【課題】結晶化速度が著しく遅いＰＨＡ共重合体を主体としながらも結晶性が高く、成形用途において好適に使用可能な生分解性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも１種のポリヒドロキシアルカノエート共重合体を主体とする生分解性樹脂組成物であって、さらに、ポリ（３−ヒドロキシブチレート）重合体と、造核剤とを含有することを特徴とする生分解性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 複数の金属材料を、塑性変形により接合させるための接合装置、接合方法、および金属接合体を提供すること。
【解決手段】 本発明の接合装置は、板状部分で重なり合う少なくとも２以上の金属部材３２ａ，ｂを接合させるための接合装置であって、凹形状を有し、該凹形状の底部１４ａの外縁に溝部１４ｂが形成されたダイ１４と、ダイ１４を背当てとして重なり合う板状部分３２の一部を押し出すパンチ１８と、パンチ１８により押し出される一部の周辺部位に当接して、重なり合う板状部分３２を押圧する突起部材２２ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】主鎖にシクロペンタン環構造を含む耐熱性に優れたブロック共重合体を提供する。
【解決手段】下記ブロック（ｂ１）と（ｂ２）および／または（ｂ３）とからなるブロック共重合体。ブロック（ｂ１）：下式（１）で表される化合物の単独重合体ブロック（ｂ１−１）またはランダム共重合体ブロック（ｂ１−２）、ブロック（ｂ２）：下式（１）で表される化合物の重合単位からなり、上記（ｂ１−１）または上記（ｂ１−２）と異なる属性を有する単独重合体ブロック、またはランダム共重合体ブロック、ブロック（ｂ３）：１種類のオレフィンの単独重合体ブロックまたはランダム共重合体ブロック


（１） （もっと読む）

【課題】Ｎ−アクリロイルアゼチジン系化合物の重合、特にアニオン重合により、分子量分布が狭く、分子量が制御され、化学構造の明確なＮ−アクリロイルアゼチジン系重合体の合成を目的とし、その製造方法を確立すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有し、数平均分子量（Ｍ_n）が２，０００〜１，０００，０００であり、分子量分布（Ｍ_w／Ｍ_n、Ｍ_wは重量平均分子量）が３．０以下であるＮ−アクリロイルアゼチジン系重合体の製造方法である。


（式中、Ｒ₁〜Ｒ₆は、それぞれ独立に水素原子、メチル基およびエチル基から選ばれ、Ｒ₁〜Ｒ₆のうち少なくとも４個は水素原子である。重合体分子中のアゼチジン骨格のＲ₁〜Ｒ₆はそれぞれの繰り返し単位ごとに異なってもよい。） （もっと読む）

【課題】主鎖が複数種類の重合単位からなり、それらの重合単位のそれぞれがシクロペンタン環構造を含み、且つそれらの重合単位がランダムに配列された、耐熱性に優れたランダム共重合体、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】下式（１）で表される少なくとも２種類の重合単位を含むランダム共重合体およびその製造方法。


（１） （もっと読む）

【課題】従来のように電極に大きな熱負荷を与えず、かつ、高精度な制御を必要することなく、ＥＵＶ放射のロングパルス化を実現すること。
【解決手段】チャンバ１の内部に設けられた第１、第２の電極２ａ，２ｂ間にパルス電力を供給し電極間に放電チャンネルを形成する。また、レーザ源７から放出されるレーザビームＬ１が高温プラズマ原料８に照射され、イオン密度が１０¹⁷〜１０²⁰ｃｍ^-3程度の低温プラズマガスが、電極２ａ，２ｂ間に形成されている細い放電チャンネルに供給される。低温プラズマガスに放電が作用し電子温度が上昇して高温プラズマとなりＥＵＶ放射が開始される。放電チャンネルには上記低温プラズマガスが連続的に供給されるので、ピンチ効果もしくは自己磁場による閉じ込め効果が繰り返し行われＥＵＶ放射が継続する。このＥＵＶ放射はＥＵＶ集光鏡４により集光され、ＥＵＶ光取出部５より出射する。 （もっと読む）

【課題】液相反応焼結を用い、工業生産に適用できる簡素で短時間の製造プロセスにより、異相を含まない単相を得ることができるハーフホイスラー熱電材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆを０または正の数、ｎ，ｍを正の整数とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、ｄ＋ｅ＝１、ｆ＋ｇ＝１、（ｎ，ｍ）＝（１，３）、（１，１）または（２，１）として、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆの少なくとも１種と、ＮｉおよびＣｏの少なくとも１種とから成る金属間化合物〔Ｔｉ_ａＺｒ_ｂＨｆ_ｃ〕_ｎ〔Ｎｉ_ｄＣｏ_ｅ〕_ｍの固相と、ＳｎおよびＳｂの少なくとも１種の液相とを接触させた状態で保持することにより、金属間化合物〔Ｔｉ_ａＺｒ_ｂＨｆ_ｃ〕〔Ｎｉ_ｄＣｏ_ｅ〕〔Ｓｎ_ｆＳｂ_ｇ〕から成るハーフホイスラー合金の固相を生成させる。 （もっと読む）

【課題】メタン資化細菌を用いてメタンからメタノールを製造する方法を提供する。
【解決手段】減圧下においてメタン資化細菌及び／又はその処理物をメタンと接触させる工程を含むメタノールの製造方法によって解決することができる。減圧下でメタノールを製造することにより、メタノールの沸点が低下する。そのため、生成されたメタノールが気化し、液相から気相へ移行する。このことにより、メタノール自身によるメタン資化細菌のメタノールの生成阻害を抑制し、効率よくメタノールを製造することが可能である。 （もっと読む）

【課題】水素終端化された高品質な多結晶Ｓｉ膜を含む半導体薄膜を低温、高速成膜することで、良好な特性のＴＦＴを安定して実現し、高品質、高画質の半導体装置および表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に形成したＳｉ、Ｇｅ、Ｆ、Ｈを含有する半導体層４を、良好な結晶性が得られる反応熱ＣＶＤ法で形成した多結晶ＳｉＧｅ膜または多結晶Ｓｉ膜を第一層４aとその上層の第二層４bとの複数層の連続成膜で積層構造に構成し、該半導体層４中のＨ濃度を絶縁性基板１側に対して表面側にある第二層４bで高くした。 （もっと読む）

【課題】電子紡糸系にて作り出される高分子ファイバから太さ差やむらのない優れた糸条が生産性よく簡単かつ低コストに得られるようにする。
【解決手段】紡糸系４から電子紡糸される高分子ファイバ２群を、この高分子ファイバ２群との間に電位差を有して周回する環状収集面３ａの全周に電荷誘導を伴い同時収集して堆積させながら、環状収集面３ａに堆積した高分子ファイバ２をその近傍所定箇所にて引き出し糸条８に合糸することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）