説明

京セラSLCテクノロジー株式会社により出願された特許

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【課題】 基板表面に形成された複数のバンプを、その位置精度を良好に保ちつつ均一に平坦化することができるバンプ平坦化装置及びこれを用いたバンプ平坦化方法を提供すること。
【解決手段】 ヘッド部3は、載置面2aと対向配置されたローラ4と、このローラ4の周囲を取り囲んで、当該ローラ4を前記平行な面上でスライド方向X1と直交する方向に沿った回転軸回りに回転自在に支持する枠状フレーム6と、枠状フレーム6を跨ぐように配置されたチャネル状フレーム8と、チャネル状フレーム8の両側壁8bからそれぞれ相手の側壁8b側へ延びるとともに共通の線L1上に軸線が配置された一対の傾動軸7とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 配線導体と貫通導体との接続信頼性に優れた配線基板およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 第一の絶縁層1aと、この第一の絶縁層1aの片面に埋め込まれた金属箔から成る第一の配線導体2aと、この第一の配線導体2aに通じる貫通孔12を有し且つ前記第一の絶縁層1aの片面に積層された第二の絶縁層1bと、一方の端部が前記第一の配線導体2aに接して前記貫通孔12内に充填された金属粉末および樹脂を含む導電材料から成る貫通導体3と、前記第二の絶縁層1bにおける前記第一の絶縁層1aと反対側の片面に前記貫通導体3の他方の端部に接して埋め込まれた金属箔から成る第二の配線導体2bとを具備して成る配線基板50であって、前記貫通導体3は、少なくとも前記第一の配線導体2aに接する一方の端部側に前記貫通導体3を構成する金属粉末のうち粒径の小さな金属粉末が偏在している配線基板50およびその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 微細配線が要求される表層の導体層を微細なパターンで精度よく形成することを可能にするとともに、導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑え、且つ半導体素子や外部電気回路基板との良好な電気的接続を実現する。
【解決手段】 複数の絶縁層1を積層した絶縁基板2の表面及び絶縁層1の間に、金属箔から成る導体層3がそれぞれ埋設されている。絶縁基板2の表面に埋設された表面導体層3Aの結晶粒径が、絶縁層1の間に埋設された内部導体層3Bの結晶粒径よりも小さく設定されている。表面導体層3A、内部導体層3Bは何れも電解めっきにより形成されている。表面導体層3Aについては、絶縁層1に埋設された側の主面がマット面であり、露出する側の主面がシャイニー面である。内部導体層3Bについては、埋設された側の主面が酸等の溶液処理により粗化されたシャイニー面であり、反対側の主面がマット面である。 (もっと読む)


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