イオンを含有する特定な金属フタロシアニン1〜150質量部とからなる重合体組成物を、不活性ガス雰囲気下、500〜1,500℃において焼成して得られる炭素材料。 (もっと読む)



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【課題】過度な酸化により生じるナノワイヤの断線を防止できるナノワイヤトランジスタ及びその製造方法を提案する。
【解決手段】配線形成シリコン層4を酸化させて極めて細いナノワイヤ11を形成する際、シリコン窒化膜20を配線形成シリコン層4の上部となるシリコン酸化薄膜23に予め形成しておき、シリコン窒化膜20によって配線形成シリコン層4の酸化を抑制させつつ、ソース電極形成部12とドレイン電極形成部13とナノワイヤ11とを配線形成シリコン層4に形成するようにした。このように、配線形成シリコン層4が過度に酸化されることをシリコン窒化膜20により抑制させることで、所望の領域のみ酸化させることができ、かくして、過度に酸化されることにより生じるナノワイヤ11の断線を防止できる。 (もっと読む)


【課題】動作不良や動作速度の低下の発生を従来よりも抑制できるナノワイヤトランジスタ及びその製造方法を提案する。
【解決手段】窒素が導入されたニッケルからなるニッケル層28をナノワイヤ5の周辺に形成して熱処理することにより、ナノワイヤ5に形成されたソース15及びドレイン16をシリサイド化させつつ、窒素によりゲート電極被覆領域ER1までシリサイド化されることを抑制できることから、従来よりもゲート電極被覆領域ER1にチャネル17を確保でき、かくして動作不良や動作速度の低下の発生を従来よりも抑制できる。 (もっと読む)


【課題】分子内に炭素−炭素二重結合やニトリル基等を有するNBR等の高分子材料を低温(例えば、20℃〜200℃)において架橋できる架橋剤、NBR等の高分子材料がこの架橋剤により架橋されてなる架橋高分子材料及びこの架橋高分子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】分子内にニトリルオキシドと反応する多重結合を有する高分子材料の架橋に用いられる架橋剤であって、芳香環の一つの水素原子がニトリルオキシド基で置換され、前記ニトリルオキシド基のオルト位にある水素原子の全てがニトリルオキシド基以外の置換基で置換された芳香族ニトリルオキシド誘導体構造を有し、二つの前記芳香族ニトリルオキシド誘導体構造が、オキシ基を二つ有するジオキシ構造の該二つのオキシ基、又は、カルボニル基を二つ有するジカルボニル構造の該二つのカルボニル基、にそれぞれ結合してなる二官能性ニトリルオキシドよりなる。 (もっと読む)


【課題】装置が大型化せず、パワー損失も少なく、且つ、ビームラインシフトを抑えつつ波長を可変可能な真空紫外光発生装置を提供する。
【解決手段】本発明の4波混合法を用いる真空紫外光発生装置は、セル10と可視光光源20と紫外光光源30と第1レンズ40と第2レンズ50と第3レンズ60とからなる。可視光光源20は、照射する可視光の波長を可変可能である。紫外光光源は、セル10内の希ガスの2光子吸収線に合わせられる紫外光を照射するものである。第1レンズ40は、オフアキシャルな状態で可視光及び紫外光をセル内で交差するように集光するものである。第2レンズ50は、オフアキシャルな状態で真空紫外光を平行化するものである。第3レンズ60は、可視光の波長の変化による真空紫外光の第3レンズ60への入射角の変化を、真空紫外光の波長の変化による第3レンズ60における出射角の変化により相殺するように構成される。 (もっと読む)


【課題】試料のX線吸収差により、画像再構成に生じる放射状パターンのアーチファクトを低減する。
【解決手段】X線連続スペクトルを記憶し、単一スペクトルのX線投影データgを生成し、補正量を初期化し、X線投影データを補正量h、tで補正して撮影物に含む2つの物質のX線吸収係数のエネルギー依存性を考慮して撮影物に単一スペクトルのX線を照射した場合に相当する補正X線投影データg’を得、単一波長用画像再構成アルゴリズムを用いて逆投影演算してCT画像を再構成し、各物質を区別する1つのしきい値TH1、TH2、…を用いてCT画像から各物質の領域を抽出しこの領域のX線経路の長さを演算し、発生X線連続スペクトルのエネルギー、各物質の領域の長さ及び各物質のX線吸収係数を用いて連続スペクトルのX線投影データfを演算し、単一ペクトルのX線投影データgと連続スペクトルのX線投影データfとの差で補正量h、tを演算する。 (もっと読む)


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