説明

国立大学法人東京工業大学により出願された特許

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【課題】低仕事関数を有し、化学的に安定な電子放出源を提供する。
【解決手段】SrTiOバッファ層10は、Sr2+2−層12と、Ti4+4−層14が積層されて形成される。バッファ層10の表層は、Ti4+4−層14にて終端されている。バッファ層10の上には、LaAlO薄膜層20が形成される。薄膜層20は、SrTiOバッファ層10上に、順に交互に積層されたLa3+2−層22およびAl3+4−層24を含む。 (もっと読む)


【課題】既存の放射線物質による汚染に対処する。
【解決手段】放射性物質を環境から取り込ませ或いは取り込んだ生物を爆砕処理、水熱処理、または、水熱処理及び爆砕処理する工程を経た後、少なくとも液分中の放射性物質を吸着剤により吸着させて、放射性物質を生活環境において安全レベルにまで低減する。 (もっと読む)


【課題】チャネルの空間相関が高くなった場合の性能劣化を軽減できる受信装置、受信方法、及び受信プログラムを提供する。
【解決手段】送信信号候補探索部301は、MIMO信号検出において受信性能が劣化する方向に送信信号を探索する。送信信号候補生成部302で、チャネルの空間相関による劣化を抑えながら送信信号候補を生成する。判定部303では、送信信号候補生成部302で生成された送信信号候補を用いて最尤系列を求める。最尤系列は、メトリックを計算し、メトリックが最小となる送信信号候補として求められる。 (もっと読む)


【課題】トリチウムを大気中に拡散させることなく、リチウムターゲット流を形成するリチウムループの中からトリチウムを大気に拡散させることなく、安全にトリチウムを除去する。
【解決手段】リチウムループのトリチウム除去装置は、リチウム流に陽子線を衝突させ、中性子を発生する中性子源1と、この中性子源1を通過したリチウムを流路9を通して流入させ、一時的に貯留するリチウムタンク11と、このリチウムタンク11のリチウムを供給側の流路9’を通して前記中性子源1に還流し、供給するリチウムポンプ17とを有する。トリチウムを含む水素ガスが集まりやすいリチウムタンク11とリチウムポンプ17を不活性ガスを含む密閉容器7内に封入し、万が一密閉容器7にトリチウムを含む水素ガスが漏れても水素同位体除去フィルタによって除去する。 (もっと読む)


【課題】デンドリマー化合物の粒子を基板の表面に高度に分散された状態で配置させる手段、及びそのような手段で作製され、デンドリマー化合物の粒子が高度に分散された状態で表面に配置された基板を提供すること。
【解決手段】フェニルアゾメチンデンドリマー化合物を溶媒に溶解させて溶液を調製し、当該溶液を基板の表面に塗布する塗布工程と、前記基板の表面に塗布された溶液から溶媒を揮発させる揮発工程とを含み、前記溶液に含まれる前記フェニルアゾメチンデンドリマー化合物の濃度が5μmol/L以下である、分散されたデンドリマー化合物の粒子を表面に有する基板の製造方法を使用する。 (もっと読む)


【課題】ポリアクリル酸を含むバインダを用いると、負極活物質への被覆性が高いためバインダ自体が抵抗となり、負荷特性が悪化する。
【解決手段】アクリル酸とスチレンスルホン酸のアルカリ金属塩との共重合体を負極用バインダとする。スチレンスルホン酸のアルカリ金属塩はイオン伝導性が高いため、電極内部抵抗が低減され負荷特性が向上する。またスチレンスルホン酸のアルカリ金属塩は中和型モノマーであるので、Liイオンと反応するカルボキシル基が減少し不可逆容量が低減されるため初期効率と充放電容量が向上する。 (もっと読む)


【課題】耐熱性などに優れ、樹脂原料などとして有用な化合物を提供する。
【解決手段】前記化合物を、下記式(1)で表される新規なジベンゾフルオレン化合物(例えば、9,9−ビス(ヒドロキシフェニル)−2,3:6,7−ジベンゾフルオレンなど)で構成する。


(式中、環Zは芳香族炭化水素環を示し、Eは酸素原子又は硫黄原子、R、RおよびRは同一又は異なって置換基を示し、Rはアルキレン基を示す。kは0〜2の整数、lは0〜3の整数、mは0以上の整数、nは0以上の整数である。) (もっと読む)


【課題】Li−P−S系およびLi−P−S−O系の硫化物系固体電解質を含む導電率の高い固体電解質を提供する。
【解決手段】本発明の固体電解質は、組成式Li3+5x1-x4-zz(0.01≦x≦1.42、かつ0.01≦z≦1.55)の硫化物系固体電解質を含み、この硫化物系固体電解質は、少なくとも、12.9°、14.4°、15.2°、18.0°、20.5〜22.0°、24.2°、25.0°、28.0°、30.6°の回折角(2θ/CuKα)付近にX線回折のピークを有する。また、本発明の他の固体電解質は、組成式Li3+5x1-x4(0.06≦x≦0.08)の硫化物系固体電解質を含み、硫化物系固体電解質が、少なくとも、13.3°、14.75°、15.3°、18.0°、21.0〜21.7°、24.2°、25.4°、28.4°、30.6°の回折角(2θ/CuKα)付近にX線回折のピークを有する。 (もっと読む)


【課題】金属水酸化物または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板13上に、側鎖に液晶性分子構造を有する両親媒性ブロック共重合体を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜11を形成する。次に、両親媒性ブロック共重合体膜11が形成された導電性基板13に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜11内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜14とする。その後、導電性基板13に対して電解析出処理を行う。これにより、相分離構造膜14の親水相15の位置に、金属水酸化物または金属酸化物からなる微細構造体16が形成される。電解析出処理の後、さらに、相分離構造膜14のみを除去する工程を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】チャネルへの電子供給能力が改善されたIII−V族FETを提供する。
【解決手段】基板2の上には、ナローバンドギャップ材料のチャネル層4が形成される。チャネル層4の上のソース領域には、ワイドバンドギャップ材料のコンタクト層6が形成される。ソースコンタクト層6は、1×1019cm−3以上の濃度でドーピングされる。FET1は、ソースコンタクト層6によってアンドープのチャネル層4に直接キャリアが注入されるように構成される。 (もっと読む)


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