説明

フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッドにより出願された特許

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フォトレジスト組成物。組成物は、以下:(a)1つ又はそれ以上の酸感受性基を含み、そしてアセタール又はケタール基によって保護されたフェノール基を実質的に含まない1つ又はそれ以上の樹脂バインダー;(b)高エネルギーの線源に露光すると分解し、そして1つ又はそれ以上の酸感受性基を除去するのに十分強い光酸を発生する1つ又はそれ以上の光酸発生剤;(c)イミニウム塩を含む1つ又はそれ以上のイオン性非感光性添加剤;及び(d)1つ又はそれ以上の溶媒;を有する。また、フォトレジスト組成物を用いて基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法もある。 (もっと読む)


【化1】


(1)式(A0)[式中、Qは、多価有機核であり、Z1及びZ11は、二価の結合基であり、Wは、二価の有機架橋基であり、シータ(theta)は、有機DUV発色団を含んでいる置換基Tであるか、又はDUV光に対してほとんどあるいは全く吸収を示さない有機置換基シュワー(schwa)であり、Xは、反応性官能基であり、Y11は、反応性官能基であり、aは、約2〜15までの範囲であり、bは、約0〜10までの範囲であり、cは、約0〜5までの範囲であり、そしてdは、0又は1であり、上記において、Q、W、及びシータは、一緒にして、架橋反応において反応性のある少なくとも二つの基又は部位を含み、但し、(a+b+c)の合計は、3より大きいか、又は3に等しいことを条件とする。]によって表される非ポリマーバインダー(NPB);(2)架橋剤;及び(3)溶媒を含んでいる開口部充填組成物及び底面反射防止コーティングとして有用な半導体コーティング組成物。
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本開示は、(a)1つもしくは複数の置換もしくは非置換環状アルケン、及び(b)少なくとも1つの式(I)の化合物を含む酸化防止剤組成物を含む組成物に関する。式(I)におけるR〜Rは明細書に記載されている。
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【課題】泡生成を最小化して露光されたフォトレジストに使用されるように、現像剤において表面張力を効率的に低下させうる新規な界面活性剤を提供する。
【解決手段】式


(ここでrおよびtは1もしくは2、(n+m)は1〜30そして(p+q)は1〜30である)によって表されるアセチレン列ジオールエチレンオキシド/プロピレンオキシド付加物を界面活性剤として含む水性アルカリフォトレジスト現像剤組成物。 (もっと読む)


フォトリソグラフィ2層塗布基板を形成する、多層リソグラフィプロセスで使用するためのエッチング耐性熱硬化性下層組成物であって、該組成物は、(a)構造式(I)の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式(II)の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式(III)の少なくとも一つの繰り返し単位と、から構成される、但し、構造式(I)、構造式(II)及び構造式(III)のいずれも酸感応性基を含有しない、少なくとも一つのシクロオレフィンポリマーと、(b)アミノ又はフェノール架橋剤からなる群から選択される少なくとも一つの架橋剤と、(c)少なくとも一つの熱酸発生剤(TAG)と、(d)少なくとも一つの溶媒と、(e)任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、を有する。
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フォトリソグラフィー用2層コート基板製造のための多層リソグラフィー工程において使用するためのエッチング耐性の熱硬化性下層組成物であり、該組成物は(a)化学式(I)、(II)、(III)の繰り返し単位を含むポリマー、(b)少なくとも1つの架橋剤、(c)少なくとも1つの熱酸発生剤、および(d)少なくとも1つの溶剤の組成物である。
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塗布半導体基板を準備する工程と、第1の感光性組成物を塗布する工程と、第1の感光性組成物を露光する工程と、露光された第1の感光性組成物を現像する工程と、像形成された二層積層体をリンスする工程と、定着液を添加する工程と、固定化された像を含む像形成された二層積層体をリンスする工程と、第2の感光性組成物を塗布する工程と、第2の感光性組成物を露光する工程と、第2の感光性組成物を現像する工程と、像形成された二層積層体をリンスする工程と、を含む多重露光パターン形成プロセスを用いた半導体装置を製造するプロセスであって、第1及び第2の感光性組成物それぞれが、光酸発生剤と、酸で処理することによりその水性塩基溶解度が増加し、アンカー基を備える、実質的に水性塩基不溶性の重合体と、から構成されることを特徴とする。定着液はアンカー基と反応性を有するが、シリコンは含有しない、多官能性定着化合物から構成され、半導体基板は少なくとも第1の塗布工程から少なくとも最後の露光までリソグラフィセル内に止まることを特徴とする。 (もっと読む)


本開示は、半導体基板から残留物を除去するのに有用な非腐食性洗浄組成物を提供する。前記組成物は、水と、少なくとも1種のヒドラジノカルボン酸エステルと、少なくとも1種の水溶性カルボン酸と、任意で少なくとも1種のフッ化物含有化合物と、任意でカルボキシル基を含まない少なくとも1種の腐食抑制剤とを含有する。本開示はまた、非腐食性洗浄組成物を用いた、半導体基材から残留物を洗浄する方法を提供する。 (もっと読む)


安定化された環状アルケン組成物であって、1つ又はそれ以上の環状アルケン、及び式(I):
【化1】


ここで、R1からR5は、各々独立に、H、OH、(C1−C8)の直鎖状、分枝鎖状若しくは環状アルキル、(C1−C8)の直鎖状、分枝鎖状若しくは環状アルコキシ、又は置換若しくは無置換のアリールである;
を有する少なくとも1つの酸化防止化合物を含み、且つ、酸化防止化合物は、約1ppmから約200ppmの間の量で存在し、そして265℃未満の沸点を有する組成物、及び、基板上に炭素をドープした酸化ケイ素の層を形成する方法であって、安定化したアルケン組成物及びケイ素含有化合物を使用する方法。
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安定化された環状アルケン組成物であって、1つ又はそれ以上の環状アルケン、及び式(I):
【化1】


ここで、R1からR5は、各々独立に、H、OH、(C1−C8)の直鎖状、分枝鎖状若しくは環状アルキル、(C1−C8)の直鎖状、分枝鎖状若しくは環状アルコキシ、又は置換若しくは置換されていないアリールである;を有する少なくとも1つの酸化防止化合物を含み、且つ、酸化防止化合物は、約1ppmから約200ppmの間の量で存在し、そして該組成物は、該組成物の貯蔵又は出荷を目的として容器に導入した後、少なくとも1つの不活性ガスを用いてパージされる組成物、及び、基板上に炭素をドープした酸化ケイ素の層を形成する方法であって、安定化したアルケン組成物及びケイ素含有化合物を使用する方法。
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