【課題】良好な圧電特性を得ることができる非鉛系の圧電磁器組成物、及びこれを使用した圧電部品を実現する。
【解決手段】本発明の圧電磁器組成物は、主成分が、一般式｛（Ｍ１_1/2Ｂｉ_x/2）（Ｃｕ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ_３｝で表される。ただし、Ｍ１元素は、Ｋ及びＮａのうちの少なくともいずれか１種を示し、ｘ／２はＭ１元素及びＢｉの総計に対するＢｉの配合モル比を示している。ｘは、０．８≦ｘ≦１．０を満足するのが好ましく、０．８≦ｘ＜１．０がより好ましい。そして、圧電セラミック素体１が上記圧電磁器組成物で形成されている。 （もっと読む）

【課題】水の少ない状況でも効率的に水を保有することができプロトン伝導度を確保できる、炭化水素系高分子電解質を提供する。
【解決手段】高分子電解質は、下記式（１）で示される構造をポリマーの主鎖に含むポリフェニレンエーテル系ポリマーからなる高分子電解質。


（式中、ａ、ｂは０〜１を示し、ａ＋ｂは０でない。Ｒはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、カルボニル基、スルホニル基およびハロゲン基のいずれかを示し、ｃ、ｄは０〜６を示す。Ｒが複数存在する場合は、各々同一であってもよく異なっていても良い。） （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ａを還元処理して、前記酸化物結晶Ａと同じ結晶系を有する酸化物結晶Ｂを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。（１）原料を反応、（２）酸化物結晶Ａを還元、または（３）酸化物結晶Ａを高温に保持、急冷することで得られた酸化物結晶Ｂを含むスラリーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成した薄膜の物性を非破壊かつ高精度で測定することができる物性測定装置、物性測定方法、薄膜基板製造システム及びプログラムを提供する。
【解決手段】基板Ｋ表面に形成された薄膜Ｈの物性を測定する物性測定装置において、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生源と、基板Ｋ表面に薄膜Ｈが形成された成膜領域Ｆ及び該基板Ｋ表面に薄膜Ｈが形成されていない非成膜領域Ｎに、テラヘルツ波発生源からのテラヘルツ波が照射されるように、基板Ｋ及び薄膜Ｈを移動する移動手段と、成膜領域Ｆ及び非成膜領域Ｎからの透過波又は反射波の電場強度を複数回検出する検出手段と、検出手段が複数回検出した透過波又は反射波の電場強度を積算する積算手段と、積算手段が積算した透過波又は反射波の電場強度の時間変化を測定する測定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】低加湿条件下においても高いプロトン導電率を示す高分子電解質膜が得られる高分子電解質を提供する。
【解決手段】プロトン酸基を有するセグメントと、プロトン酸基を有しないセグメントとを有するブロック共重合体であって、前記プロトン酸基を有するセグメントは、電子供与性基が結合している芳香環にのみプロトン酸基が結合している構造を有し、前記プロトン酸基を有しないセグメントは、置換基として電子供与性基のみが結合している芳香環を含む構造を有し、前記プロトン酸基を有するセグメントと前記プロトン酸基を有しないセグメントとが、デカフルオロビフェニル、およびヘキサフルオロベンゼンからなる群から選ばれる化合物由来の構造を介して結合してなることを特徴とする、高分子電解質。 （もっと読む）

【課題】 ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）フィラメント群からなる多孔質シートの引張強度や比表面積が増大した、マイクロフィラメントからなるＰＦＡ多孔質シートに関する。
【解決手段】 平均フィラメント径が１０μｍ以下のＰＦＡからなるフィラメント群と、個々のフィラメントが、平均フィラメント径以下のＰＦＡ微粒子を多数含むことを特徴とする、ＰＦＡ多孔質シートおよびその製造手段。 （もっと読む）

【課題】基板及び基板表面に形成された薄膜のうち、薄膜をより高温に加熱することができるアニール装置、アニール方法及び薄膜基板製造システムを提供する。
【解決手段】基板Ｋ及び基板Ｋ表面に形成された薄膜Ｈに電磁波を照射して加熱し、薄膜Ｈをアニールするアニール装置１において、所与の薄膜Ｈの膜厚及び抵抗率に基づいて、基板Ｋ及び薄膜Ｈに照射する電磁波の周波数を算出する算出手段と、算出手段が算出した周波数の電磁波を基板Ｋ及び薄膜Ｈに照射する電磁波供給手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一な電解質材料を短時間かつ高収率で製造する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）固体状のポリマーをスルホン化溶液中でスルホン化させ、固体状のスルホン化ポリマーを製造する工程、および（Ｂ）前記固体状のスルホン化ポリマーを溶媒に溶解する工程を含む、スルホン化ポリマー溶液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高分子化合物に選択的かつ均一にスルホン酸基を導入する方法を提供する。
【解決手段】剪断応力が与えられた系中で高分子化合物にスルホン酸基を導入する工程を有することを特徴とする、スルホン化高分子化合物の製造方法。 （もっと読む）