【課題】環境の温度変化に伴うアノード側の残余電流の変化を考慮して、腐食に伴って歪みを有する金属内部へ侵入する水素量を正確に計測する。
【解決手段】歪みを有する金属材料を被検体とし、この片面を腐食環境に暴露し腐食反応により発生する水素の侵入面とし、該被検体の他面を水素検出面と、該水素検出面側の電位を−0.1〜＋0.3V vs SCEに保持した状態で該検出面に拡散してくる水素の流束をアノード電流として測定するに際し、該被検体の水素検出面側に、複数のセル群で構成された電気化学セルを配置し、該セル群の個々のセルの内部にはpHが９〜13の電解質水溶液を充填すると共に、それぞれ独立した参照電極と対極を設置し、また該セル群のうち少なくとも一つのセルを残余電流を補正するための基準セルとし、該基準セルで検出した残余電流値により補正し、この補正したアノード電流値に基づいて腐食面側からの侵入水素量を算出する。 （もっと読む）

【課題】種々の条件の被覆が形成された金属内部への侵入水素量を正確に計測する。
【解決手段】被検体の片面を腐食環境に暴露し腐食反応により発生する水素の侵入面とし、該被検体の他面を水素検出面とし該検出面に拡散してくる水素の流束をアノード電流として測定するに際し、該被検体の水素検出面側に、複数のセル群で構成された電気化学セルを配置し、該セル群の個々のセルの内部にはpHが９〜13の電解質水溶液を充填すると共に、それぞれ独立した参照電極と対極を設置し、また該セル群のうち少なくとも一つのセルを残余電流を補正するための基準セルとし、該基準セルの水素侵入面側に対応する箇所には腐食環境との接触を遮断する保護膜を設け、該基準セル以外のセルで検出したアノード電流値を、該基準セルで検出した残余電流値により補正し、この補正したアノード電流値に基づいて腐食面側からの侵入水素量を算出する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、結晶化部分を有する半導体基材を得る。
【解決手段】ベース基材と；該ベース基材上に配置された、アモルファス半導体材料由来の結晶性半導体層とを少なくとも含む半導体基材。結晶性半導体層の表面近傍において、ＳＩＭＳによりＧｅが検出可能である。 （もっと読む）

【課題】高可逆容量のリチウムイオン電池用負極材およびそれを用いたリチウムイオン二次電池を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブからなり、該カーボンナノチューブは、側壁に側壁を貫通していてもよい細孔を有し、その細孔は０．１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の細孔径分布を有し、かつBET比表面積が１００〜４，０００ｍ^２／ｇである、リチウムイオン電池用負極材。 （もっと読む）

【課題】多段階の工程を経ることなくＴＦＥを得ることができ、かつ副生成物が少なく、環境に配慮したＴＦＥの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、平均粒子径が５０μｍ以下のＣａＦ_２粉末とＣとを、誘導結合型熱プラズマ中に同時に供給し、前記熱プラズマ中でフッ化炭素のラジカルを生成する工程と、前記ラジカルを急冷する工程とを有するＴＦＥの製造方法を提供する。また、ＣａＦ_２粉末とＣ粉末とを、ＣａＦ_２粉末の単位時間当たりの供給量が、この供給量と前記Ｃ粉末の単位時間当たりの供給量との合計に対して９モル％〜３５モル％の割合となるように、誘導結合型熱プラズマ中に同時に供給し、前記熱プラズマ中でフッ化炭素のラジカルを生成する工程と、前記ラジカルを急冷する工程とを有するＴＦＥの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】炭化水素接触分解用触媒の耐スチーム性を向上させて、芳香族炭化水素および／または炭素数４以下のオレフィンの収率を高める技術を提供する
【解決手段】炭化水素接触分解用触媒の製造方法は、下記工程（１）および下記工程（２）を含む。
工程（１）：ゼオライトと水溶性のアルミニウム含有化合物と水とを混合し、ゼオライトにアルミニウムを担持させてなる触媒前駆体を得る工程
工程（２）：前記触媒前駆体と水溶性のリン含有化合物と水とを混合し、前記触媒前駆体にリンを担持させてなる炭化水素接触分解用触媒を得る工程 （もっと読む）

【課題】半導体材料として優れた特性を有し、且つ、高い電荷注入促進機能を併せて有する分子配向系材料を提供する。
【解決手段】芳香族環を構造の少なくとも一部に含む、π−電子共役系からなる電荷輸送性分子ユニットＡと；該分子ユニットＡに結合した、ＯＨ基を有する側鎖Ｓを少なくとも１個有する有機半導体材料。所定のセル内に、該有機半導体材料を配置した際に、動作温度において、１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度で１０^−５Ａ／ｃｍ^２以上の電流密度を与える。 （もっと読む）

【課題】波長選択機能を有する多モード干渉導波路デバイスを得る。
【解決手段】波長選択性多モード干渉導波路デバイス（１０）は、多モード干渉導波路部（３）と、多モード干渉導波路部（３）の一端の中心に接続される第１の導波路（１）と、多モード干渉導波路部（３）の一端に対向する他端の中心に接続される第２の導波路（２）とを備え、第１の導波路（１）から入射し多モード干渉導波路部（３）を伝搬して第２の導波路（２）に出射する光波であって、所定の波長を有する光波の透過率が、多モード干渉導波路部（３）と第２の導波路（２）との接続部において当該デバイスの使用目的によって決まる要求仕様を満たすように、多モード干渉導波路部（３）の幅及び長さが決定されている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板やプラスチック基板上に薄膜を低温で大面積で形成できるなどの有用性も期待できる、低い仕事関数を持ちながら導電性を有し、かつ非晶質である酸化物材料を提供する。
【解決手段】Ｃ１２Ａ７系酸化物の組成を有し、電子濃度２×１０¹⁸／ｃｍ³以上２．３×１０²¹／ｃｍ³以下を包接する、Ｃ１２Ａ７系酸化物を溶媒とし電子を溶質とする溶媒和からなる融液であり、金属的な電気伝導性を示す導電性酸化物融液、あるいは非晶質固体物質であり、また半導体的な電気伝導性を示す導電性酸化物ガラス。このガラス材料は、仕事関数が３．０〜４．１ｅＶであり、上記融液を酸素分圧１Ｐａ以下の還元雰囲気中で非晶質の固体が形成される冷却速度で冷却凝固することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】動作条件が変化しても、損失およびノイズ特性に優れたスイッチング制御を実現できるゲート駆動装置を得ることを目的としている。
【解決手段】定電流駆動回路１１Ｃと、定電圧駆動回路１１Ｖと、スイッチング素子２の動作条件をパラメータとして、定電流駆動回路１１Ｃおよび定電圧駆動回路１１Ｖのそれぞれでスイッチング素子２を駆動させたときの、スイッチング損失および放射ノイズの一方または両方についての情報を保持する回路特性情報保持部１５と、スイッチング素子２の動作条件を検出する動作条件検出部１４と、検出した動作条件と、保持する回路特性情報に基づき、定電流駆動回路１１Ｃと定電圧駆動回路１１Ｖのうちのいずれか一方をスイッチング素子２の駆動回路として切替える駆動回路切替部１２、１３とを備えるように構成した。 （もっと読む）