説明

エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイションにより出願された特許

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【課題】リソグラフィ性能を向上するためにフォトレジストパターンを被覆するための組成物、並びに基材上に像を形成するためにこのような被覆用組成物を使用する方法を提供する。
【解決手段】ポジ型化学増幅型レジスト中のフォトレジストパターンを被覆するための水性被覆用組成物であって、前記水性被覆用組成物は、第一級アミン(−NH2)を含むポリマーを含み、前記水性被覆用組成物は、塩基性でありかつ架橋性化合物を含まず、更に、フォトレジストは、前記アミノ基と反応できるラクトンまたは酸無水物官能基を含むフォトレジストポリマーを含み、更に水性被覆用組成物は、フォトレジストパターンの厚さを増大させるものである。 (もっと読む)


【課題】水性アルカリ性現像剤中で現像が可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物の提供。
【解決手段】発色団基を有する少なくとも一種の繰り返し単位と、ヒドロキシル及び/またはカルボキシル基を有する少なくとも一種の繰り返し単位とを含んでなるポリマー、末端ビニルエーテル基を有する架橋剤、場合によっては及び光酸発生剤及び/または酸及び/または熱酸発生剤を含む組成物。更に、このような組成物の使用方法。 (もっと読む)


a)式1の化合物、b)熱酸発生剤、c)少なくとも一種のポリマーを含む、新規反射防止コーティング組成物が提供される。
【化1】


式中、U及びUは独立してC−C10アルキレン基であり; Vは、C−C10アルキレン、アリーレン及び芳香族アルキレンから選択され; Wは、H、C−C10アルキル、アリール、アルキルアリール及びV−OHから選択され; Yは、H、W、及びUC(O)OWから選択され、ここで、Uは独立してC−C10アルキレン基であり、そしてmは1〜10である。リソグラフィプロセスで基材のための反射防止コーティングとして上記組成物を使用する方法も提供される。
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【課題】水性アルカリ性現像剤中で現像が可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物及び、このような組成物の使用方法を提供する。
【解決手段】光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物であって、発色団基、ヒドロキシル及び/またはカルボキシル基、及び酸不安定基を含むポリマー、及び末端ビニルエーテル基を有する架橋剤を含み、更に光酸発生剤を含むかまたは含まない、上記組成物及び、このような組成物の使用方法。 (もっと読む)


【課題】環境汚染物からのフォトレジストの汚染を防ぐために、トップバリヤコートを用いてフォトレジストに像形成する方法を提供すること。
【解決手段】約−9〜約11の範囲のpKaを有する少なくとも一種のイオン化可能な基を有するポリマーを含む、深紫外線(deep uv)液浸リソグラフィ用トップコート組成物及び該トップコートを利用して深紫外線フォトレジストを像形成する方法。 (もっと読む)


本発明は、架橋剤および架橋剤で架橋することができる架橋可能なポリマーを含む反射防止コーティング組成物に関し、架橋可能なポリマーが以下の構造(1)で示される単位を含み:
【化1】


ここで、Aは縮合芳香環であり、Bは構造(2)を有し、
【化2】


ここで、Rは、C−Cアルキルであり、Rは、C−Cアルキルである。
本発明はさらに、本組成物を使用してイメージングを形成する方法に関する。
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本発明は、ポリマー、架橋剤および酸発生剤を含むフォトレジスト層用の反射防止コーティング組成物であって、前記ポリマーが構造1の少なくとも1単位(式1)(I)を含む反射防止コーティング組成物に関する。式中、Xは、非芳香族(A)部分、芳香族(P)部分およびこれらの混合物から選択される連結部分であり、R’は構造(2)からなる基であり、R”は、独立して、水素、構造(2)の部分、ZおよびW−OH(但し、Zは(C〜C20)ヒドロカルビル部分であり、Wは(C〜C20)ヒドロカルビレン連結部分である)から選択され、Y’は、独立して、(C〜C20)ヒドロカルビレン連結部分である。但し、構造(2)は(式II)(II)で表される。式中、RおよびRは、それぞれ独立に、HおよびCアルキルから選択され、Lは有機ヒドロカルビル基である。本発明は、さらに反射防止コーティング組成物を画像形成する方法に関する。
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本発明は、水性アルカリ性現像剤中で現像可能なポジ型底面光像形成性反射防止コーティング組成物であって、発祥団基を有する少なくとも一つの繰り返し単位とヒドロキシル及び/またはカルボキシル基を有する少なくとも一つの繰り返し単位とを含むポリマー、末端にビニルエーテルを有する構造(7)の架橋剤、任意に及び光酸発生剤及び/または酸及び/または熱酸発生剤を含み、ここで構造(7)は、
【化1】


[式中、Wは、(C−C30)線状、分枝状もしくは環状アルキル部分、置換されているかもしくは置換されていない(C−C40)脂肪環式炭化水素部分及び置換されているかもしくは置換されていない(C−C40)シクロアルキルアルキレン部分から選択され; Rは、C−C10線状もしくは分枝状アルキレンから選択され; そしてnは≧2である」
である、前記ポジ型底面光像形成性反射防止コーティング組成物に関する。本発明は、更にこのような組成物を使用する方法にも関する。
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本発明は、水性アルカリ性溶液中で現像することによってパターンを形成することができる光像形成性反射防止コーティング組成物であって、(i)コーティング溶剤中に可溶性であって、発色団、架橋性部分、任意に及び、水性アルカリ性溶液中へのポリマーの可溶性を助ける官能基を酸または熱条件下に生成する解裂性基を含むポリマーA、及び; (ii)少なくとも一種の光酸発生剤; (iii)架橋剤; (iv)任意に、熱酸発生剤; (v)現像の前に水性アルカリ性溶液中に可溶性であり、かつポリマーAと不混和性で、コーティング溶剤中に可溶性のポリマーB; (vi)コーティング溶剤組成物、及び(vii)任意に、クエンチャを含む前記光像形成性反射防止コーティング組成物に関する。本発明はまた、該反射防止コーティングに像を形成する方法にも関する (もっと読む)


本発明は、デバイス上にリバーストーン画像を形成するための方法であって、a)基材上に任意選択的に吸光性有機下層を形成し; b)下層上にフォトレジストのコーティングを形成し; c)フォトレジストパターンを形成し; d)フォトレジストパターン上に、ポリシラザンコーティング溶液からポリシラザンコーティングを形成し、ここで、ポリシラザンコーティングはフォトレジストパターンよりも厚く、更にここで、ポリシラザンコーティング組成物は、ケイ素/窒素ポリマー及び有機コーティング溶剤を含み; e)ポリシラザンコーティングをエッチングして、少なくともフォトレジストの上端の高さまでポリシラザンコーティングを除去して、フォトレジストパターンが現れるようにし; そしてf)フォトレジスト、及びフォトレジストの下にある下層をドライエッチングして除去して、フォトレジストパターンが存在していた所の下に開口を形成することを含む方法に関する。本発明は更に上記方法の製造物及び上記方法を用いて製造される微細電子デバイスにも関する。 (もっと読む)


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