説明

京セラSLCテクノロジー株式会社により出願された特許

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【課題】絶縁層に対して強固に密着した微細な配線導体を有する配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁層1の表面に算術平均粗さRaが300nm以下の粗化面1aを形成し、次に粗化面1aに無電解銅めっき層2を被着させ、次に無電解銅めっき層2の表面を黒化処理し、次に黒化処理された表面にドライフィルムレジスト3を貼着するとともに配線導体6のパターンに対応する開口を有するように露光および現像してめっきレジスト層3Aを形成し、次にめっきレジスト層3Aの開口内の無電解銅めっき層2上に電解銅めっき層5を配線導体6に対応するパターンに被着させ、次に無電解銅めっき層2上からめっきレジスト層3Aを剥離し、次に電解銅めっき層5および無電解銅めっき層2を、配線導体6のパターン間の無電解銅めっき層2が消失するまでエッチング処理することにより配線導体6を形成する。 (もっと読む)


【課題】平坦な配線基板上に半導体素子が搭載され、他の回路基板に良好に実装することが可能な電子装置を安定して得ることが可能な集合配線基板を提供すること。
【解決手段】複数の絶縁樹脂層1a〜1cと導体層2a〜2dとが積層されて成り、半導体素子Sが搭載される搭載部を上面に有する小型の配線基板4が縦横の並びに一体的に配列形成された製品ブロック5と、製品ブロック5の周囲に一体的に配置形成された枠状の捨て代領域6とを具備するとともに、捨て代領域6における各絶縁樹脂層1a〜1cの上下に導体層2a〜2dから成るダミーパターン8a〜8dを有して成る集合配線基板10であって、ダミーパターン8a〜8dの面積を捨て代領域6の上面側の導体層2a,2bよりも下面側の導体層2c,2dで大きくすることにより捨て代領域6の熱膨張係数が上面側よりも下面側で大きくなっている集合配線基板である。 (もっと読む)


【課題】
複数の配線導体が、互いに隣接する半田接続部間に並設され高密度な配線形成が可能であると共に電気的絶縁信頼性が高い配線基板及びその製造方法を提供する事を課題とする。
【解決手段】
半田接続部3をもつ配線導体2が多数並設された絶縁基板1上面に、半田接続部3を露出させる開口部4aをもつソルダーレジスト層4が形成されるとともに、開口部4a内に半田接続部3と接続された半田バンプ5を備える配線基板10であって、開口部4aは半田接続部3の幅より大径でソルダーレジスト層4上面から配線導体2より高位置まで開口する上側開口部4adと、上側開口部4adの下側で半田接続部3の間の配線導体2を露出させずに半田接続部3を露出させるように開口する下側開口部4acとを有する。 (もっと読む)


【課題】高周波信号を損失少なく伝送させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】半導体素子Sが搭載される搭載部1aを有する基板1と、その上に積層されており、搭載部1aに臨む端面2aを有する絶縁層2と、絶縁層2の上面を搭載部1a側から反対側に向けて延在する帯状の信号配線3と、絶縁層2の上面の信号配線3の両側に配設された上面側接地導体4と、絶縁層2の下面に配設された下面側接地導体5とを備え、信号配線3および上面側接地導体4に半導体素子SとワイヤWを介して電気的に接続されるワイヤボンディング部8を有してなる配線基板であって、絶縁層2は、上面側接地導体4のワイヤボンディング部8に隣接する位置に、端面2aからワイヤボンディング部8よりも奥に入り込む切り欠き部6が形成されており、切り欠き部6内に上面側接地導体4と下面側接地導体5とを接続する接続導体7が被着されている。 (もっと読む)


【課題】信号の反射損や挿入損が小さく、信号を正常に伝播させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】複数の絶縁層11〜17が積層されて成る絶縁基板10と、絶縁基板10の下面に形成されたペア伝送路用の外部接続パッドのペア41,42と、絶縁層11〜17間に配設されており、外部接続パッドのペア41,42に対応する位置に開口部91a〜96aが形成された複数の導体層22〜27と、開口部91a〜96a内に対応する位置において外部接続パッドのペア41,42に電気的に接続されて複数の絶縁層11〜17を貫通する貫通導体52〜57とを備える配線基板であって、導体層22〜27は、開口部91a〜96aを取り囲む電源パターン91〜96をその周囲の電源層73〜78から独立して有するとともに上下の電源パターン91〜96同士が貫通導体52〜57により同じ電源電位に接続されている。 (もっと読む)


【課題】外部接続パッドの配置に対する設計自由度が高いとともに小型化が可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】複数の差動線路が形成された絶縁基板1の下面に、前記差動線路に接続された複数の信号用外部接続パッド4Sのペアと該ペアに隣接して配置された複数の接地用外部接続パッド4Gとを含む多数の外部接続パッド4を格子状の配列で配設してなる配線基板であって、外部接続パッド4は、複数の信号用外部接続パッド4Sのペアが前記配列の最外周と最外周から2番目の列に互いに横に1格子ずれて横向きに並ぶように配置されているとともに、各ペアの両側に隣接する格子に接地用外部接続パッド4Gが1個ずつ配置されている。 (もっと読む)


【課題】信号の反射損や挿入損が小さいとともに共振が発生しにくく、信号を正常に伝播させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板10の上面側を絶縁基板10の中央部から外周部にかけて互いに隣接して延在し、外周部において互いの間隔が広がる帯状配線導体のペア80a,80bと、帯状配線導体のペア80a,80bとビアホール21,22を介して電気的に接続されたスルーホール導体のペア43a,43bと、絶縁基板10の下面に被着されており、スルーホール導体のペア43a,43bにビアホール24,25を介して電気的に接続された外部接続パッドのペア60a,60bとを有する配線基板であって、スルーホール導体のペア43a,43bのピッチが外部接続パッドのペア60a,60bのピッチよりも狭い。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を搭載する配線基板において、絶縁基板の上面に配設された複数の短冊状の半導体素子接続パッドの幅を部分的に広げることなく短冊状の半導体素子接続パッドの上面に半田バンプを形成することにより、半導体素子接続パッドのファインピッチを実現する配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板1の上面に短冊状の半導体素子接続パッド4を有するとともに半導体素子接続パッド4上に半田を溶融および凝集させて半田バンプ5を形成して成る配線基板10であって、半導体素子接続パッド4は、半田バンプ5が形成された位置の上面に凹部4aが形成されているとともに、凹部4aを中心に凝集させた半田により半田バンプ5が形成されている。 (もっと読む)


【課題】例えば幅および間隔が20μm以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線を形成することが可能であるとともに、外部接続パッドを外部電気回路基板に接続したときに大きな応力が加わったとしても外部接続パッドに剥がれが発生することのない配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板1の一方の主面に半導体素子接続パッド5を含む第1の配線導体3がセミアディティブ法により被着形成されているとともに絶縁基板1の他方の主面に外部接続パッド6を含む第2の配線導体3がセミアディティブ法により被着形成されて成る配線基板であって、第1の配線導体3は一方の主面の絶縁層2上に被着された無電解めっき層3aおよびその上の電解めっき層3bから成り、第2の配線導体3は、他方の主面の絶縁層2上に直接被着された金属箔3cおよびその無電解めっき層3aおよびその上の電解めっき層3bから成る。 (もっと読む)


【課題】
絶縁基板の両主面上に形成されたソルダーレジスト層の相対的なズレが規格内におさまっているか否かを、光学測定器を用いず正確かつ短時間で判定できる配線基板を提供することを課題とする。
【解決手段】
絶縁基板1と、絶縁基板1に形成された貫通孔6と、絶縁基板1の両主面上に形成されており、貫通孔6および貫通孔6の周辺部を露出させる開口部4cを有するソルダーレジスト層4とを備えた配線基板10であって、開口部4cは、その中心を対称点として、開口径が段階的に異なる部分を、異なる角度で複数有している。 (もっと読む)


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