【課題】
信号用の貫通導体および該信号用の貫通導体に接続された外部接続パッドを伝送する信号が１０ＧＨｚを超える超高周波であったとしても、信号の伝送損失を少なくして信号を良好に伝送させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】
信号用の貫通導体６は、小径の開口部３ａに対応する部位では小径の開口部３ａの中心を１本で通るとともに大径の開口部３ｂに対応する部位で２本以上に分岐されて外部接続パッド５に接続されており、大径の開口部３ｂの内側に、分岐された信号用の貫通導体６と対をなす接地用または電源用の貫通導体９が並設されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性を向上させる要求に応える配線基板の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板４の製造方法は、樹脂基板１５を、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置する工程と、蒸着法を用いて、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置された樹脂基板１５の露出した一主面に金属層１２を形成する工程と、を備えている。また、本発明の一形態にかかる配線基板４の製造方法は、一主面に第１金属層１２ａを有する樹脂基板１５の該第１金属層１２ａ側にフッ素ゴム１７を配しつつ、樹脂基板１５を、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置する工程と、蒸着法を用いて、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置された樹脂基板１５の露出した他主面に第２金属層１２ｂを形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁信頼性が高い配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層３の外周部および中央部に電解めっき層を析出させることにより形成された配線導体４を備えて成る配線基板１０であって、前記絶縁層３の外周縁に沿って前記絶縁層３を貫通するビアホール８の列が複数列配設されているとともに、前記ビアホール８が前記電解めっき層により充填されており、配線基板１０となる配線基板領域が間に切断領域を介して配列された多数個取り基板の表面に絶縁層３を被着し、次に絶縁層３における配線基板領域の外周縁に沿ってビアホール８の列を複数列形成し、次に絶縁層３の表面にビアホール８を充填するように電解めっき層を析出させて絶縁層３における配線基板領域の外周部および中央部に配線導体４を形成し、最後に切断領域を切断することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ダンピング抵抗に破断が発生することがなく、搭載する半導体素子を常に正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層１ｂの表面に、半導体素子の電極または電気回路基板が接続される接続面３ｄを有する複数の接続パッド３を具備して成る配線基板であって、接続パッド３の一部は、絶縁層１ｂの側に配置された体積抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗材料から成る主導体層３ａと接続面３ｄの側に配置された体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上の高抵抗材料から成る抵抗体層３ｂとが積層されて成り、抵抗体層３ｂが接続面３ｄと主導体層３ａとの間に電気的に直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極端子と半導体素子接続パッドとを半田バンプを介して良好に接続することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】複数のスルーホール６を有するコア基板１と、コア基板１の表面に被着されたビルドアップ絶縁層４と、ビルドアップ絶縁層４の上面に被着されたビルドアップ導体層５と、ビルドアップ導体層５の一部を半導体素子接続パッド９として露出させる複数の開口部１１ａを有するソルダーレジスト層１１と、半導体素子接続パッド９に溶着された半田バンプ１２とを具備して成る配線基板２０であって、スルーホール６の直上に位置する第１の半導体素子接続パッド９に溶着された半田バンプ１２の高さＨ１が、スルーホール６の直上に位置しない第２の半導体素子接続パッド９に溶着された半田バンプ１２の高さＨ２よりも高い。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁信頼性が高い配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】多数個取り基板表面に絶縁層３を被着する工程と、絶縁層３の全表面に下地金属層を被着する工程と、下地金属層表面にめっき金属層を、配線導体４に対応する配線導体用パターン及び配線導体用パターンから切断領域Ｂまでを覆うダミーパターン２３ｂを有するように電解めっき法により被着させる工程と、配線導体用パターン及びダミーパターン２３ｂから露出する下地金属層を除去する工程と、ダミーパターン２３ｂ及びその下の下地金属層を除去する工程と、切断領域Ｂを切断して配線基板領域Ａを個別の配線基板に分割する。 （もっと読む）

【課題】配線導体に対する電気的絶縁信頼性に優れる配線導体を提供すること。
【解決手段】 絶縁層１の表面に下地金属層２を被着する第１の工程と、下地金属層２の表面に配線導体５のパターンに対応した開口部３ａを有するめっきレジスト層３を被着する第２の工程と、開口部３ａ内の下地金属層２の表面に電解銅めっき層４を析出させる第３の工程と、めっきレジスト層３を除去する第４の工程と、電解銅めっき層４から露出する下地金属層２をエッチング除去する第５の工程とを行なう配線基板の製造方法であって、電解銅めっき層４の表面をスポンジロール１２の表面に番手が２０００〜６０００番の研磨シート１３を巻回してなる研磨ロール１０により研磨する第６の工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ナノポアを用いた遺伝子の解析方法に用いられるのに好適な遺伝子解析用配線基板を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁層２と、第１の絶縁層２の上面にマトリックス状に配設された複数の検出用電極９と、第１の絶縁層２上に積層されており、検出用電極９を底面とする検出用凹部１０がレーザ加工により形成された第２の絶縁層３と、第２の絶縁層３の上面に形成されており、検出用電極９に電気的に接続された外部接続用端子１３とを具備して成る遺伝子解析用配線基板である。レーザ加工により形成された寸法制度の高い微小な検出用凹部１０を有するとともに外部との接続が良好となるので、ナノポアを用いた遺伝子の解析方法に用いられるのに好適な遺伝子解析用配線基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】所定の外形寸法を有する半導体装置を歩留まり高く製造することが可能な多数個取り配線基板を効率良く製造可能な多数個取り配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一部の前記スリット５は、その加工開始位置が製品領域３から離間した捨て代領域４にあり、加工開始位置における捨て代領域４に切削加工用のドリルビットＢを穿入するとともにドリルビットＢを製品領域３の外周辺に接する位置まで捨て代領域４を切削しながら移動させた後、外周辺に沿って捨て代領域４を切削しながら一方向に移動させることによりドリルビットＢの直径に対応する幅で形成される。 （もっと読む）

【課題】接地または電源導体は、信号配線導体導体に沿う辺を有する開口パターンを備えることで、信号配線導体と接地または電源導体との間隔を小さく形成して、信号配線導体のインピーダンスの低減ができる高密度配線の配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層上にセミアディティブ法により形成された第一の幅の帯状の信号配線導体３ａおよび該信号配線導体３ａに対して第一の間隔で隣接して配置されるとともに前記第一の幅よりも広い第二の幅にわたり延在する接地または電源導体３ｂ、３ｃを具備して成る配線基板であって、前記接地または電源導体３ｂ、３ｃは、前記信号配線導体３ａに沿う辺を有する開口パターン１１を備える。 （もっと読む）