【課題】新規なトリホスファン化合物の遷移金属錯体を触媒として用い、種々のケトン類を不斉還元して高効率的、高選択的に光学活性アルコール類を製造する。
【解決手段】一般式（１）


（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はアルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基などを表す。）で表されるトリホスファン化合物。 （もっと読む）

【課題】高い生産効率を維持しつつ、品質の高いナノファイバを製造する。
【解決手段】環状のフランジ部２３２を備える流出体２１１と、流出体２１１と所定の間隔を隔てて配置される帯電電極２２１と、流出体２１１と帯電電極２２１との間に所定の電圧を印加する帯電電源２２２とを備えフランジ部２３２は、フランジ部２３２の内方を流通する原料液３００を空間中に流出させる流出孔２１６が放射方向に設けられ、流出孔２１６の先端である開口部が並んで配置される先端部１１６と、先端部１１６から中央方向に向かって相互の間隔が徐々に広がるように配置され、流出孔２１６を挟むように先端部１１６から延設される二つの側面部１１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】より正確なタイミングで運動を学習できるようにする。
【解決手段】信号処理部１０で、指導者５１の動作に関する動作画像３２Ｖとフィードバック信号２２Ｓとを並行して出力する際、当該動作に関する動作画像３２Ｖが出力されるタイミングより調整時間だけ早めまたは遅めに当該動作に関するフィードバック信号２２Ｓを出力する。 （もっと読む）

【課題】高効率な非接触チャックを提供する。
【解決手段】非接触チャック１００は、カップ２、ファン８を備える。カップ２は、その底面に断面略円形の凹部４が設けられ、その上面に吸気口６が設けられる。ファン８は、カップ２の凹部４内に設けられており、モータ１０の回転軸と取り付けられている。ファン８の回転によってカップ２内に吸気口６から空気が吸い込まれる。そしてカップ２の内部に旋回流を発生し、非接触チャック１００と対象物１０２の間に吸着力を発生させることにより、対象物を非接触で保持する。 （もっと読む）

【課題】分析対象物を破壊することなく、試料を採取し、直接、分析装置に導入することができるとともに、分析精度を向上させることを可能とするプラズマを用いたサンプリング法およびサンプリング装置を提供すること。
【解決手段】閉空間内に納められた分析対象物の表面にプラズマを放出し、その表層部を気相中に飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをガス流によって前記閉空間から導入手段を通して分析装置に導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラーレン間の分子間相互作用を効果的に減少させることができる共モノマー構造を設計してフラーレンと重合することで、ネットワーク型構造を採用して溶媒可溶な高分子量体フラーレンを提供する。
【解決手段】アルキル長鎖を有する多価ホルミル芳香族化合物、アミノ酸およびフラーレンを反応させて、フラーレンを架橋部位とするネットワーク構造を有するフラーレン高分子を得ることを特徴とするフラーレン高分子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】新規な電界紡糸方法およびこの新規な電界紡糸方法が適用可能な電界紡糸装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の電界中にノズルから紡糸溶液をスプレーして紡糸する電界紡糸方法は、補助電極を主電極に対しノズル側に配置して主電極と電気的に接続し、ノズルから補助電極に向けて紡糸溶液をスプレーして紡糸する。また、電界紡糸装置は、紡糸溶液をスプレーするノズルと、該ノズルとの間に電界を形成する主電極と、該主電極に対しノズル側に離間して配置されて主電極と電気的に接続される補助電極と、を有しており、補助電極は、主電極に対しノズル側に離間して配置される円環状の本体部と、該本体部から主電極に向けて延在して該主電極と電気的に接続される脚部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ビス穴等の孔が穿設されている伝導性の構造体（ワーク）をプレス成形する際に、その孔周辺を含めて構造体全体を均一に所定の温度まで昇温させることができる通電加熱方法および装置、ならびにこれを備えたプレス機械を提供する。
【解決手段】孔が穿設されている伝導性の構造体に対して、前記孔を通過する少なくとも２方向の通電方向を有するように複数の電極を配し、かつ、該複数の電極に対して、所定のパターンで電流を通電するようにした。 （もっと読む）

【課題】より安価に超微細な加工が可能な微細加工方法を提供する。
【解決手段】
基板の微細加工方法は、薄膜形成過程と、Ｖ字溝形成過程と、薄膜エッチング過程と、基板エッチング過程と、薄膜除去過程と、からなる。薄膜形成過程は、基板１よりも軟性を有し、基板１に対して選択エッチングが可能であり、且つ可塑性を有する薄膜２を基板１上に形成する。Ｖ字溝形成過程は、薄膜２よりも硬性を有する少なくとも断面がＶ字形状のＶ字工具４を薄膜に押圧させ、基板１まで達さない少なくとも断面がＶ字形状のＶ字溝３を薄膜２に形成する。薄膜エッチング過程は、Ｖ字溝３の先端が開孔して基板１が露出するように薄膜２をエッチングする。基板エッチング過程は、薄膜２をマスクとして基板１をエッチングする。薄膜除去過程は、基板１上から薄膜２を除去する。 （もっと読む）

【課題】スメクチックＡＰ_R 相を示す温度範囲を低温側に広げることが可能な液晶材料を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、液晶材料を含む液晶層３０を備えている。この液晶材料は、自発分極して屈曲型構造の短軸方向に双極子を有すると共にスメクチックＡＰ_R 相を示す屈曲型鎖状分子であり、少なくとも一方の末端にケイ素を構成元素として含む１価の末端基を有している。この末端基は、ケイ素と共に炭素および水素、または、ケイ素と共に炭素、水素および酸素を構成元素として含んでいる。 （もっと読む）